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能源電力

門極驅(qū)動正壓對功率半導(dǎo)體性能的影響

無論是MOSFET還是IGBT，都是受門極控制的器件。在相同電流的條件下，一般門極電壓用得越高，導(dǎo)通損耗越小。因為門極電壓越高意味著溝道反型層強度越強，由門極電壓而產(chǎn)生的溝道阻抗越小，流過相同電流的壓降就越低。不過器件導(dǎo)通損耗除了受這個門極溝道影響外，還和芯片的厚度有很大的關(guān)系，一般越...

2024-01-29

門極驅(qū)動功率半導(dǎo)體

對于采用雙向自動檢測IC TXB0104在電平轉(zhuǎn)換端口傳輸中組態(tài)的分析

TXB0104是應(yīng)用在AM3352（Sitara MCU/MPU等）和EMMC (嵌入式多媒體存儲卡)芯片之間通信的雙向自動檢測電平轉(zhuǎn)換芯片。當系統(tǒng)的軟件資源配置不足，需要電平轉(zhuǎn)換芯片自己識別信號傳輸方向的時候，需要注意外部硬件設(shè)計，不然可能會出現(xiàn)掛載時好時壞的失效情況。

2024-01-18

雙向自動檢測IC TXB0104 端口傳輸

電池儲能系統(tǒng)需要克服的三大設(shè)計挑戰(zhàn)

太陽能和風(fēng)能為電網(wǎng)帶來了可再生能源，但供需不平衡的問題成為影響此類能源利用率的主要限制因素。雖然太陽能在中午很充足，但此時的用電需求不夠高，所以消費者的用電成本仍然居高不下。

2024-01-18

電池儲能系統(tǒng)

中國（南京）國際氫能及燃料電池產(chǎn)業(yè)大會

為貫徹落實《氫能產(chǎn)業(yè)發(fā)展中長期規(guī)劃（2021-2035 年）》要求，加快推進我國氫能源及燃料電池產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作、成果轉(zhuǎn)化和商業(yè)應(yīng)用，促進氫能產(chǎn)業(yè)健康有序發(fā)展，我國燃料電池汽車產(chǎn)業(yè)進入提速關(guān)鍵期，“氫能高速”號角正式吹響，

2024-01-15

氫能燃料電池

低功耗 GaN 在常見交流/直流電源拓撲中的優(yōu)勢

消費者希望日常攜帶的各種電子設(shè)備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數(shù)電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向 USB Type-C? 充電器，越來越多的用戶希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設(shè)備充電。

2024-01-12

GaN 交流電源直流電源拓撲

了解嵌入式驅(qū)動器中的電源模塊

將逆變器從控制柜轉(zhuǎn)移到電機導(dǎo)致了新的逆變器設(shè)計要求。其中要求的是熱管理。標準柜式逆變器在相當友好的環(huán)境中運行，沒有特殊的 IP 保護要求，與電機不同，電機安裝在生產(chǎn)線中靠近正在加工的貨物的位置。相比之下，嵌入式驅(qū)動器使用內(nèi)部逆變器，這要求電機和逆變器都防水、防塵，從而影響系統(tǒng)的熱...

2024-01-09

嵌入式驅(qū)動器電源模塊

超高壓MOS在變頻器上的應(yīng)用

典型的AC380V變頻器應(yīng)用框圖，主要包括輸入AC380V三相整流、三相逆變IGBT功率驅(qū)動、輔助電源等部分；其中輔助電源主要經(jīng)過DC高壓降壓后為IGBT驅(qū)動IC、主控mcu、通訊模塊芯片等供電。

2024-01-02

MOS 變頻器

雙運放電流源的基本操作

合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求，而無需對處理和布局進行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。

2023-12-29

雙運放電流源

關(guān)于電阻溫度系數(shù)、測量和結(jié)構(gòu)影響這篇文章說透了

電阻溫度系數(shù)（TCR 或 RTC）是上述缺陷的熱能因素的特征。假設(shè)晶粒結(jié)構(gòu)沒有因極端脈沖/過載事件導(dǎo)致的高溫而改變，則當溫度恢復(fù)到參考溫度時，這種電阻變化帶來的影響是可逆的。對于 Power Metal Strip? 和 Power Metal Plate? 產(chǎn)品，這將是一個導(dǎo)致電阻合金超過 350℃ 的溫度。

2023-12-28

電阻溫度系數(shù) 測量結(jié)構(gòu)

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