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- 通過封裝頂部散熱
- 采用高效的雙面散熱技術
- 采用標準5 mm x 6 mm SON 封裝
- 各種終端應用
- 包括臺式個人計算機、服務器、電信或網絡設備、基站以及高電流工業(yè)系統(tǒng)等
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相對其它標準尺寸封裝的產品，DualCool NexFET 功率MOSFET有助于縮小終端設備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進散熱管理。
該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統(tǒng)設計人員使用具有擴充內存及更高電流的處理器，同時顯著節(jié)省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于各種終端應用，其中包括臺式個人計算機、服務器、電信或網絡設備、基站以及高電流工業(yè)系統(tǒng)等。
TI 高級副總裁兼電源管理全球經理 Steve Anderson 指出：“我們的客戶需要具有更小體積和更高電流的 DC/DC 電源，以滿足各種基礎設施市場對處理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET 功率 MOSFET 能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿足這一需求。”
DualCool NexFET 功率 MOSFET 的主要特性與優(yōu)勢：
作為單相35A 同步降壓轉換器的 MOSFET， 采用一個 MOSFET 即可滿足高電流 DC/DC 應用中的高、低側兩種開關需求；
增強型封裝技術可將封裝頂部熱阻從10 ~ 15°C/每瓦降至1.2°C/每瓦，從而將該封裝所能承受的功耗提升 80%；
高效的雙面散熱技術可將允許通過 FET 的電流提高 50%，設計人員無需增加終端設備尺寸，即可高度靈活地使用需要更高電流驅動的處理器；
業(yè)界標準 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝可簡化設計、降低成本，與使用兩個標準5x6封裝相比，可節(jié)省 30mm2的空間。
