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瑞能半導體在PCIM Europe 2023展示全新功率器件及解決方案
【2023年5月9日 - 德國紐倫堡】當地時間5月9日，全球領先的功率半導體供應商瑞能半導體攜其最新產品亮相在德國紐倫堡揭幕的PCIM Europe 2023。產品組合包含碳化硅器件，可控硅和功率二極管，高壓和低壓Si-MOSFET, IGBT，保護器件以及功率模塊，豐富的產品矩陣彰顯了瑞能半導體領先的產品實力和對未來電力電子行業(yè)可持續(xù)發(fā)展的思考，受到了與會者的高度關注。CEO Markus Mosen先生率領公司研發(fā)工程師、市場部、銷售部組成的參展團隊出席了活動現場。
2023-05-10
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1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳，助力提升變頻器系統(tǒng)性能（上）
本文介紹了針對電機驅動進行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術。該IGBT結構基于全新微溝槽技術，與標準技術相比，可大幅減少靜態(tài)損耗，并具備高可控性。而二極管因為優(yōu)化了場截止設計，其振蕩發(fā)生的可能性大幅降低。在功率模塊中，IGBT和二極管的出色性能可帶來更高的電流密度和更大的輸出電流。不僅如此，通過將功率模塊的最高結溫提升到175 °C，輸出電流可增加50%以上。
2023-05-04
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為什么IGBT是適合斬波應用的器件
斬波是電力電子控制中的一項變流技術，其實質是直流控制的脈寬調制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內饋調速控制中占有極為重要的地位，它不僅關系到調速的技術性能，而且直接影響設備的運行安全和可靠性，因此，如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。
2023-04-29
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快速開關TRENCHSTOP 5 IGBT
緊湊的尺寸和不斷降低的系統(tǒng)成本是電力電子設計的開發(fā)者一直追求的目標?，F在，由于家用電器消耗的能量不斷增加，從事此類應用的工程師還有一個目標：保持高功率因數(PF)。特別是空調，其額定功率為1.8kW或更大，是最耗電的設備之一。在這里，功率因數校正(PFC)是強制性的，對于PFC，設計者認為IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是具有最高性價比的開關器件。
2023-04-28
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超共源共柵簡史
盡管寬帶隙半導體已在功率開關應用中略有小成，但在由 IGBT 占主導的高電壓/高功率領域仍未有建樹。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現有局面。讓我們一起來了解超共源共柵的歷史，并探討如何將其重新用于優(yōu)化現代設計。
2023-04-24
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SiC MOSFET的短溝道效應
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家?guī)砀嘤袃r值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應。
2023-04-24
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如何通過優(yōu)化模塊布局解決芯片縮小帶來的電氣性能挑戰(zhàn)
在本文的第一部分——《如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)》，我們提到尺寸和功率往往看起來像硬幣的兩面。當你縮小尺寸時，你不可避免地會降低功率。在那篇文章中，我們介紹了芯片縮小對熱性能的影響，以及如何通過優(yōu)化芯片位置和模塊布局來減輕這種影響?，F在，讓我們來看看我們如何能夠改善電氣性能。同樣，我們將以采用TRENCHSTOP? IGBT 7技術的新型1200V、600A EconoDUAL? 3模塊為例，該模塊針對通用驅動（GPD）、商業(yè)、建筑和農業(yè)車輛（CAV）、不間斷電源（UPS）和太陽能等應用進行了優(yōu)化。
2023-04-10
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如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰(zhàn)
尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當你縮小尺寸時--這是我們行業(yè)中不斷強調的目標之一--你不可避免地會降低功率。但情況一定是這樣嗎？如果將我們的思維從芯片轉移到模塊設計上，就不需要拋硬幣了。
2023-04-06
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為什么逆導型IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC電路
對于功率因數校正（PFC），通常使用升壓轉換器Boost拓撲結構。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時IGBT是大功率PFC應用的最佳選擇，如空調、加熱、通風和空調（HVAC）以及熱泵。
2023-02-20
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一文搞懂IGBT的損耗與結溫計算
與大多數功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數 IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。
2023-02-20
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具有集成反激式控制器的智能柵極驅動光耦合器
通過集成反激式控制器，ACPL-302J 器件允許在器件旁邊放置更少的分立元件和更小的變壓器和電容器，從而減少設計的整體尺寸并限度地減少電磁干擾 (EMI) 和 IGBT 通道之間的噪聲耦合。通過減少設計中的這些元素，設計人員可以實現顯著的成本節(jié)約。
2023-02-17
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MOS管開通過程的米勒效應及應對措施
在現在使用的MOS和IGBT等開關電源應用中，所需要面對一個常見的問題 — 米勒效應，本文將主要介紹MOS管在開通過程中米勒效應的成因、表現、危害及應對方法。
2023-02-10
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