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2011中國國際消費(fèi)電子博覽會(huì)

2011-02-21

2011中國國際消費(fèi)電子博覽會(huì)

2011西安安防博覽會(huì)-安防工程精英百人游世園活動(dòng)拉開序幕

2011-02-15

2011西安安防博覽會(huì)-安防工程精英百人游世園活動(dòng)拉開序幕

2011第十屆華東國際電子工業(yè)制造展覽會(huì)

華東國際電子工業(yè)制造展覽會(huì)

2011-02-11

華東國際電子工業(yè)制造展覽會(huì)

航天電連接器的可靠性分析

電連接器及其組件是航天系統(tǒng)工程重要的配套接口元件，散布在各個(gè)系統(tǒng)和部位，負(fù)責(zé)著信號(hào)和能量的傳輸。其連接好壞，直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的安全可靠運(yùn)行。由電連接器互連組成各種電路，從高頻到低頻、從圓形到矩形、從通過上百安培的大電流連接器到通過微弱信號(hào)的高密度連接器、從普通印制板連接器到...

2011-02-10

航天連接器安全可靠性

優(yōu)化高電壓IGBT在高效率太陽能逆變器中的應(yīng)用

多年來的調(diào)查和分析顯示，IGBT比其他功率晶體管有更多優(yōu)點(diǎn)，當(dāng)中包括更高電流能力，利用電壓而非電流來進(jìn)行柵極控制，以及能夠與一個(gè)超快速恢復(fù)二極管協(xié)同封裝來加快關(guān)斷速度。此外，工藝技術(shù)及器件結(jié)構(gòu)的精細(xì)改進(jìn)也使IGBT的開關(guān)性能得到相當(dāng)?shù)母纳?。其他?yōu)點(diǎn)還包括更好的通態(tài)性能，以及擁有高度耐...

2011-02-06

高電壓IGBT 太陽能逆變器

浪涌保護(hù)器（SPD）的基本原理及應(yīng)用

電涌保護(hù)器(Surge Protective Device，SPD)又稱浪涌保護(hù)器，是用于帶電系統(tǒng)中限制瞬態(tài)過電壓和導(dǎo)引泄放電涌電流的非線性防護(hù)器件，用以保護(hù)耐壓水平低的電器或電子系統(tǒng)免遭雷擊及雷擊電磁脈沖或操作過電壓的損害。本文介紹浪涌保護(hù)器（SPD）的基本原理及應(yīng)用。

2011-02-05

浪涌保護(hù)器 SPD 原理應(yīng)用計(jì)算機(jī)系統(tǒng)

Vishay推出精密高功率薄膜貼片電阻用于醫(yī)療成像

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻。這些器件具有低至±25ppm/℃的絕對(duì)TCR，低至±0.1%的容差，在-55℃～+125℃的寬溫范圍內(nèi)具有1.0～2.5W的高功率等級(jí)。

2011-01-28

Vishay 高功率精密

飛兆推出UniFET? II MOSFET消費(fèi)產(chǎn)品功率轉(zhuǎn)換器

開關(guān)電源的設(shè)計(jì)人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關(guān)損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術(shù)知識(shí)，開發(fā)出經(jīng)優(yōu)化的功率MOSFET產(chǎn)品UniFET? II MOSFET，新產(chǎn)品具有更佳的體二極管和更低的開關(guān)損耗，并可在二極管恢復(fù)dv/dt模式下耐受雙倍電流應(yīng)力。

2011-01-27

UniFET? II MOSFET 飛兆消費(fèi)產(chǎn)品功率轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源

2011年拉動(dòng)國內(nèi)電子元器件行業(yè)增長(zhǎng)的因素還在

展望2011年，拉動(dòng)國內(nèi)電子元器件行業(yè)增長(zhǎng)的因素還在，一是出口會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)，二是國內(nèi)消費(fèi)也在增長(zhǎng)。最新研報(bào)認(rèn)為，從目前美國經(jīng)濟(jì)各項(xiàng)指標(biāo)看，雖然美國的失業(yè)率仍然處于高位（9．8%），并不支持消費(fèi)水平的大幅度回升，未來6－9個(gè)月經(jīng)濟(jì)擴(kuò)張。ISM制造業(yè)景氣判斷指數(shù)連續(xù)第16個(gè)月高于景氣榮枯分界點(diǎn)（5...

2011-01-27

電子元器件消費(fèi) 增長(zhǎng)

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