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能源電力

SMT生產(chǎn)中的靜電防護(hù)技術(shù)

在電子產(chǎn)品制造中，靜電放電往往會(huì)損傷器件，甚至使器件失效，造成嚴(yán)重?fù)p失，因此SMT生產(chǎn)中的靜電防護(hù)非常重要。本刊分別邀請(qǐng)北京、上海的兩位專家撰文介紹與分析電子產(chǎn)品制造中的靜電產(chǎn)生源及靜電防護(hù)原理，較詳細(xì)地介紹了SMT生產(chǎn)中的一些靜電防護(hù)技術(shù)基礎(chǔ)與相應(yīng)措施。供大家參考

2009-07-30

ESD 靜電防護(hù) 靜電測(cè)量防靜電技術(shù)指標(biāo)

開(kāi)關(guān)變壓器第十二講電源鐵芯的設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)

防止開(kāi)關(guān)變壓器鐵芯出現(xiàn)磁飽和最簡(jiǎn)單的另一種方法是采用反磁場(chǎng)，在變壓器鐵芯中安裝永久磁鐵，或在變壓器的初、次級(jí)線圈上另外增加一反向直流，并且此直流一般需要用扼流圈電感隔離，或用恒流源供電。由于在變壓器的初、次級(jí)線圈上另外增加一反向直流會(huì)降低開(kāi)關(guān)電源的工作效率，以及增加成本，目前...

2009-07-29

電源鐵芯

得可正面導(dǎo)線改進(jìn)方案將在EU PVSEC展示

得可太陽(yáng)能將利用今年的歐洲太陽(yáng)能光伏展，展示標(biāo)準(zhǔn)印刷工藝如何開(kāi)發(fā)以產(chǎn)生明顯的能效優(yōu)勢(shì)。9月21至25日在德國(guó)漢堡舉行的展會(huì)上，得可的資深工藝開(kāi)發(fā)專家Tom Falcon將發(fā)表關(guān)于硅太陽(yáng)能電池正面導(dǎo)線印刷面積比改進(jìn)的新論文。

2009-07-29

EU PVSEC 太陽(yáng)能正面導(dǎo)線改進(jìn) 歐洲太陽(yáng)能光伏展硅太陽(yáng)能電池正面導(dǎo)線印刷面積比

MAX11080：Maxim電池保護(hù)器件為混合動(dòng)力車和電動(dòng)車節(jié)省80%的BMS成本

Maxim推出用于多節(jié)鋰離子(Li+)電池組的高壓、12通道電池保護(hù)IC MAX11080。該器件是市面上首個(gè)可級(jí)聯(lián)的故障監(jiān)測(cè)器，提供額外的電池監(jiān)測(cè)功能，防止Li+電池發(fā)生爆炸(過(guò)熱)?？蓪⒆疃?1個(gè)MAX11080菊鏈連接，以監(jiān)測(cè)多達(dá)372節(jié)電池。該功能可以防止發(fā)生電氣級(jí)聯(lián)故障，并省去了分立方案所需的昂貴的隔離器件...

2009-07-29

MAX11080 電路保護(hù) 混合動(dòng)力車電動(dòng)車過(guò)壓保護(hù)

STBP120:意法半導(dǎo)體一體式保護(hù)器件

意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款新的手機(jī)和移動(dòng)設(shè)備充電器保護(hù)IC，新產(chǎn)品可降低消費(fèi)者購(gòu)買新設(shè)備后丟棄的大量的廢棄充電器對(duì)環(huán)境的影響。

2009-07-29

STBP120 保護(hù)IC MOSFET 充電器接口

安防領(lǐng)域RFID技術(shù)應(yīng)用現(xiàn)狀及趨勢(shì)

無(wú)線射頻識(shí)別技術(shù)RFID（Radio Frequency Identification）是自動(dòng)識(shí)別技術(shù)的一種，它通過(guò)無(wú)線射頻方式進(jìn)行非接觸雙向數(shù)據(jù)通信對(duì)目標(biāo)加以識(shí)別。它無(wú)需直接接觸即可完成信息輸入和處理，且操作方便快捷，能夠廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)、物流、安防、交通和資產(chǎn)管理等需要收集和處理數(shù)據(jù)的應(yīng)用領(lǐng)域。

2009-07-29

RFID 安防無(wú)線射頻識(shí)別技術(shù) 醫(yī)療

提高開(kāi)關(guān)電源待機(jī)效率的方法

隨著能源效率和環(huán)保的日益重要，人們對(duì)開(kāi)關(guān)電源待機(jī)效率期望越來(lái)越高。目前大多數(shù)開(kāi)關(guān)電源由額定負(fù)載轉(zhuǎn)入輕載和待機(jī)狀態(tài)時(shí)，電源效率急劇下降,待機(jī)效率不能滿足要求。這就給電源設(shè)計(jì)工程師們提出了新的挑戰(zhàn)。

2009-07-28

開(kāi)關(guān)電源待機(jī)效率降頻可控脈沖模式

新IGBT技術(shù)提高應(yīng)用性能

在實(shí)際的開(kāi)關(guān)中，存在大量的正向和開(kāi)關(guān)損耗。因而設(shè)計(jì)中的熱阻對(duì)模塊性能來(lái)說(shuō)是至關(guān)重要的。本文討論IGBT2、IGBT3以及SEMITRANS?模塊采用的新IGBT4半導(dǎo)體技術(shù)之間的區(qū)別，并展示在某些情況下新IGBT4技術(shù)所帶來(lái)的性能提升。

2009-07-28

IGBT

開(kāi)關(guān)變壓器第十一講雙激式開(kāi)關(guān)變壓器內(nèi)部損耗分析匯總

理論上可以通過(guò)改變輸入電壓頻率的方法來(lái)進(jìn)行測(cè)量，然后再對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分離；但當(dāng)輸入電壓的參數(shù)與變壓器的實(shí)際工作情況相差太遠(yuǎn)時(shí)，測(cè)試結(jié)果將毫無(wú)意義。

2009-07-27

開(kāi)關(guān)變壓器

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