- 有最優(yōu)化的導通電阻和門電容
- 保留了原本PolarP2的特性和優(yōu)點
- 優(yōu)化內(nèi)置的反并聯(lián)二極管
- 太陽能發(fā)電
IXYS公司近日發(fā)布了一種最新系列的PolarP2 MOSFET。這是IXYS快速強大的最新一代Polar-series Power MOSFET，以IXYS特有的PolarP2技術為平臺的500V器件。
這些器件有最優(yōu)化的導通電阻和門電容，其FOM(導通電阻/Qg)只有12歐姆/納庫(Ω/nC)，優(yōu)異的性能和節(jié)能性使開發(fā)更高效的電源系統(tǒng)成為可能。這些電源系統(tǒng)包括在能量交換和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等。這些器件在開關/諧振電源、不間斷電源(UPS)、基站、服務器、消費類電器等應用同樣是理想的。這些器件也非常適合以下應用：功率因數(shù)校正電路、電機驅(qū)動器、電子鎮(zhèn)流器、激光驅(qū)動器、直流-直流轉(zhuǎn)換器、自動伺服控制。
這個最新發(fā)布的PolarP2 MOSFET系列包含了兩個子類別，提供給最終客戶更靈活的系統(tǒng)設計以及給予客戶機會去選擇最佳性價比的器件。這些子類別包括標準的低損耗版本的PolarP2和高性能版本PolarP2 HiPerFET。
標準的PolarP2 MOSFET的額定電流有16、24、42和52安培幾個規(guī)格。標準的PolarP2 MOSFET專門為設計者提供了高性價比的器件。和原來的一代相比，這個新標準的版本降低了高達20%的導通電阻，同時維持低門控充電值(43nC)。這個系列器件有雪崩能量標定，為器件的瞬間過壓提供安全保障。
PolarP2 HiPerFET版本的額定電流有24、42、52、74、94和120安培幾個規(guī)格。這種高性能的版本保留了原本PolarP2的特性和優(yōu)點，同時優(yōu)化了內(nèi)置的反并聯(lián)二極管，從而提升了器件的dv/dt(電容充電或放電時的電壓波形的最大斜率)能力，提升了反向恢復速度(trr<=250ns)。HiPerFET特有優(yōu)化的快速恢復二極管使得器件有以下特性：短暫的快速反應、提高能源效率、提高耐用性以及較高的工作頻率。HiPerFET器件超結(jié)實的特性和能量的轉(zhuǎn)換能力，使得這些器件成為零電壓開關拓撲理想的選擇，因為二極管優(yōu)異恢復特性對零電壓切換非常重要。
