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0.8mm x 0.8mm封裝的芯片級功率MOSFET

Vishay推出采用業(yè)內(nèi)最小芯片級MICRO FOOT封裝的新款Vishay Siliconix功率MOSFET，器件具有0.8mm x 0.8mm封裝，在4.5V下導(dǎo)通電阻低至43m?，可使便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕。

2012-12-03
Vishay推出具有ESD保護的600V標準整流器

Vishay近日宣布，推出新款通過AEC-Q101認證并具有ESD保護的600V標準整流器SE20AFJ和SE30AFJ。該款高電流密度器件通過AEC-Q101認證,具有高達3A的正向電流。

2012-11-23
Vishay推出高功率電池分流電阻，容限為5.0%

Vishay發(fā)布高功率Power Metal Strip電池分流電阻，容限為5.0%，提供更準確的數(shù)據(jù)來判定電池的充電和放電，幫助設(shè)計者滿足特定用戶對電池管理的要求。模塑外殼可簡化設(shè)計，降低解決方案的總成本。

2012-11-23
Vishay推出600V高度僅有0.95mm標準整流器

Vishay發(fā)布新款600V標準整流器，具有一個氧化物平面芯片結(jié)，最高工作結(jié)溫達到+175℃，采用高度僅有0.95mm的表面貼裝SlimSMA DO-221AC封裝，并已實現(xiàn)量產(chǎn)。

2012-11-23
用于光伏壽命達500小時的電容器

Vishay 推出新系列的卡扣式功率鋁電容器-193 PUR-SI Solar，在50℃下額定電壓達500V，在105℃下達到450V。193 PUR-SI Solar器件在無負載情況下，會出現(xiàn)最高電壓的太陽能應(yīng)用，具有很長的使用壽命，在+105℃和100Hz下的額定紋波電流達到2.52A。

2012-11-07
面向中國電子設(shè)計工程師，e絡(luò)盟再增14萬新品

e絡(luò)盟（element14）日前宣布新增來自行業(yè)領(lǐng)先廠商，包括ADI、意法半導(dǎo)體、德州儀器、Vishay和XP Power等的14萬多種最廣泛系列電子設(shè)計產(chǎn)品，涵蓋半導(dǎo)體集成電路、分立元件、無源元件、電源以及開發(fā)工具等。

2012-11-05
耐潮水平增加50倍的新款氮化鉭薄膜片式電阻

【導(dǎo)讀】Vishay推出通過QPL MIL-PRF-55342測試的新款表面貼裝片式電阻---E/H (Ta2N) QPL，保證可靠性達到100ppm的“M”級失效率。新的E/H (Ta2N) QPL電阻使用耐潮的氮化鉭電阻膜技術(shù)制造，為國防和航天應(yīng)用提供了增強的性能規(guī)格，包括0.1%的容差和25ppm/℃的TCR，耐潮水平超過MIL-PRF-55342限值的50倍。

2012-11-03
40℃下功率高達20kW不銹鋼功率電阻

Vishay推出40℃下功率高達20kW(可根據(jù)需要提供更高的功率值)，能夠在-25℃～+250℃溫度范圍內(nèi)工作，可用于極端環(huán)境中應(yīng)用的新款不銹鋼功率電阻VSGR。

2012-10-30
Vishay推出功耗120mW的新款紫外線LED

Vishay Intertechnology推出采用表面貼裝PLCC-2封裝的紫外線LED---VLMU3100，功耗120mW，可替代生產(chǎn)固化操作中的水銀蒸汽燈。

2012-10-27
阻值高達100MΩ可邦定的薄膜片式電阻

Vishay推出可邦定的薄膜片式電阻，CS44系列電阻的占位僅有40mil x 40mil (1mm x 1mm) ，電阻值高達100MΩ。該系列具有±50ppm/℃的低TCR和±0.5%的容差。

2012-10-24
Vishay推出用于通信電源的170V TMBS整流器

Vishay新器件具有80A的電流等級和0.65V的典型正向壓降，定位于通信電源應(yīng)用。所有9款器件的最高結(jié)溫為175℃，現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為八周。

2012-10-12
Vishay發(fā)布1000V光伏太陽能電池板保護整流器

Vishay新款采用P600圓向封裝的10A、1000V光伏太陽能電池板保護整流器，最高工作結(jié)溫高達175℃，具有低熱阻，在10A、125℃條件下的正向壓降只有0.80V，可承受440A的正向浪涌電流。

2012-10-10

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