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電路保護

加強ESD保護的技巧

ESD 器件的主要目的是提供電阻最低的接地分流路徑。在本文章中，我們將介紹各種技巧，電路板設計者可以用它們幫助自己實現(xiàn)設計所需的ESD等級，從而保證所選的ESD保護器件能夠通過在系統(tǒng)ESD測試。

2010-11-04

ESD 電路保護 LESD LGND

IGBT高壓大功率驅(qū)動和保護電路的應用研究

本文主要通過對功率器件IGBT的工作特性分析、驅(qū)動要求和保護方法等討論，介紹了的一種可驅(qū)動高壓大功率IGBT的集成驅(qū)動模塊HCPL-3I6J的應用。

2010-11-03

IGBT 高壓大功率驅(qū)動保護電路

汽車電子保護電路設計

車環(huán)境對電子產(chǎn)品而言是非?？量痰模喝魏芜B接到12V電源上的電路都必須工作在9V至16V的標稱電壓范圍內(nèi)，其它需要迫切應對的問題包括負載突降、冷車發(fā)動、電池反向、雙電池助推、尖峰信號、噪聲和極寬的溫度范圍。

2010-11-02

汽車電子保護電路無源保護電路敏感電路

鋰電池保護IC測試電路的設計

目前市場上已經(jīng)出現(xiàn)了專用的鋰電池保護板測試儀，但價格普遍偏高，并且測試時必須先將IC焊接在電路板上。因此，本文中設計了一個簡單的測試電路，借助普通的電子儀器就可以完成對鋰電池保護IC的測試。

2010-11-01

鋰電池保護IC 測試電路

飛兆開發(fā)出頂部冷卻的Dual Cool封裝用于MOSFET器件

為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導體公司 (FaIRchild SemicONductor) 開發(fā)出用于MOSFET 器件的Dual Cool封裝，Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術(shù)的頂部冷卻PQFN器件，可以通過封裝的頂部實現(xiàn)額外的功率耗散。

2010-11-01

Dual Cool封裝 MOSFET器件 PQFN器件飛兆半導體

UMZ 250：SCHURTER擴大SMD保險絲額定電流范圍適用于電路保護

SCHURTER擴大了250 VAC、IEC時間滯后小型SMD保險絲UMZ 250的額定電流。這款帶有接線柱的SMD保險絲現(xiàn)在可有從80 mA到4 A的18種不同額定電流。這是范圍從0.08A 到0.25A的6種額定電流選擇的一種擴展。

2010-10-28

UMZ 250 SMD保險絲 SCHURTER 電路保護

泰科電子推出表面貼裝PolySwitch器件針對汽車電子產(chǎn)品小型化趨勢

泰科電子（Tyco Electronics）近天宣布其PolySwitch系列中nanoASMD、microASMD、miniASMD、ASMD和AHS表面貼裝產(chǎn)品 (SMD)已經(jīng)通過認證，可以幫助汽車制造商達到行業(yè)安全和可靠性標準，同時降低了系統(tǒng)成本和提高了電子設計的效率和可靠性。這些汽車等級 PolySwitch器件已經(jīng)通過汽車行業(yè)AEC-Q200標準對...

2010-10-28

泰科 PolySwitch 汽車電子小型化

靜電對家電制造的影響以及設計預防

現(xiàn)在，靜電已成了人們的親密“伴侶”，對這種放電現(xiàn)象已經(jīng)習慣，盡管它有時給人們帶來不適，但這一切對人體來說并沒有產(chǎn)生什么直接的危害。但對于電子設備而言卻不同了，半導體器件的高密度、高增益對靜電放電越來越敏感，MOS 電路的擊穿僅為100 V，而新的器件僅為30 V 左右。靜電放電(ESD)的危害性及...

2010-10-28

靜電防護 RC電路單二極管電路 RCD電路

信息化設備的防雷技術(shù)

闡述了雷擊電磁脈沖(LEMP)對信息設備的危害。以計算及實例說明LEMP的危害與雷擊點的距離成反比。雷擊概Ⅳ與雷擊點高度h的平方成正比。Ⅳ 越高，LEMP的危害就越大。LEMP是信息防雷的重點，應采取屏蔽接地技術(shù)。有效防止LEMP的入侵，完善信息防雷保護，提高抗LEMP的能力。

2010-10-27

雷擊電磁脈沖常規(guī)防雷信息防雷雷擊概率直擊雷保護電子信息系統(tǒng)屏蔽接地技術(shù)

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