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技術(shù)文章

以 RK3506 為核：破解實(shí)時(shí)控制與系統(tǒng)適配難題

本文聚焦RK3506平臺(tái)，從多維度給出了針對(duì)性解決方案：無(wú)論是按需選擇Buildroot、Ubuntu 22.04 LTS還是Yocto Project構(gòu)建系統(tǒng)生態(tài)，以適配不同開(kāi)發(fā)需求；亦或是通過(guò)AMP異構(gòu)實(shí)時(shí)方案與RT-Linux+核隔離的高端方案，分別滿足低成本硬實(shí)時(shí)控制與頂級(jí)工業(yè)實(shí)時(shí)要求；更有2秒極速啟動(dòng)模式提升設(shè)備響應(yīng)價(jià)值。...

2025-12-18

核心板實(shí)時(shí)控制架構(gòu) RK3506 平臺(tái)

DSP+DSA 架構(gòu)革新：安謀 “周易” X3 NPU 的技術(shù)密鑰

“算力墻”“內(nèi)存墻”“功耗墻”已成為制約智能終端實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜AI任務(wù)與更高計(jì)算效率的核心問(wèn)題。神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器（NPU）作為支撐AI計(jì)算的核心硬件單元，是突破上述技術(shù)困局的關(guān)鍵支撐。安謀科技（Arm China）推出的“周易”X3 NPU IP，通過(guò)前瞻性的架構(gòu)創(chuàng)新、深度的軟硬件協(xié)同優(yōu)化及開(kāi)放的生態(tài)構(gòu)建，為破解端...

2025-12-18

安謀科技 AI NPU

CC-Link IE TSN 認(rèn)證落地，ADI 兩款芯片引領(lǐng)工業(yè)網(wǎng)絡(luò)融合

工業(yè)以太網(wǎng)的高效整合與精準(zhǔn)調(diào)度已成為制造業(yè)數(shù)字化升級(jí)的核心需求。近日，ADI旗下兩款工業(yè)以太網(wǎng)時(shí)間敏感網(wǎng)絡(luò)（TSN）交換芯片ADIN6310與ADIN3310，成功通過(guò)CC-Link IE TSN標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。此項(xiàng)里程碑式成果，不僅充分印證了ADI芯片的卓越性能與技術(shù)可靠性，更為信息技術(shù)（IT）網(wǎng)絡(luò)與運(yùn)營(yíng)技術(shù)（OT）網(wǎng)絡(luò)的...

2025-12-18

ADI CC-Link TSN 智能工廠

英飛凌 HYPERRAM?存儲(chǔ)芯片通過(guò) AMD 驗(yàn)證

全球半導(dǎo)體領(lǐng)域兩大領(lǐng)軍企業(yè)達(dá)成重要合作成果——英飛凌與AMD成功完成關(guān)鍵技術(shù)驗(yàn)證，雙方聯(lián)合推出的存儲(chǔ)解決方案為嵌入式人工智能（AI）領(lǐng)域帶來(lái)突破性進(jìn)展。英飛凌64MB HYPERRAM?存儲(chǔ)芯片及配套控制器IP，在AMD Spartan? UltraScale+? FPGA SCU35評(píng)估套件上的測(cè)試表現(xiàn)優(yōu)異為邊緣嵌入式AI應(yīng)用的研發(fā)及...

2025-12-18

存儲(chǔ)芯片 AMD UltraScale FPGA 英飛凌

GHz 頻段的射頻功率測(cè)量方案：BAT62-02W 二極管傳感器制作

在無(wú)線電技術(shù)實(shí)踐領(lǐng)域，GHz頻段設(shè)備的研發(fā)與制作常受困于信號(hào)測(cè)量。頻率與幅度作為射頻信號(hào)的核心表征參數(shù)，目前平價(jià)3GHz頻率計(jì)數(shù)器雖容易獲取，但射頻功率計(jì)成本較高難以普及。DL5NEG分享的技術(shù)方案提供了有效解決路徑：通過(guò)BAT62-02W二極管搭建低成本射頻功率傳感器，能將射頻信號(hào)轉(zhuǎn)為直流電壓以...

2025-12-18

BAT62-02W 二極管傳感器 GHz 頻段設(shè)備射頻功率計(jì)

10nm以下DRAM，三星DRAM技術(shù)突破存儲(chǔ)行業(yè)版圖

10納米以下節(jié)點(diǎn)的技術(shù)突破成為行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵門檻。三星電子與三星綜合技術(shù)院聯(lián)手，在IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議上公布了——可用于10納米以下制程DRAM的高耐熱核心技術(shù)，為這一領(lǐng)域帶來(lái)了歷史性突破。這項(xiàng)以非晶態(tài)銦鎵氧化物材料為核心的創(chuàng)新，不僅攻克了CoP架構(gòu)量產(chǎn)的高溫工藝難題，更以扎實(shí)的穩(wěn)定性數(shù)據(jù)...

2025-12-18

三星電子 DRAM 技術(shù) 半導(dǎo)體晶體管存儲(chǔ)技術(shù)

村田參展CES 2026

株式會(huì)社村田制作所（以下簡(jiǎn)稱“村田”）將出展2026年1月6日至1月9日在美國(guó)拉斯維加斯舉辦的國(guó)際科技展會(huì)CES 2026。村田將在展位上重點(diǎn)展示移動(dòng)出行、智能網(wǎng)聯(lián)、健康管理等領(lǐng)域的技術(shù)，以及幫助提升生活安全度與舒適性的解決方案和設(shè)備。

2025-12-18

村田

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村田參展CES 2026

友情鏈接(QQ：317243736)

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