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電路保護

設(shè)計技巧：RF電路與天線的EMC設(shè)計

電磁干擾在電子系統(tǒng)與設(shè)備中無處不在，因此如何使電子系統(tǒng)與設(shè)備滿足電磁兼容（EMC）的要求是一項關(guān)鍵技術(shù)。隨著射頻和微波領(lǐng)域的高速發(fā)展，工程師們也越來越關(guān)注RF電路設(shè)計技巧…

2013-07-10

RF 電磁干擾 EMC 干擾射頻

很貴很脆弱？數(shù)字邏輯器件的保護該這樣做！

中間電源總線上輸入浪涌、在制造過程中混入水貨或假冒電容器……總是很容易使昂貴的新型數(shù)字處理器面臨過壓風險，甚至使 FPGA、ASIC 或微處理器遭受永久性損壞或起火。不想遭遇這些損失？本文教你一個簡單的方法。

2013-07-05

數(shù)字邏輯器件保護器件保護電路保護

如何使用數(shù)字隔離器簡化隔離系統(tǒng)設(shè)計

工業(yè)環(huán)境中的測量器件往往需要進行隔離以確保安全。利用數(shù)字隔離器，可以優(yōu)化隔離系統(tǒng)設(shè)計、降低功耗、保證系統(tǒng)性能，同時無需借助額外的設(shè)計裕量來補償缺失或不完整的器件規(guī)格。本文將介紹使用數(shù)字隔離器進行隔離測量儀器的設(shè)計。

2013-07-03

隔離隔離器隔離系統(tǒng) 數(shù)字隔離器

SiC和GaN，新興功率器件如何選？

新興的SiC和GaN功率器件市場未來10年預(yù)計增長18倍，主要需求市場是電源、光伏逆變器和工業(yè)電機驅(qū)動。SiC肖特基二極管已經(jīng)有10年以上歷史，但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出現(xiàn)，GaN功率器件更是剛剛才在市場上出現(xiàn)。他們誰會成為未來新興功率器件市場的主角？我們現(xiàn)在應(yīng)該選用他們嗎？

2013-06-19

功率器件 SiC BJT SiC

巧避兩大因素，延長CMOS使用壽命

對于模擬CMOS而言，有兩大主要危害，其一是靜電，其二是過壓。因此，要做好CMOS的保護，就需從這兩大主要因素入手，避免錯誤地使用CMOS，從而延長CMOS的使用壽命。本文將介紹該如何有效應(yīng)對這兩大危害。

2013-06-19

CMOS 電路 CMOS器件靜電過壓

保護LED免受EOS損傷的兩大防護方案對比

LED 器件很容易受到EOS的損傷，這種損壞有時能夠直接擊壞器件造成失效。本文講到的兩種EOS防護方案，一是用TVS穩(wěn)壓管來進行保護，另一種則是采用PolyZen系列元器件，兩種方案孰優(yōu)孰劣？請看下文。

2013-06-18

EOS LED 電路保護保護器件 PolyZen

防止鋰離子電池組短路新方法

鋰離子電池存在短路風險，而對于動力電池組而言，其多達幾百甚至上萬節(jié)的鋰離子電池更是大大增加了其發(fā)生短路的概率，而一旦短路將極易導致惡性事故的發(fā)生，因此做好鋰離子電池組短路保護十分重要且必要。

2013-06-07

電池短路鋰離子電池

能降低成本的三端并聯(lián)穩(wěn)壓器

在電源變換器設(shè)計中往往使用價格較高的傳統(tǒng)運算放大器，而本文主要通過實例說明怎樣用一個較之廉價的三端并聯(lián)穩(wěn)壓器去實現(xiàn)同樣的功能。

2013-06-01

并聯(lián)穩(wěn)壓器 TL431 三端穩(wěn)壓器

基于TE mini array 的ESD防護設(shè)計

IC的集成度越來越高，但唯獨 ESD 防護功能無法集成，卻變得更為敏感。因此對于IC的ESD防護也十分重要且必不可少。本文將講解基于TE的ESD靜電防護產(chǎn)品mini array在USB3.0及HDMI1.4接口的ESD防護設(shè)計。

2013-05-23

ESD TE 靜電防護 USB

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