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能源電力

北京君正聯(lián)合《我愛(ài)方案網(wǎng)）加強(qiáng)方案商生態(tài)建設(shè)

12月17日，中國(guó)半導(dǎo)體芯片原廠北京君正與《我愛(ài)方案網(wǎng)》將共建“方案商生態(tài)”，充分利用原廠技術(shù)、產(chǎn)品和前瞻運(yùn)營(yíng)資源與互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)和方案商資源。針對(duì)君正嵌入式芯片產(chǎn)品線，《我愛(ài)方案網(wǎng)》平臺(tái)將推廣北京君正方案應(yīng)用和平臺(tái)合作方案商導(dǎo)入君正開(kāi)發(fā)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品創(chuàng)新。雙方還將為方案商提供技術(shù)培訓(xùn)，...

2021-12-22

北京君正我愛(ài)方案網(wǎng) 生態(tài)建設(shè)

大功率電池供電設(shè)備逆變器板如何助力熱優(yōu)化

電池供電電機(jī)控制方案為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)多項(xiàng)挑戰(zhàn)，例如，優(yōu)化印刷電路板熱性能目前仍是一項(xiàng)棘手且耗時(shí)的工作；現(xiàn)在，應(yīng)用設(shè)計(jì)人員可以用現(xiàn)代電熱模擬器輕松縮短上市時(shí)間。

2021-12-22

大功率電池器供電設(shè)備逆變器板熱優(yōu)化

穩(wěn)壓器類(lèi)型及其工作原理

穩(wěn)壓器是這樣一種電路：無(wú)論輸入電壓或負(fù)載條件如何變化，它都能產(chǎn)生并保持固定的輸出電壓。穩(wěn)壓器（VR）將來(lái)自電源的電壓保持在其他電氣組件相容的范圍之內(nèi)。它最常用于DC / DC電源轉(zhuǎn)換，但有些也可用于AC / AC或AC / DC電源轉(zhuǎn)換。本文將重點(diǎn)介紹DC / DC穩(wěn)壓器。

2021-12-22

穩(wěn)壓器工作原理

MOSFET性能改進(jìn)：超級(jí)結(jié)MOSFET（SJ－MOS）

如果是D-MOS的情況，電場(chǎng)強(qiáng)度在P／N層接口處最強(qiáng)。當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)硅的極限時(shí)，會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象，這就是電壓極限。另一方面，如果是SJ-MOS的情況，電場(chǎng)強(qiáng)度在N層中是均勻的。

2021-12-08

MOSFET 超級(jí)結(jié)MOSFET

如何以經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的方式將 EtherNet/IP、EtherCAT 和 PROFINET 添加到自動(dòng)化工廠

自主工廠依賴于各個(gè)組件（如運(yùn)動(dòng)控制器和機(jī)器人）之間的實(shí)時(shí)通信，而且這種通信必須實(shí)時(shí)進(jìn)行。例如，100 英尺外的可編程邏輯控制器 (PLC) 向機(jī)器人發(fā)送的運(yùn)動(dòng)命令如果出現(xiàn)延遲，則可能會(huì)導(dǎo)致最終產(chǎn)品出現(xiàn)缺陷。

2021-12-08

EtherNet/IP EtherCAT PROFINET 自動(dòng)化工廠

SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時(shí)如何實(shí)現(xiàn)負(fù)壓？

現(xiàn)代工業(yè)對(duì)電力電子設(shè)備提出了很多要求：體積小、重量輕、功率大、發(fā)熱少。面對(duì)這些要求，Si MOSFET因Si材料自身的限制而一籌莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天優(yōu)勢(shì)開(kāi)始大顯神通。SiC MOSFET大規(guī)模商用唯一的缺點(diǎn)就是價(jià)格。

2021-12-07

SiC MOSFET 單電源正電壓 Si MOSFET

一舉三得：直接用碳化硅器件，可節(jié)能、提高功率轉(zhuǎn)換效率、減少設(shè)計(jì)尺寸

更高的效率無(wú)疑是一個(gè)優(yōu)勢(shì)，但是有時(shí)候“更高”的陳述是不準(zhǔn)確的，比如：家庭電子器件散發(fā)“更高”的熱量可以減輕您的中央供暖工作在寒冷氣候中的工作量，也許會(huì)帶來(lái)能量使用和成本方面的整體好處，還可以采用效率相對(duì)低效的鍋爐。如果用“更高”來(lái)描述白熾燈，它可以在您需要溫暖時(shí)成為非常高效的加熱器。

2021-11-30

碳化硅器件

連接SPI接口器件 - 第一部分

LEC2 Workbench系列技術(shù)博文主要關(guān)注萊迪思產(chǎn)品的應(yīng)用開(kāi)發(fā)問(wèn)題。這些文章由萊迪思教育能力中心（LEC2）的FPGA設(shè)計(jì)專(zhuān)家撰寫(xiě)。LEC2是專(zhuān)門(mén)針對(duì)萊迪思屢獲殊榮的低功耗FPGA和解決方案集合的全球官方培訓(xùn)服務(wù)供應(yīng)商。

2021-11-29

SPI接口器件

重負(fù)載時(shí)中開(kāi)關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項(xiàng)

在重負(fù)載時(shí)，如果MOSFET的體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間trr較長(zhǎng)，且有電流殘留，則在超前臂的MOSFET關(guān)斷時(shí)，寄生雙極晶體管可能會(huì)誤導(dǎo)通，從而損壞MOSFET。這種問(wèn)題發(fā)生在由關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的對(duì)漏源電容CDS的充電電流而使寄生雙極晶體管自發(fā)地導(dǎo)通（誤導(dǎo)通）、瞬間流過(guò)大電流時(shí)。

2021-11-29

重負(fù)載開(kāi)關(guān)元件注意事項(xiàng)

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SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時(shí)如何實(shí)現(xiàn)負(fù)壓？

一舉三得：直接用碳化硅器件，可節(jié)能、提高功率轉(zhuǎn)換效率、減少設(shè)計(jì)尺寸

連接SPI接口器件 - 第一部分

重負(fù)載時(shí)中開(kāi)關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項(xiàng)

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一舉三得：直接用碳化硅器件，可節(jié)能、提高功率轉(zhuǎn)換效率、減少設(shè)計(jì)尺寸