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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會(huì)對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響，未來(lái)可能需要新的DRAM結(jié)構(gòu)來(lái)降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問(wèn)晶體管 (VCAT) DRAM結(jié)構(gòu)的寄生電容。結(jié)果表明，與6F2結(jié)構(gòu)相比，4F2結(jié)構(gòu)顯著降低了節(jié)點(diǎn)接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們?nèi)蕴幱谥С制骷_(dá)成目標(biāo)性能的合格水平。相比6F2器件，4F2 DRAM器件的總寄生電容得到有效降低，可能在器件尺寸較小的情況下提供更優(yōu)的性能。
2024-11-20
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DigiKey開(kāi)售Kingston的內(nèi)存產(chǎn)品和存儲(chǔ)解決方案
DigiKey 宣布與 Kingston Technology（金士頓）合作，向全球分銷其內(nèi)存產(chǎn)品和存儲(chǔ)解決方案。作為全球最大的獨(dú)立存儲(chǔ)器產(chǎn)品制造商之一，Kingston 面向各種規(guī)模的工業(yè)和嵌入式 OEM 客戶，提供包括 eMMC、eMCP、ePoP、UFS 和 DRAM 組件在內(nèi)的各種存儲(chǔ)產(chǎn)品。該公司還提供一系列專為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師和制造者打造的工業(yè)級(jí) SATA 和 NVMe 固態(tài)硬盤 (SSD)。
2024-07-27
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以工藝窗口建模探索路徑：使用虛擬制造評(píng)估先進(jìn)DRAM電容器圖形化的工藝窗口
持續(xù)的器件微縮導(dǎo)致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來(lái)越窄[1]。半導(dǎo)體研發(fā)階段的關(guān)鍵任務(wù)之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)不足，評(píng)估不同集成方案的工藝窗口會(huì)變得困難。為克服這一不足，我們將舉例說(shuō)明如何借助虛擬制造評(píng)估 DRAM 電容器圖形化工藝的工藝窗口。
2023-11-29
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DDR5 時(shí)代來(lái)臨，新挑戰(zhàn)不可忽視
在人工智能（AI）、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中，我們對(duì)數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。面對(duì)這種前景，內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時(shí)代的關(guān)鍵“動(dòng)脈”。其中，以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR（Double Data Rate）技術(shù)作為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的重要演進(jìn)，極大地推動(dòng)了計(jì)算機(jī)性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術(shù)誕生，到 2020 年 DDR5，每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個(gè)方面都實(shí)現(xiàn)了顯著的進(jìn)步。
2023-10-20
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為什么消費(fèi)類DRAM無(wú)法滿足工業(yè)應(yīng)用需求？
消費(fèi)類DRAM廣泛普及，而且往往物美價(jià)廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費(fèi)類DRAM 在工業(yè)應(yīng)用中的真正危險(xiǎn)和缺陷。在本文中，我們將探討消費(fèi)類DRAM和工業(yè)DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風(fēng)險(xiǎn)。
2023-09-25
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為什么FeFET變得如此有趣？
隨著芯片制造商尋找新的選擇來(lái)維持驅(qū)動(dòng)電流，鐵電體正在接受認(rèn)真的重新考慮。鐵電材料可以提供非易失性存儲(chǔ)器，填補(bǔ) DRAM 和閃存之間的重要功能空白。事實(shí)上，用于存儲(chǔ)器的鐵電體和用于晶體管的 2D 溝道是最近 IEEE 電子設(shè)備會(huì)議的兩個(gè)亮點(diǎn)。
2022-12-30
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SPARC：用于先進(jìn)邏輯和 DRAM 的全新沉積技術(shù)
泛林集團(tuán)發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術(shù)，用于制造具有改進(jìn)電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結(jié)構(gòu)中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進(jìn)一步處理。SPARC 將泛林無(wú)與倫比的等離子技術(shù)與化學(xué)和工藝工程相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了先進(jìn)邏輯和 DRAM 集成設(shè)計(jì)的進(jìn)一步發(fā)展。
2022-10-09
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貿(mào)澤電子與Innodisk簽訂全球分銷協(xié)議，提供工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品
2022年6月6日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Innodisk簽訂新的分銷協(xié)議。Innodisk（宜鼎國(guó)際）是工業(yè)級(jí)嵌入式閃存與DRAM存儲(chǔ)產(chǎn)品和技術(shù)的知名供應(yīng)商，專注于企事業(yè)單位以及工業(yè)、醫(yī)療與航空航天等行業(yè)。
2022-06-06
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Xilinx FPGA DDR3設(shè)計(jì)（一）DDR3基礎(chǔ)掃盲
DDR3 SDRAM 全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。雙倍速率（double-data-rate），是指時(shí)鐘的上升沿和下降沿都發(fā)生數(shù)據(jù)傳輸；同步，是指DDR3數(shù)據(jù)的讀取寫入是按時(shí)鐘同步的；動(dòng)態(tài)，是指DDR3中的數(shù)據(jù)掉電無(wú)法保存，且需要周期性的刷新，才能保持?jǐn)?shù)據(jù)；隨機(jī)，是指可以隨機(jī)操作任一地址的數(shù)據(jù)。
2022-05-12
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SRII推出兩款A(yù)LD新品，滿足泛半導(dǎo)體應(yīng)用多功能性和靈活性的需求
原子層沉積（ALD）工藝被認(rèn)為是邏輯和存儲(chǔ)半導(dǎo)體器件微縮化的重要推動(dòng)力。過(guò)去20年，ALD工藝及設(shè)備已經(jīng)廣泛應(yīng)用于邏輯和存儲(chǔ)器件的大批量制造，不斷推動(dòng)諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）、先進(jìn)的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）以及柵極環(huán)繞晶體管等器件性能的改進(jìn)與創(chuàng)新。隨著摩爾定律放緩，ALD工藝逐漸滲透到更多應(yīng)用領(lǐng)域，如超摩爾(More-than-Moore，MtM)器件的生產(chǎn)中，正在推動(dòng)新的架構(gòu)、材料和性能的改進(jìn)。
2022-01-26
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微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對(duì)器件性能的影響：對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過(guò)程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對(duì)于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
2021-08-23
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美光率先于業(yè)界推出 1α DRAM 制程技術(shù)
2021年 1 月 27 日，中國(guó)上海 — 內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU) 今日宣布批量出貨基于 1α (1-alpha) 節(jié)點(diǎn)的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進(jìn)的 DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。這是繼最近首推全球最快顯存和 176 層 NAND 產(chǎn)品后，美光實(shí)現(xiàn)的又一突破性里程碑，進(jìn)一步加強(qiáng)了公司在業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)力。
2021-01-27
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