- 導(dǎo)通電阻為標(biāo)準(zhǔn)0.95mΩ
- “業(yè)界最高”FOM
- 柵極電荷量為標(biāo)準(zhǔn)50nC
- 最大漏電流為37A
- 采用同步整流方式的降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器電路的同步整流端開關(guān)
美國國際整流器公司（International Rectifier，IR）上市了導(dǎo)通電阻僅為標(biāo)準(zhǔn)0.95mΩ（柵源間電壓為＋10V時(shí)）的25V耐壓n通道功率MOSFET“IRF6798MPBF”。這是一款采用該公司自主開發(fā)的封裝技術(shù)“Direct FET”的功率MOSFET。外形尺寸為6.35mm×5.05mm×0.676mm。適用于采用同步整流方式的降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器電路的同步整流端開關(guān)。
據(jù)稱，該功率MOSFET的導(dǎo)通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM（figure of merit，優(yōu)值）為“業(yè)界最高”。全部柵極電荷量為標(biāo)準(zhǔn)50nC。最大柵源間電壓為±20V，最大漏電流為37A。批量購買1萬個(gè)時(shí)的單價(jià)為1.50美元。
此外，該公司還同時(shí)上市了導(dǎo)通電阻為標(biāo)準(zhǔn)3.0mΩ（柵源間電壓為10V時(shí)）、全部柵極電荷量為標(biāo)準(zhǔn)13nC的n通道功率MOSFET “IRF6706S2PBF”。適用于采用同步整流方式的降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器電路的控制端開關(guān)。最大柵源間電壓為±20V，最大漏電流為17A。外形尺寸為4.85mm×3.95mm×0.74mm。批量購買1萬個(gè)時(shí)的單價(jià)為0.60美元。
