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【電源設(shè)計(jì)小貼士33】：注意SEPIC耦合電感回路電流2

本文將討論如何確定SEPIC拓?fù)渲旭詈想姼械穆╇姼幸蟆Ｉ洗?，我們討論了耦合電容器AC電壓被施加于耦合電感漏電感的情況。漏電感電壓會(huì)在電源中引起較大的回路電流。這次我們將介紹利用松散耦合電感和緊密耦合電感所構(gòu)建電源的一些測量結(jié)果。

2013-03-06

電源耦合電感回路電流

TVS將變成ESD保護(hù)二極管的終極替代

臺(tái)灣晶炎認(rèn)為，隨著今天IC制造工藝下探28納米節(jié)點(diǎn)，ESD保護(hù)二極管開始遇到三個(gè)致命的發(fā)展瓶頸：升級換代時(shí)間長、反應(yīng)時(shí)間太長和鉗位電壓做不低，未來TVS取代ESD保護(hù)二極管將變成主流發(fā)展趨勢。

2013-03-06

TVS ESD 二極管

【電源設(shè)計(jì)小貼士32】：注意SEPIC耦合電感回路電流1

在這篇【電源設(shè)計(jì)小貼士】中，我們將確定SEPIC拓?fù)渲旭詈想姼械囊恍┞╇姼幸?。在不要求主級電路和次級電路之間電氣隔離且輸入電壓高于或者低于輸出電壓時(shí)，SEPIC是一種非常有用的拓?fù)洹?/p>

2013-03-05

電源耦合電感回路電流

【電源設(shè)計(jì)小貼士31】：同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

在這篇【電源設(shè)計(jì)小貼士】中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和FET電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于FET選擇的非常有用的起始點(diǎn)。

2013-03-04

電源 MOSFET

Bourns新型號采用霍爾效應(yīng)技術(shù)，有助提高可靠性和壽命

Bourns近日擴(kuò)大兩個(gè) non-contacting rotary position sensors非接觸式位置傳感器新型號的生產(chǎn)線。AMS22U 和AMM20B采用霍爾效應(yīng)的技術(shù)，有助于提高在惡劣環(huán)境中運(yùn)行的可靠性和壽命。

2013-03-01

Bourns 霍爾效應(yīng) 傳感器

【電源設(shè)計(jì)小貼士30】：低壓降壓IC實(shí)現(xiàn)簡單經(jīng)濟(jì)的偏置電源

在本次【電源設(shè)計(jì)小貼士】中，我們將研究一款可將高AC輸入電壓轉(zhuǎn)換為可用于電子能量計(jì)等應(yīng)用的低DC電壓簡單電路。在這種特殊的應(yīng)用中，無需將輸出電壓隔離于輸入電壓。

2013-03-01

電源偏置電源

【電源設(shè)計(jì)小貼士29】：估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升2

本文我們將最終對一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡單方法進(jìn)行研究。在【電源設(shè)計(jì)小貼士28】中，我們討論了如何設(shè)計(jì)溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計(jì)算得到熱阻和熱容。遍及整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的各種電壓代表各個(gè)溫度。

2013-02-28

電源熱插拔瞬態(tài)溫升

【電源設(shè)計(jì)小貼士28】：估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升1

在本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。

2013-02-27

電源熱插拔瞬態(tài)溫升

【電源設(shè)計(jì)小貼士26】：高頻導(dǎo)體的電流分布

本次【電源設(shè)計(jì)小貼士】中，我們將研究自由空間及纏繞結(jié)構(gòu)中導(dǎo)體的有效電阻。文中圖1顯示了第一個(gè)例子。其為自由空間中單條導(dǎo)線的橫截面，其攜帶的是高頻電流。

2013-02-26

電源高頻電流分布

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