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電路保護(hù)

TE5和TR5:Littelfuse電子鎮(zhèn)流器應(yīng)用超小型保險(xiǎn)絲

Littelfuse (美國(guó)力特公司）推出2款全新的面向熒光照明中電子鎮(zhèn)流器應(yīng)用的超小型延時(shí)、徑向引線保險(xiǎn)絲系列

2009-01-29

美國(guó)力特電子整流器保險(xiǎn)絲

為大功率和混合動(dòng)力汽車優(yōu)化的Vishay負(fù)載突降保護(hù)器件

現(xiàn)在汽車上的電子設(shè)備越來(lái)越多，所有連接在供電線路上的電子系統(tǒng)的保護(hù)器件不可能平均分擔(dān)瞬態(tài)能量。瞬態(tài)能量對(duì)連接的那些最低阻抗的保護(hù)器件的影響尤為嚴(yán)重。因此，在汽車電子設(shè)計(jì)中，一個(gè)保護(hù)器件要能夠安全地承受負(fù)載突降狀態(tài)瞬變的全部能量。本文介紹了負(fù)載突降的概念和該如何去應(yīng)對(duì)該種情況以...

2009-01-25

負(fù)載突降 TVS 混合動(dòng)力汽車 Vishay 電路保護(hù)

淺析ESD防護(hù)與ESD防護(hù)器件

ESD會(huì)對(duì)電子產(chǎn)品帶來(lái)致命損害，本文介紹了防止ESD產(chǎn)生和保護(hù)電子設(shè)備不受ESD損害的方法。并專門介紹了瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)在ESD保護(hù)方面的卓越性能。

2009-01-23

MLV TVS ESD 靜電電路保護(hù) 安森美

多晶硅量子效應(yīng)及其對(duì)MOSFET閾值電壓的影響

根據(jù)載流子分布曲線近似，通過(guò)求解泊松方程，得到了多晶硅中電場(chǎng)及其電勢(shì)的分布，計(jì)算了在不同摻雜濃度下多晶硅量子效應(yīng)所引起的MOSFET閾值電壓的偏移，并與數(shù)值模擬的結(jié)果進(jìn)行了比較，表明其具有較好的準(zhǔn)確性

2009-01-17

多晶硅量子 MOSFET 閾值電壓

3G手機(jī)LED顯示屏與攝像模塊的ESD保護(hù)技術(shù)

在3G時(shí)代，手機(jī)多媒體業(yè)務(wù)的進(jìn)一步導(dǎo)入將使LCD顯示屏和攝像頭的分辨率邁上新臺(tái)階?，F(xiàn)有的顯示和攝像模塊與基帶電路或者多媒體處理器之間通過(guò)柔性電纜進(jìn)行的并行連接將變得擁擠，同時(shí)EMI問(wèn)題也變得非常關(guān)鍵。為了解決這些問(wèn)題，一些顯示器制造商、半導(dǎo)體廠商和攝像模塊制造商已經(jīng)開發(fā)了高速串行總線...

2009-01-15

3G 手機(jī) 并行接口串行接口 ESD EMI ST

HUBER+SUHNER推出新款電磁保護(hù)連接器

HUBER+SUHNER日前推出一款電磁保護(hù)連接器，它優(yōu)化的設(shè)計(jì)能承受高電流而且能減少接觸電阻，現(xiàn)在，雷電電磁保護(hù)器(LEMP)頻率高達(dá)6GHz、核電磁脈沖保護(hù)器(NEMP)和高幅電磁脈沖保護(hù)器(HEMP)已經(jīng)能廣泛適用民用和軍事領(lǐng)域。

2009-01-05

電磁保護(hù) 電磁保護(hù)連接器電磁保護(hù)器

用協(xié)同電路保護(hù)技術(shù)保護(hù)繼電器

介紹有可能損壞繼電器的幾種情況和可以保護(hù)繼電器的方法和元器件。其中，PPTC可以防止過(guò)流對(duì)繼電器的損害，MOV、MLV等過(guò)壓保護(hù)器件可以防止電壓過(guò)大對(duì)繼電器造成的損害。

2008-12-31

繼電器保護(hù)電路 PPTC MOV MLV

ESDALCxx-1U2系列：ST全新ESD保護(hù)二極管

意法半導(dǎo)體推出全新ESD保護(hù)二極管產(chǎn)品系列，新產(chǎn)品的尺寸比上一代縮小 67%，能夠承受最嚴(yán)格的IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的 ESD測(cè)試脈沖，低鉗位電壓特性有助于提高對(duì)調(diào)制解調(diào)器等低壓芯片的保護(hù)性能。

2008-12-29

ESDALC3V9-1U2 ESDALC6V1-1U2 ESDALC14V2-1U2 ESDALCxx-1U2 ESD保護(hù) 二極管保護(hù)器件漏電流電容

愛(ài)普科斯MLCC家族添新丁，防靜電版本誕生

愛(ài)普科斯新型E系列多層陶瓷電容器為高度堅(jiān)固元件，采用X7R材料制作而成，其抗靜電放電脈沖能力與標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)相比更加卓越。

2008-12-24

MLCC 靜電保護(hù) ESD AEC-Q200

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