- 是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料
- 將對(duì)半導(dǎo)體材料產(chǎn)生革命性的影響
- 將成為功率器件研究領(lǐng)域的主要潮流之一
- 技術(shù)需要時(shí)間磨合
- 將在今后5～10年內(nèi)出現(xiàn)SIC的新器件
碳化硅是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在電力電子方面也是很重要的，可制作出性能更加優(yōu)異的高溫(300℃～500℃)、高頻、高功率、高速度、抗輻射器件。SIC高功率、高壓器件對(duì)于公電輸運(yùn)和電動(dòng)汽車等設(shè)備的節(jié)能具有重要意義。采用SIC的新器件將在今后5～10年內(nèi)出現(xiàn)，并將對(duì)半導(dǎo)體材料產(chǎn)生革命性的影響。
SIC可以用來(lái)制造射頻和微波功率器件、高頻整流器、MESFET、MOSFET和JFET等。SIC高頻功率器件已在Motorola公司研發(fā)成功，并應(yīng)用于微波和射頻裝置；美國(guó)通用電氣公司正在開發(fā)SIC功率器件和高溫器件；西屋公司已經(jīng)制造出了在26GHz頻率下工作的甚高頻MESFET；ABB公司正在研制用于工業(yè)和電力系統(tǒng)的高壓、大功率SIC整流器和其他SIC低頻功率器件。
理論分析表明，SIC功率器件非常接近理想的功率器件。我們可以預(yù)見，各種SIC器件的研發(fā)必將成為功率器件研究領(lǐng)域的主要潮流之一。但是我們也要清醒的看到，SIC材料和功率器件的機(jī)理、理論和制造工藝均有大量的問題需要去解決，它要真正給電力電子技術(shù)領(lǐng)域帶來(lái)新的革命，估計(jì)還需要時(shí)間的等待。
