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互連技術(shù)

設(shè)計放大器時，振蕩常見原因以及補救方法

模擬電路設(shè)計師在設(shè)計放大器時，為了使其穩(wěn)定，煞費苦心。然而在真實世界中，總是有很多情況引起放大器振蕩——不同類型的負(fù)載可能使放大器振鳴；設(shè)計不當(dāng)?shù)姆答伨W(wǎng)絡(luò)可能引起不穩(wěn)定性；電源旁路不夠充分也可能引起問題；輸入和輸出作為單端口系統(tǒng)也還可能自振蕩……

2018-03-20

放大器耦合器 LTC6268

多樣化的電容器不斷涌現(xiàn)，區(qū)別關(guān)鍵在于介質(zhì)

區(qū)別在于介質(zhì)的不同、性能不同、容量不同、結(jié)構(gòu)不同致使用環(huán)境和用途也不同。反過來講，人們根據(jù)生產(chǎn)實踐需要，實驗制造了各種功能的電容器來滿足各種電器的正常運行和新設(shè)備的運轉(zhuǎn)。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和新材料的發(fā)掘，更優(yōu)質(zhì)、多樣化的電容器會不斷涌現(xiàn)。

2018-03-19

電容器介質(zhì)

繼電器的振動，可讓MOSFET在開關(guān)關(guān)閉時被破壞

請注意由于與繼電器控制并聯(lián)的機械開關(guān)而產(chǎn)生的瞬態(tài)電壓。當(dāng)驅(qū)動感性負(fù)載時，不要將機械開關(guān)與MOSFET并聯(lián)。當(dāng)繼電器關(guān)閉時，由于繼電器的啟動時間短，產(chǎn)生了高的瞬態(tài)電壓(dv/dt)，這通常是由于產(chǎn)生了大量的dv/dt而累積起來的。

2018-03-16

繼電器 MOSFET 開關(guān)

促進粵港澳大灣區(qū)的創(chuàng)新意念及企業(yè)精神-艾睿電子創(chuàng)科論壇及展示會

艾睿電子在深圳舉辦了其年度「艾睿電子創(chuàng)科論壇及展示會」，旨在響應(yīng)國家深入實施創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，科技創(chuàng)新引領(lǐng)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展，把香港及深圳兩地的初創(chuàng)公司及創(chuàng)客與大灣區(qū)乃至全球主要新興的科技公司聯(lián)系起來，推動行業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新。

2018-03-15

艾睿電子創(chuàng)新意念企業(yè)精神

一文讀懂，晶振為什么會發(fā)生停振？

在遇到事情是要以一分為二，對于晶振也不例外，應(yīng)從內(nèi)外因不同的角度來分析晶振停振。下面我們以內(nèi)外因來分析晶振停振。

2018-03-15

晶振停振

開關(guān)三極管，加速電容的分析！

由于電荷存儲效應(yīng)，晶體管BE之間有一接電容，與Rb構(gòu)成RC電路，時間常數(shù)較大影響了晶體管的導(dǎo)通和截至速度（即開關(guān)速度）。

2018-03-15

電容開關(guān)三極管

Qorvo助力窄帶物聯(lián)網(wǎng)快速部署

Qorvo, Inc.致力于通過加強現(xiàn)有移動蜂窩網(wǎng)絡(luò)的連接性能，進一步降低網(wǎng)絡(luò)供應(yīng)商部署物聯(lián)網(wǎng)的難度。Qorvo 的現(xiàn)有小信號產(chǎn)品組合性能卓越，可以協(xié)助網(wǎng)絡(luò)供應(yīng)商在早期階段使用 900 MHz 頻段擴建網(wǎng)絡(luò)。

2018-03-14

Qorvo 物聯(lián)網(wǎng)

解析高壓IGBT模塊在濕度影響下的壽命預(yù)估模型

本文介紹了高壓IGBT模塊在濕度影響下的壽命預(yù)估模型。此模型涉及的濕度加速因子是從溫濕偏置試驗中提取的；高壓IGBT的溫濕偏置試驗在不同的濕度和不同的電壓下進行測試，目的是為了找出濕度和電壓對高壓IGBT壽命的影響。最終，我們把濕度和電壓對高壓IGBT壽命的影響以及溫度因數(shù)都集成到壽命預(yù)估模...

2018-03-14

電容電解電容

MOS管柵極驅(qū)動電阻如何優(yōu)化設(shè)計？

MOS管的驅(qū)動對其工作效果起著決定性的作用。設(shè)計師既要考慮減少開關(guān)損耗，又要求驅(qū)動波形較好即振蕩小、過沖小、EMI小。這兩方面往往是互相矛盾的，需要尋求一個平衡點，即驅(qū)動電路的優(yōu)化設(shè)計。

2018-03-14

MOS管柵極驅(qū) 驅(qū)動電阻

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