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瑞薩600V耐壓超結(jié)MOSFET導(dǎo)通電阻僅為150mΩ

文件來源：電子元件技術(shù)網(wǎng)
文件類型：pdf
更新時(shí)間：2012-07-11
文件大?。?0K

瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。

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