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在便攜應(yīng)用中采用TVS二極管進(jìn)行ESD保護(hù)

本文介紹了手機(jī)中的ESD保護(hù)部分，ESD在設(shè)計中的選擇，TVS二極管的優(yōu)勢、工作原理和基本參數(shù)選擇，TVS二極管在超高速數(shù)據(jù)線路保護(hù)中的應(yīng)用，PCB設(shè)計時的考慮。

2008-10-23

ESD TVS二極管 PCB設(shè)計

江西首個多晶硅生產(chǎn)項目在樟樹正式投產(chǎn)

10月23日，引進(jìn)世界領(lǐng)先技術(shù)、一期總投資達(dá)5000萬美元，年產(chǎn)多晶硅500噸、三氯氫硅1.6萬噸的江西通能硅材料有限公司多晶硅生產(chǎn)項目在江西樟樹正式投產(chǎn)，這是江西省首個投產(chǎn)的多晶硅生產(chǎn)項目。

2008-10-23

多晶硅三氯氫硅

ESD分析工具——傳輸線路脈沖(TLP)

本文主要介紹了一種研究電流和時域ESD事件下的集成電路技術(shù)和電路行為的方法——傳輸線路脈沖（TLP），首先闡釋了時域反射TLP系統(tǒng)，接著舉例進(jìn)一步解釋TLP的使用，最后指明了TLP的多方面用途。

2008-10-23

ESD測試工具 TLP

SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET

日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。

2008-10-23

SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET

過壓保護(hù)的備用電路: 技巧和竅門

過壓保護(hù)(OVP)器件用于保護(hù)后續(xù)電路免受甩負(fù)載或瞬間高壓的破壞，在某些特定的應(yīng)用中，基本的過壓保護(hù)電路不足以勝任器件保護(hù)的要求，通常有以下兩種需求。第一，電路的最大輸入電壓可能增大；第二，適當(dāng)修改電路，可以在發(fā)生過壓或欠壓時利用輸出電容儲能保持能量。本文討論如何針對這兩種需求修改...

2008-10-23

過壓保護(hù) 電路 MOSFET

印制電路板上的電磁干擾及抑制

本文主要討論在印制電路板的布線設(shè)計中電源布線和信號布線的電磁干擾問題，并提出解決途徑：抑制電源布線產(chǎn)生的干擾的主要方法有電源平面法、共地平面法和電源母線法；抑制信號布線產(chǎn)生的干擾的主要方法有增大信號線之間的距離，減小信號線與地之間的距離；同時，設(shè)計印制電路板還應(yīng)遵循一定的抗干...

2008-10-23

印制電路板電磁干擾抑制

靜電在LED顯示屏生產(chǎn)過程中的危害及防護(hù)措施

如何規(guī)范化生產(chǎn)，如何生產(chǎn)出真正意義上的低衰減、長壽命的 LED顯示屏產(chǎn)品？本文僅從LED顯示屏生產(chǎn)過程的靜電防護(hù)角度，討論該過程靜電帶來的危害及其防護(hù)方法。

2008-10-23

靜電 LED 防護(hù)措施危害

電子信息產(chǎn)業(yè)出口受制發(fā)展后勁面臨考驗

隨著十月華爾街金融風(fēng)暴的加劇，我國電子信息產(chǎn)業(yè)的出口經(jīng)受嚴(yán)峻考驗。工業(yè)和信息化部日前在第十屆高交會上發(fā)布的《2008年Q3季度中國電子信息產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)運(yùn)行公報》顯示，電子信息產(chǎn)業(yè)今年前三季度經(jīng)濟(jì)運(yùn)行保持平穩(wěn)發(fā)展，但延續(xù)了過往幾個季度增速放緩的態(tài)勢，經(jīng)濟(jì)運(yùn)行增速始終低于全國工業(yè)平均水平，...

2008-10-22

電子信息產(chǎn)業(yè) 通訊計算機(jī) 家用視聽業(yè)

電子信息產(chǎn)業(yè)出口受制發(fā)展后勁面臨考驗

2008-10-22

電子信息產(chǎn)業(yè) 通訊計算機(jī) 家用視聽業(yè)

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