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能源電力

智能手機(jī)第二波普及潮來襲

中國手機(jī)市場(chǎng)已經(jīng)進(jìn)入智能手機(jī)時(shí)代。根據(jù)賽諾市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)的統(tǒng)計(jì)，2010年，中國市場(chǎng)銷售了2780萬部智能手機(jī)，占整體手機(jī)銷售量的16%。而在剛剛結(jié)束的2011年，市場(chǎng)規(guī)模更是激增，達(dá)到了7400萬部的智能手機(jī)銷售量，占2011年中國手機(jī)市場(chǎng)消費(fèi)總量(約2.5億部)的29.6%。

2012-02-14

智能手機(jī) WCDMA EV-DO 3G

平板電腦市場(chǎng)降溫品牌混戰(zhàn)仍在持續(xù)

相較于iPad剛上市時(shí)掀起的平板熱潮，2012年的平板電腦市場(chǎng)發(fā)生了微秒的變化。一方面，蘋果仍牢牢占據(jù)著市場(chǎng)霸主之位，但iPad的市場(chǎng)份額下滑也是不爭的事實(shí)；另一方面，雖然PC廠商、家電廠商、手機(jī)廠商無一例外地推出平板電腦產(chǎn)品，但用戶對(duì)平板電腦的消費(fèi)更趨于理性。

2012-02-14

平板電腦蘋果三星智能手機(jī)

液晶面板回暖廠商尋求規(guī)?；l(fā)展

全球TFT-LCD面板產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷了近兩年的連續(xù)虧損之后，終于在2012年傳來了回暖的消息。近日，韓國和中國臺(tái)灣面板廠商均表示對(duì)面板市場(chǎng)扭虧為盈持樂觀態(tài)度。在面板市場(chǎng)整體環(huán)境轉(zhuǎn)好的情況下，我國面板進(jìn)口關(guān)稅可能上調(diào)的消息使京東方、華星光電和中電熊貓等中國大陸廠商迎來新的發(fā)展機(jī)遇。在政策和市場(chǎng)...

2012-02-14

TFT-LCD 液晶面板電視電視面板

腐蝕傳感器技術(shù)革新創(chuàng)新產(chǎn)品市場(chǎng)適應(yīng)力更強(qiáng)

如今各行各業(yè)中傳感器應(yīng)用已經(jīng)越來越多，各種技術(shù)問題也提上日程，腐蝕傳感器由于壽命問題一直是行業(yè)發(fā)展的阻礙，此次英國研發(fā)抗腐蝕傳感器的技術(shù)革新成功，正彌補(bǔ)了腐蝕傳感器壽命短的問題，這一創(chuàng)新產(chǎn)品將擁有更強(qiáng)的市場(chǎng)適應(yīng)能力，引領(lǐng)未來市場(chǎng)導(dǎo)向。

2012-02-14

腐蝕傳感器

電路設(shè)計(jì)中的抗干擾措施

單片機(jī)測(cè)控系統(tǒng)的電路較復(fù)雜，產(chǎn)生干擾的原因很多。下面幾種常用的抗干擾措施。

2012-02-14

電路設(shè)計(jì) 抗干擾電源大功率器件

電路設(shè)計(jì)中三極管和mos管的區(qū)別

我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)中三極管和MOS管做開關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制.2、成本問題：三極管便宜，MOS管貴。3、功耗問題：三極管損耗大。

2012-02-14

電路設(shè)計(jì) 三極管 mos管雙極晶體管

PCB焊接工藝使用氮?dú)獾睦碛?/span>

焊接的一個(gè)行進(jìn)中的問題是在回流焊接爐中使用氮?dú)獾暮锰?。在這個(gè)主題上我遇到的問題至少每周一次。這個(gè)問題不是什么新問題。十年前，所訂購的回流焊接爐至少一半規(guī)定有氮?dú)馊萜鳌Ｗ罱c回流焊接爐制造商的交談告訴我，這個(gè)比例保持還是一樣的，盡管使用氮?dú)獾年P(guān)鍵理由現(xiàn)在再不是什么站得住腳的理由...

2012-02-14

PCB 焊接工藝氮?dú)?nbsp; 氟里昂

第五講：專家解答電路保護(hù)設(shè)計(jì)的常見問題

本文整理工程師在電路保護(hù)設(shè)計(jì)中經(jīng)常遇到的一些問題，精選出關(guān)于保險(xiǎn)絲、防雷器件和ESD保護(hù)器件的選型及應(yīng)用的問題，由資深電路保護(hù)設(shè)計(jì)專家給予專業(yè)權(quán)威的解答，旨在幫助工程師正確選擇和使用電路保護(hù)器件，設(shè)計(jì)高可靠性的電路保護(hù)解決方案。

2012-02-13

電路保護(hù) 保險(xiǎn)絲熔斷器防雷 ESD

HOMSEMI中低壓MOSFET全面升級(jí)8英寸0.18μm Trench工藝

2011年12月，廣州成啟半導(dǎo)體有限公司宣布，HOMSEMI中低壓MOSFET全面使用8英寸、0.18μm、Trench工藝晶圓。成啟半導(dǎo)體表示，這次產(chǎn)品升級(jí)已經(jīng)過一年準(zhǔn)備和試產(chǎn)，將使Power MOSFET的原胞密度提高、RDS（ON）降低、QG降低，提高整機(jī)效率，同時(shí)獲得更好的成本控制能力，這意味著，HOMSEMI成為國內(nèi)一線分...

2012-02-13

HOMSEMI Power MOSFET Trench MOSFET

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