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電路保護(hù)

突破傳統(tǒng)的IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計(jì)

目前，在使用和設(shè)計(jì)IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設(shè)計(jì)模式——所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題。本文將突破傳統(tǒng)的保護(hù)方式，探討IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計(jì)的解決方案。

2013-03-25

IGBT 電路設(shè)計(jì) 電路保護(hù)

TSPD與PPTC在雷電防護(hù)電路中的應(yīng)用

雷電防護(hù)器件有很多種，其特性各有不同。本文以TSPD和PPTC為例，對(duì)這兩種保護(hù)器件的應(yīng)用特性和注意事項(xiàng)以及防護(hù)原理都給出了很詳細(xì)的講解，看這兩種器件到底有什么厲害之處。

2013-03-22

雷電防護(hù) PPTC TSPD

【設(shè)計(jì)攻略】USB 3.0的電路保護(hù)

USB 3.0的高速傳輸已經(jīng)增加的電流和供電能力意味著需要新的電路保護(hù),本文介紹一了經(jīng)過改進(jìn)的電路保護(hù)方法，可以幫助保護(hù)USB 3.0應(yīng)用免受過流、過壓及ESD瞬態(tài)電壓帶來的損害。

2013-03-22

USB 3.0 電路保護(hù) 設(shè)計(jì)攻略

應(yīng)用在電源管理中的肖特基二極管

很多設(shè)計(jì)都采用一個(gè)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)（網(wǎng)絡(luò)）工具推薦的二極管。這并非總是二極管的最優(yōu)選擇。本文將探討一些在選擇正確的二極管時(shí)應(yīng)仔細(xì)考慮的典型參數(shù)，以及如何應(yīng)用這些參數(shù)來快速確定選型的正確與否。

2013-03-22

電源管理肖特基二極管熱逃逸

變壓器過電壓抑制介紹

變壓器因雷電過電壓造成的事故還時(shí)有發(fā)生，提出將高頻磁環(huán)并聯(lián)阻尼電阻后串接在線路的適當(dāng)位置來抑制變電站變壓器雷電過電壓的方法，通過振蕩回路的試驗(yàn)和仿真建立了高頻磁環(huán)的EMTP仿真計(jì)算模型。

2013-03-22

變壓器過電壓抑制

可將元件損失降低50%的肖特基勢(shì)壘二極管

東芝將量產(chǎn)SiC制肖特基勢(shì)壘二極管，可將元件損失降低50%以上。新產(chǎn)品可用于服務(wù)器電源、光伏發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器等用途，新產(chǎn)品的反向重復(fù)峰值電壓VRRM為650V，平均正向電流IFM為12A，正向電壓VF為1.7V，反向重復(fù)峰值電流IRRM為90μA。

2013-03-22

肖特基勢(shì)壘二極管損耗量產(chǎn)

2013中韓LED照明產(chǎn)業(yè)高峰論壇在蓉勝利閉幕

日前，“2013中韓LED產(chǎn)業(yè)高峰論壇”在成都世紀(jì)城新國(guó)際會(huì)展中心4-5會(huì)議室圓滿落幕，中韓專家悉數(shù)到場(chǎng)做了精彩報(bào)告，論壇吸引了超過3000人次的關(guān)注，大批LED行業(yè)專業(yè)人士和企業(yè)代表出席并參加了論壇。

2013-03-21

2013中韓LED產(chǎn)業(yè)高峰論壇,LED行業(yè)

怎樣計(jì)算晶振的負(fù)載電容

各種邏輯芯片的晶振引腳可以等效為電容三點(diǎn)式振蕩器。晶振引腳的內(nèi)部通常是一個(gè)反相器，或者是奇數(shù)個(gè)反相器串聯(lián)。在晶振輸出引腳XO和晶振輸入引腳XI之間用一個(gè)電阻連接。

2013-03-21

計(jì)算晶振負(fù)載電容

新開發(fā)的片狀多層陶瓷電容器

京瓷開發(fā)出全球首創(chuàng)的片狀多層陶瓷電容器，主要用于工業(yè)設(shè)備，具有較小的尺寸和耐高壓及高靜電容量性能。新產(chǎn)品(CM316X7S475M100V)采用京瓷多年積累的材料技術(shù)對(duì)介質(zhì)材料進(jìn)行改善。

2013-03-20

片狀多層陶瓷電容器耐高壓高靜電容量

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