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10nm以下DRAM，三星DRAM技術(shù)突破存儲行業(yè)版圖
10納米以下節(jié)點(diǎn)的技術(shù)突破成為行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵門檻。三星電子與三星綜合技術(shù)院聯(lián)手，在IEEE國際電子器件會議上公布了——可用于10納米以下制程DRAM的高耐熱核心技術(shù)，為這一領(lǐng)域帶來了歷史性突破。這項(xiàng)以非晶態(tài)銦鎵氧化物材料為核心的創(chuàng)新，不僅攻克了CoP架構(gòu)量產(chǎn)的高溫工藝難題，更以扎實(shí)的穩(wěn)定性數(shù)據(jù)為0a、0b世代DRAM的商用鋪平道路，其對全球存儲芯片行業(yè)的重構(gòu)價(jià)值值得深入關(guān)注。
2025-12-18
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有機(jī)基板 + 精簡引腳，SPHBM4 的雙重技術(shù)突破
SPHBM4在沿用標(biāo)準(zhǔn)HBM4 DRAM核心層、保障容量擴(kuò)展能力的基礎(chǔ)上，通過接口基礎(chǔ)裸片的創(chuàng)新性設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵突破——I/O數(shù)據(jù)引腳數(shù)量銳減至標(biāo)準(zhǔn)HBM4的四分之一。依托有機(jī)基板替代硅基板、更高工作頻率及4:1串行化技術(shù)的協(xié)同作用，這款新型內(nèi)存不僅適配更低凸點(diǎn)間距密度的材料特性，更為提升單一封裝內(nèi)存堆棧數(shù)量、拓展系統(tǒng)總?cè)萘块_辟了新路徑，將對高性能計(jì)算存儲領(lǐng)域產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。
2025-12-12
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國產(chǎn)超強(qiáng)手機(jī)內(nèi)存長鑫LPDDR5X來了
近日，長鑫存儲（CXMT）正式宣布，已成功實(shí)現(xiàn)LPDDR5X系列內(nèi)存芯片的研發(fā)與量產(chǎn)，標(biāo)志著我國在高端移動(dòng)存儲技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵突破。這一里程碑進(jìn)展不僅填補(bǔ)了國產(chǎn)DRAM在旗艦級手機(jī)應(yīng)用中的空白，也意味著國產(chǎn)高端智能手機(jī)正加速擺脫對美韓存儲芯片的長期依賴。
2025-10-27
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華邦電子重新定義AI內(nèi)存：為新一代運(yùn)算打造高帶寬、低延遲解決方案
隨著高效能運(yùn)算（HPC）工作負(fù)載日益復(fù)雜，生成式 AI 正加速整合進(jìn)現(xiàn)代系統(tǒng)，推動(dòng)先進(jìn)內(nèi)存解決方案的需求因此日益增加。為了應(yīng)對這些快速演進(jìn)的需求，業(yè)界正積極發(fā)展新一代內(nèi)存架構(gòu)，致力于提升帶寬、降低延遲，同時(shí)增加電源效能。DRAM、LPDDR 以及利基型內(nèi)存技術(shù)的突破正重新定義運(yùn)算效能，而專為 AI 優(yōu)化的內(nèi)存方案，則扮演了驅(qū)動(dòng)效率與擴(kuò)展性的關(guān)鍵角色。華邦的半定制化超高帶寬元件 (CUBE) 內(nèi)存即是此進(jìn)展的代表，提供高帶寬、低功耗的解決方案，支持 AI 驅(qū)動(dòng)的工作負(fù)載。本文將探討內(nèi)存技術(shù)的最新突破、AI 應(yīng)用日益增長的影響力，以及華邦如何透過策略性布局響應(yīng)市場不斷變化的需求。
2025-08-28
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14.4Gbps 狂飆！Cadence 全球首發(fā) LPDDR6/5X IP 點(diǎn)亮下一代 AI
楷登電子（Cadence，NASDAQ：CDNS）近日成功流片業(yè)界首款LPDDR6/5X內(nèi)存IP系統(tǒng)解決方案，支持14.4Gbps超高速率，較前代LPDDR DRAM性能提升50%。該方案專為新一代AI基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)，可滿足大語言模型（LLM）、智能代理等計(jì)算密集型應(yīng)用對內(nèi)存帶寬與容量的嚴(yán)苛需求。目前，Cadence正與全球頭部AI、高性能計(jì)算（HPC）及數(shù)據(jù)中心客戶展開深度合作，共同推動(dòng)AI算力架構(gòu)的存儲升級。
2025-07-17
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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響，未來可能需要新的DRAM結(jié)構(gòu)來降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結(jié)構(gòu)的寄生電容。結(jié)果表明，與6F2結(jié)構(gòu)相比，4F2結(jié)構(gòu)顯著降低了節(jié)點(diǎn)接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們?nèi)蕴幱谥С制骷_(dá)成目標(biāo)性能的合格水平。相比6F2器件，4F2 DRAM器件的總寄生電容得到有效降低，可能在器件尺寸較小的情況下提供更優(yōu)的性能。
2024-11-20
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DigiKey開售Kingston的內(nèi)存產(chǎn)品和存儲解決方案
DigiKey 宣布與 Kingston Technology（金士頓）合作，向全球分銷其內(nèi)存產(chǎn)品和存儲解決方案。作為全球最大的獨(dú)立存儲器產(chǎn)品制造商之一，Kingston 面向各種規(guī)模的工業(yè)和嵌入式 OEM 客戶，提供包括 eMMC、eMCP、ePoP、UFS 和 DRAM 組件在內(nèi)的各種存儲產(chǎn)品。該公司還提供一系列專為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師和制造者打造的工業(yè)級 SATA 和 NVMe 固態(tài)硬盤 (SSD)。
2024-07-27
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以工藝窗口建模探索路徑：使用虛擬制造評估先進(jìn)DRAM電容器圖形化的工藝窗口
持續(xù)的器件微縮導(dǎo)致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導(dǎo)體研發(fā)階段的關(guān)鍵任務(wù)之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓測試數(shù)據(jù)不足，評估不同集成方案的工藝窗口會變得困難。為克服這一不足，我們將舉例說明如何借助虛擬制造評估 DRAM 電容器圖形化工藝的工藝窗口。
2023-11-29
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DDR5 時(shí)代來臨，新挑戰(zhàn)不可忽視
在人工智能（AI）、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中，我們對數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級增長。面對這種前景，內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時(shí)代的關(guān)鍵“動(dòng)脈”。其中，以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR（Double Data Rate）技術(shù)作為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的重要演進(jìn)，極大地推動(dòng)了計(jì)算機(jī)性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術(shù)誕生，到 2020 年 DDR5，每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個(gè)方面都實(shí)現(xiàn)了顯著的進(jìn)步。
2023-10-20
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為什么消費(fèi)類DRAM無法滿足工業(yè)應(yīng)用需求？
消費(fèi)類DRAM廣泛普及，而且往往物美價(jià)廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費(fèi)類DRAM 在工業(yè)應(yīng)用中的真正危險(xiǎn)和缺陷。在本文中，我們將探討消費(fèi)類DRAM和工業(yè)DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風(fēng)險(xiǎn)。
2023-09-25
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為什么FeFET變得如此有趣？
隨著芯片制造商尋找新的選擇來維持驅(qū)動(dòng)電流，鐵電體正在接受認(rèn)真的重新考慮。鐵電材料可以提供非易失性存儲器，填補(bǔ) DRAM 和閃存之間的重要功能空白。事實(shí)上，用于存儲器的鐵電體和用于晶體管的 2D 溝道是最近 IEEE 電子設(shè)備會議的兩個(gè)亮點(diǎn)。
2022-12-30
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SPARC：用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)
泛林集團(tuán)發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù)，用于制造具有改進(jìn)電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結(jié)構(gòu)中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進(jìn)一步處理。SPARC 將泛林無與倫比的等離子技術(shù)與化學(xué)和工藝工程相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了先進(jìn)邏輯和 DRAM 集成設(shè)計(jì)的進(jìn)一步發(fā)展。
2022-10-09
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