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能源電力

可變/微調(diào)電容終極指南：從MEMS原理到國(guó)產(chǎn)替代選型策略

在當(dāng)今追求精密頻率控制的電子系統(tǒng)中，可變/微調(diào)電容已從簡(jiǎn)單的輔助元件躍升為射頻前端和高精度電路的關(guān)鍵“調(diào)諧大師”。這類(lèi)元件通過(guò)動(dòng)態(tài)調(diào)整電容值，使電路能夠在復(fù)雜環(huán)境變化中保持最佳工作狀態(tài)。根據(jù)Verified Market Reports數(shù)據(jù)，2022年全球可變電容市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)7.6億美元，預(yù)計(jì)2030年將增長(zhǎng)至11...

2025-07-09

可變/微調(diào)電容 MEMS可變電容壓控變?nèi)荻O管數(shù)字電容陣列

帶寬可調(diào)+毫米波集成：緊湊型濾波器技術(shù)全景解析

射頻濾波器作為通信系統(tǒng)的“信號(hào)守門(mén)人”，正經(jīng)歷前所未有的技術(shù)躍遷。2024年，隨著信維通信獲得“帶寬可調(diào)的緊湊型帶通濾波器”專(zhuān)利授權(quán)（CN221885347U），行業(yè)迎來(lái)突破性進(jìn)展——該技術(shù)通過(guò)微帶線與變?nèi)荻O管的創(chuàng)新組合，實(shí)現(xiàn)了帶寬靈活調(diào)節(jié)與尺寸縮減的雙重突破1。與此同時(shí)，貴陽(yáng)信絡(luò)電子推出的275MHz...

2025-07-03

緊湊型濾波器 5G基站射頻濾波器毫米波濾波器 LTCC濾波器技術(shù) 射頻前端集成 TSV射頻集成

硬件加速+安全加密：三合一MCU如何簡(jiǎn)化電機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

電機(jī)控制技術(shù)正經(jīng)歷一場(chǎng)靜默革命。隨著工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人和新能源汽車(chē)等領(lǐng)域?qū)﹄姍C(jī)性能要求的不斷提升，傳統(tǒng)通用微控制器已難以滿足高效率、高精度、低延遲的控制需求。新一代專(zhuān)用電機(jī)控制MCU通過(guò)異構(gòu)架構(gòu)、硬件加速算法和集成化開(kāi)發(fā)環(huán)境，正在從根本上重構(gòu)電機(jī)設(shè)計(jì)范式，使復(fù)雜電機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)周期縮...

2025-07-02

電機(jī)控制MCU 無(wú)刷直流電機(jī)控制嵌入式電機(jī)設(shè)計(jì) 高精度PWM輸出伺服驅(qū)動(dòng)器方案電機(jī)控制算法

全局快門(mén)CMOS傳感器選型指南：從分辨率到HDR的終極考量

在高速視覺(jué)應(yīng)用的競(jìng)技場(chǎng)中，全局快門(mén)CMOS圖像傳感器扮演著關(guān)鍵角色。當(dāng)設(shè)計(jì)需要捕捉高速動(dòng)態(tài)場(chǎng)景的方案時(shí)，僅僅關(guān)注分辨率或幀率遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。傳感器的核心特性——尤其是其快門(mén)機(jī)制——直接決定了能否無(wú)失真地“凍結(jié)”瞬間。深入理解全局快門(mén)在高速環(huán)境下的優(yōu)勢(shì)，并權(quán)衡光學(xué)格式、動(dòng)態(tài)范圍、噪聲表現(xiàn)（SNR）...

2025-07-01

安森美圖像傳感器全局快門(mén) CMOS CMOS圖像傳感器高速圖像傳感器

選對(duì)扼流圈，EMC不再難！關(guān)鍵參數(shù)深度解析

在電子設(shè)備日益精密且電磁環(huán)境日趨復(fù)雜的今天，共模扼流圈（Common Mode Choke，CMC）作為抑制共模噪聲、確保設(shè)備電磁兼容性（EMC）的關(guān)鍵屏障，其選型正確與否直接關(guān)乎系統(tǒng)穩(wěn)定與合規(guī)認(rèn)證。面對(duì)市場(chǎng)上型號(hào)繁雜的扼流圈，工程師如何撥開(kāi)迷霧，精準(zhǔn)鎖定最適合的那一款？本文提供一套系統(tǒng)、實(shí)用的選...

2025-06-30

共模扼流圈選型共模扼流圈選擇共模扼流圈型號(hào) CMC選型 EMI濾波器選型

3μV噪聲極限！正弦波發(fā)生器電源噪聲凈化的七階降噪術(shù)

當(dāng)10MHz正弦波的電源抑制比（PSRR）下降20dB，輸出信號(hào)總諧波失真（THD）將惡化10倍！高頻開(kāi)關(guān)電源的百mV級(jí)紋波、LDO基準(zhǔn)源的μV級(jí)噪聲，甚至PCB地彈效應(yīng)，都可能在輸出頻譜上產(chǎn)生-60dBc的雜散。本文揭示三類(lèi)電源噪聲（低頻紋波/高頻開(kāi)關(guān)/地回路干擾）的耦合路徑，并提供從芯片級(jí)到系統(tǒng)級(jí)的七重凈化...

2025-06-30

正弦波發(fā)生器正弦波電源降噪 LDO選型指南開(kāi)關(guān)電源濾波電池供電系統(tǒng) 電源抑制比提升 PCB接地設(shè)計(jì)

低至0.0003%失真！現(xiàn)代正弦波發(fā)生器如何突破純度極限

在5G通信測(cè)試、醫(yī)療超聲設(shè)備及高精度傳感器校準(zhǔn)領(lǐng)域，正弦波純度直接決定系統(tǒng)性能邊界——當(dāng)總諧波失真（THD）超過(guò)-80dBc時(shí)，5G毫米波EVM指標(biāo)將惡化40%以上。傳統(tǒng)RC振蕩器因溫度漂移與非線性限制，難以突破0.1%失真瓶頸?，F(xiàn)代正弦波發(fā)生器通過(guò)維恩電橋拓?fù)涓镄?、正交?shù)字合成及自適應(yīng)穩(wěn)幅技術(shù)，將THD...

2025-06-27

正弦波發(fā)生器低失真正弦波發(fā)生器維恩電橋振蕩器 DDS信號(hào)源正交振蕩器設(shè)計(jì) THD優(yōu)化技術(shù)

一文讀懂SiC Combo JFET技術(shù)

安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開(kāi)關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)景。

2025-06-26

安森美 SiC JFET并聯(lián)技術(shù) 固態(tài)斷路器解決方案大電流SiC JFET Combo JFET結(jié)構(gòu)

控制回路仿真入門(mén)：LTspice波特圖分析詳解

在電源設(shè)計(jì)中，控制回路的穩(wěn)定性是確保電源可靠運(yùn)行的關(guān)鍵。一個(gè)設(shè)計(jì)不當(dāng)?shù)目刂苹芈房赡軐?dǎo)致電源振蕩、輸出紋波過(guò)大，甚至降低電磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的響應(yīng)速度直接影響到電源對(duì)負(fù)載變化和輸入電壓波動(dòng)的適應(yīng)能力。為了確保電源的穩(wěn)定性和高效性，控制回路的仿真分析至關(guān)重要。

2025-06-25

LTspice 波特圖分析控制回路仿真開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器電源穩(wěn)定性優(yōu)化相位裕度增益帶寬

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