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能源電力

飛思卡爾Xtrinsic傳感器打造智能電子終端

飛思卡爾秉承其在傳感器領(lǐng)域30多年的創(chuàng)新傳統(tǒng)，推出了Xtrinsic傳感解決方案。針對消費(fèi)電子領(lǐng)域近年來不斷增長的需求，飛思卡爾也不斷擴(kuò)充及豐富其Xtrinsic智能傳感器平臺。在2011飛思卡爾技術(shù)論壇（FTF2011 Freescale Technology Forum)上，飛思卡爾向與會觀眾呈現(xiàn)了Xtrinsic產(chǎn)品線及其應(yīng)用解決方案...

2011-12-30

Xtrinsic傳感器智能電子壓力傳感器

明年一季度太陽能光伏產(chǎn)品價格或?qū)⑸蠐P(yáng)

據(jù)Digitimes分析師透露，太陽能光伏行業(yè)出現(xiàn)2012年第一季度的大量緊急訂單，部分光伏產(chǎn)品價格保持穩(wěn)定，多晶硅和6寸多晶太陽能硅片價格出現(xiàn)上揚(yáng)。

2011-12-30

太陽能光伏光伏產(chǎn)品

門票防偽檢測系統(tǒng)設(shè)計研究

傳統(tǒng)的防偽技術(shù)，基本上都采用材料防偽,如果被人仿冒，后果不堪設(shè)想，也存在造價高等缺點(diǎn)。而數(shù)字水印技術(shù)屬于個性化防偽技術(shù)，它是與個性特征相結(jié)合，并且不改變成熟的印刷工藝，不改變印刷材料與設(shè)備，不增加印刷成本，是目前較好的防偽技術(shù)。

2011-12-30

嵌入式門票防偽檢測

運(yùn)算放大器性能參數(shù)的影響因素

本文闡述了直流偏置電源對敏感模擬應(yīng)用中所使用運(yùn)算放大器(op amp)產(chǎn)生的影響，此外還涉及了電源排序及直流電源對輸入失調(diào)電壓的影響。另外，本文還介紹了一種通過線性穩(wěn)壓器(一般不具有追蹤能力)輕松實(shí)施追蹤分離電源的方法，以幫助最小化直流偏置電源帶來的一些不利影響。

2011-12-30

運(yùn)算放大器電源模數(shù)轉(zhuǎn)換器

基于恒流驅(qū)動電路的LED調(diào)光控制系統(tǒng)設(shè)計

隨著能源危機(jī)的到來，高效的照明技術(shù)得到人們廣泛的關(guān)注。發(fā)光二極管LED(Light Emitting Ddiode)是利用半導(dǎo)體PN結(jié)或類似結(jié)構(gòu)把電能轉(zhuǎn)換成光能的器件，以其高效率、低功耗、低電壓驅(qū)動、使用壽命長等優(yōu)點(diǎn)，已在眾多應(yīng)用領(lǐng)域中得到普遍的應(yīng)用，如各類消費(fèi)電子產(chǎn)品——手機(jī)、PDA、液晶電視的背光光源等。...

2011-12-30

LED 驅(qū)動電路調(diào)光電路

數(shù)字控制電源性能提高的設(shè)計方案

在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動器IC與MOSFET的位置相鄰，所以就需要增加智能保護(hù)功能以增強(qiáng)電源的可靠性。

2011-12-30

驅(qū)動器電源 TrueDrive

電源系統(tǒng)的B類和C類防雷保護(hù)

本文主要介紹了低壓配電系統(tǒng)中B類和C類防雷保護(hù)的區(qū)別、作用和避雷器產(chǎn)品的一些選型方法，介紹了一種新型火花間隙避雷器的工作原理，對不同特性的B類保護(hù)避雷器作了較多的分析和對比，使廣大讀者對B類和C類保護(hù)避雷器有一個全面的認(rèn)識和了解。

2011-12-29

電源系統(tǒng) 防雷避雷器 B類保護(hù) C類保護(hù)

2012年全球太陽能市場預(yù)測

2012年全球太陽能市場將是面對艱困挑戰(zhàn)去蕪存菁的一年，目前主要市場的政策走向以總量管制和降低補(bǔ)助金額為主；而新興市場政策待時間蘊(yùn)釀發(fā)酵。目前產(chǎn)業(yè)鏈的價格走向在中段晶圓到模塊領(lǐng)域的現(xiàn)貨交易價格仍然偏低，大部分廠商都處于咬牙苦撐的狀況。

2011-12-29

太陽能市場 LCOE 太陽能逆變器

意法半導(dǎo)體（ST）鞏固在能效功率控制市場的領(lǐng)導(dǎo)地位

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管。MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻，在650V額定電壓應(yīng)用中可實(shí)現(xiàn)...

2011-12-29

半導(dǎo)體晶體管光電轉(zhuǎn)換器能效功率

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