免费国产一级一片内射中出,我和麻麻的肉欲小说长篇

AI&IoT

業(yè)績(jī)預(yù)告披露加速電子信息產(chǎn)業(yè)搶眼

進(jìn)入7月份以來(lái)，上市公司披露上半年業(yè)績(jī)預(yù)告的公司明顯增多。7月1日至7月5日就有31家公司披露上半年經(jīng)營(yíng)情況，相比之下5月份只有4家公司，6月份有41家公司，其余631家公司的上半年業(yè)績(jī)預(yù)告均在4月30日之前披露。

2010-07-08

電子信息器件電子材料電子元件

液晶電視需求優(yōu)TAC薄膜新廠已正式竣工進(jìn)行投產(chǎn)

該座第7工廠位于神戶(hù)市，總投資額約180億日?qǐng)A，除可生產(chǎn)寬度大于2米的TAC薄膜之外，亦將生產(chǎn)可增廣視角的VA-TAC膜(視角擴(kuò)張膜)，總年產(chǎn)量約為5,000萬(wàn)平方公尺；合并Konica Minolta原有的6座工廠產(chǎn)能(約2.2億平方公尺)計(jì)算，則Konica Minolta TAC薄膜年產(chǎn)能將達(dá)2.7億平方公尺。

2010-07-08

液晶電視 TAC薄膜 VA-TAC膜

IR 推出PQFN封裝和銅夾技術(shù)的中壓功率MOSFET

新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能，適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開(kāi)關(guān)電源（SMPS）及電機(jī)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)等開(kāi)關(guān)應(yīng)用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和柵極電荷（Qg），為客戶(hù)的特定應(yīng)用提供優(yōu)化的性能和更低成本。

2010-07-08

IR PQFN封裝銅夾技術(shù) MOSFET

VISHAY推出0603尺寸的薄膜平坦片狀保險(xiǎn)絲

TFU 0603薄膜扁平片狀保險(xiǎn)絲采用1.55 mm x 0.85 mm x 0.45 mm片狀尺寸，額定電壓為32V，提供高達(dá)4A的電流以及35A的斷流容量。該保險(xiǎn)絲為移動(dòng)消費(fèi)電子產(chǎn)品中的dc/dc轉(zhuǎn)換器，電池充電器和低壓電源提供二級(jí)過(guò)流保護(hù)，器件符合關(guān)于有害物質(zhì)的法律條令的CEFIC-EECA-EICTA清單。器件數(shù)量超過(guò)500萬(wàn)的價(jià)格為...

2010-07-08

VISHAY 薄膜平坦片狀保險(xiǎn)絲

多晶硅價(jià)格重拾升勢(shì) 生產(chǎn)商擔(dān)憂成本壓力增加

日前，我國(guó)部分省市取消針對(duì)多晶硅項(xiàng)目的優(yōu)惠電價(jià)，導(dǎo)致多晶硅生產(chǎn)成本提升，加上全球光伏產(chǎn)品需求超預(yù)期，國(guó)內(nèi)多晶硅尤其是高純多晶硅的供應(yīng)又呈現(xiàn)供不應(yīng)求的苗頭。對(duì)此，不少晶硅電池生產(chǎn)商擔(dān)憂多晶硅價(jià)格的提升會(huì)帶來(lái)成本壓力的增加。

2010-07-08

多晶硅高耗能光伏

2010年純晶圓代工產(chǎn)業(yè)的營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)

由于消費(fèi)產(chǎn)品需求回升，iSuppli公司把2010年純晶圓代工廠商的營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)上調(diào)了2.8個(gè)百分點(diǎn)。

2010-07-08

純晶圓代工營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng) iSuppli

650V CoolMOS C6/E6高壓功率晶體管

英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開(kāi)關(guān)損耗）與輕松控制的開(kāi)關(guān)行為、及體二極管高牢固性融合在一起。

2010-07-07

英飛凌 CoolMOS C6/E6 MOSFET

650V CoolMOS C6/E6高壓功率晶體管

2010-07-07

英飛凌 CoolMOS C6/E6 MOSFET

恩智浦新增高性能射頻產(chǎn)品技術(shù)中心落戶(hù)上海及波士頓近郊

恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日宣布，公司增加在射頻研發(fā)的投資，2010年上半年先后在中國(guó)上海以及美國(guó)馬塞諸塞州比爾里卡市（近波士頓）開(kāi)設(shè)兩家恩智浦高性能射頻(RF)產(chǎn)品技術(shù)中心。

2010-07-07

恩智浦高性能射頻上海波士頓近郊

首頁(yè) 上一頁(yè) 1463 1464 1465 1466 1467 1468 1469 1470 下一頁(yè) 尾頁(yè)

特別推薦

即插即用語(yǔ)音交互解決方案：ReSpeaker XVF3800系列開(kāi)發(fā)板全面上市
突破多電平電路設(shè)計(jì)瓶頸：ROHM新型SiC模塊實(shí)現(xiàn)2.3倍功率密度提升
超越機(jī)械千分表：UMBB系列LVDT傳感器實(shí)現(xiàn)超1億次循環(huán)壽命
英飛凌推出75mΩ CoolSiC? G2 MOSFET：以TSC/BSC散熱靈活性應(yīng)對(duì)緊湊型SMPS挑
博瑞集信Sub-6GHz移相器：以4.5dB低插損賦能新一代相控陣系統(tǒng)

技術(shù)文章更多>>

技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>

国产精品内射日本在线观看,女人操女人大逼,国产成人精品男人女人高潮,欧美性爱2022天堂网

業(yè)績(jī)預(yù)告披露加速電子信息產(chǎn)業(yè)搶眼

液晶電視需求優(yōu)TAC薄膜新廠已正式竣工進(jìn)行投產(chǎn)

IR 推出PQFN封裝和銅夾技術(shù)的中壓功率MOSFET

VISHAY推出0603尺寸的薄膜平坦片狀保險(xiǎn)絲

多晶硅價(jià)格重拾升勢(shì) 生產(chǎn)商擔(dān)憂成本壓力增加

2010年純晶圓代工產(chǎn)業(yè)的營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)

650V CoolMOS C6/E6高壓功率晶體管

650V CoolMOS C6/E6高壓功率晶體管

恩智浦新增高性能射頻產(chǎn)品技術(shù)中心落戶(hù)上海及波士頓近郊

友情鏈接(QQ：317243736)

国产精品内射日本在线观看,女人操女人大逼,国产成人精品男人女人高潮,欧美性爱2022天堂网

業(yè)績(jī)預(yù)告披露加速 電子信息產(chǎn)業(yè)搶眼

液晶電視需求優(yōu)TAC薄膜新廠已正式竣工進(jìn)行投產(chǎn)

IR 推出PQFN封裝和銅夾技術(shù)的中壓功率MOSFET

VISHAY推出0603尺寸的薄膜平坦片狀保險(xiǎn)絲

多晶硅價(jià)格重拾升勢(shì) 生產(chǎn)商擔(dān)憂成本壓力增加

2010年純晶圓代工產(chǎn)業(yè)的營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)

650V CoolMOS C6/E6高壓功率晶體管

650V CoolMOS C6/E6高壓功率晶體管

恩智浦新增高性能射頻產(chǎn)品技術(shù)中心落戶(hù)上海及波士頓近郊

友情鏈接(QQ：317243736)

業(yè)績(jī)預(yù)告披露加速電子信息產(chǎn)業(yè)搶眼