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德州儀器 KeyStone II 架構助力多內(nèi)核技術發(fā)展
日前，德州儀器 (TI) 宣布對其曾獲獎的 KeyStone 多內(nèi)核架構進行重要升級，從而為集信號處理、網(wǎng)絡、安全和控制功能于一體的高性能 28nm 器件進入嶄新發(fā)展時代鋪平了道路。TI 可擴展 KeyStone II 架構支持 TMS320C66x 數(shù)字信號處理器 (DSP) 系列內(nèi)核以及多高速緩存同步的四通道 ARM Cortex?-A15 集群，包含多達 32 個 DSP 和 RISC 內(nèi)核，可需要高性能和低功耗應用領域的理想選擇?；?KeyStone 架構的器件專為通信基礎設施、任務關鍵型應用、測試與自動化、醫(yī)療影像以及高性能云計算等高性能市場而精心優(yōu)化。
2012-03-02
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筆記本電腦用LED背光組件的設計
本文介紹了筆記本電腦用LED 背光組件的設計開發(fā)，分別從光學、電路、結構角度闡述了開發(fā)的過程。光學方面，采用STAMPER 技術，一體成型射出導光板，減少印刷環(huán)節(jié)，無印刷污染；電路方面，根據(jù)LED 的規(guī)格及顆數(shù)設計LED 發(fā)光條，驅動整個背光源；結構方面，采用無背板的結構設計，達到超薄效果。
2012-03-01
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多屏拼接等離子顯示系統(tǒng)的專用電源設計
本文設計了一個用于多屏拼接等離子顯示系統(tǒng)的專用電源。該電源采用兩級變換，前級AC/DC變換采用Boost型有源功率因數(shù)校正電路，后級變換器對于不同的回路根據(jù)功率的大小分別采用全橋變換器和單端反激變換器。
2012-03-01
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WSMS2906：Vishay推出阻值極低的儀表分流電阻
日前，Vishay（威世）宣布，發(fā)布采用2906尺寸封裝的新款Power Metal Strip儀表分流電阻--- WSMS2906，該電阻具有3W的功率和最低300μΩ的極低阻值。
2012-02-29
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TI宣布其MCU可支持 ARM? 的最新 Cortex CMSIS
日前，德州儀器 (TI) 宣布其基于 Stellaris? Cortex?-M4F 內(nèi)核的微控制器 (MCU) 現(xiàn)在可以支持 ARM? 的最新 Cortex 微控制器軟件接口標準 (CMSIS)。除了 TI 的 StellarisWare? 軟件套件之外，通過簡化浮點、單指令多數(shù)據(jù) (SIMD) 和數(shù)字信號處理 (DSP) 運算的可實現(xiàn)方案，ARM 的 CMSIS 庫也將幫助開發(fā)人員實現(xiàn) Stellaris LM4F 微控制器業(yè)界領先的優(yōu)勢。
2012-02-28
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A3G4250D：ST推出用于車載電子產(chǎn)品的3軸角速度傳感器IC
意法半導體推出了用于車載電子產(chǎn)品的3軸角速度（陀螺儀）傳感器IC“A3G4250D”。新產(chǎn)品符合車載部件質(zhì)量標準“AEC-Q100”。據(jù)該公司介紹，“此次是業(yè)界首次實現(xiàn)車載產(chǎn)品用3軸角速度傳感器IC的產(chǎn)品化”。具體用途方面，該公司列舉了車載導航儀裝置、車載信息服務設備及電子不停車收費系統(tǒng)等。
2012-02-24
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背光和照明市場需求增加緩減2012年LED供應過剩
據(jù)DisplaySearch —過去一段時間由于LED背光液晶電視銷售減弱且LED照明成長緩慢，2011年LED出現(xiàn)了供大于求的局面，供需落差達30%。2012年，隨著背光和照明的市場需求回暖，過度供應問題將得到有效緩解。根據(jù)NPD DisplaySearch季度LED供需市場預測報告Quarterly LED Supply/Demand Market Forecast Report指出，第一季度供需過剩比為19%，第二季度將進一步下降至16%。
2012-02-23
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Vishay 擴充用于功率電子的重載電容器
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴充其用于功率電子的重載Vishay ESTA HDMKP電容器，增添新容值和新封裝形式。
2012-02-22
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STGIPN3H60/A：ST推出小尺寸低干擾SLLIMM微型電機驅動模塊
橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體，擴大SLLIMM(低損耗智能微型模壓模塊)產(chǎn)品系列，推出兩款新的能夠提高家電能效等級的微型電機驅動模塊——STGIPN3H60和STGIPN3H60A。
2012-02-21
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基于EXB841的IGBT驅動與保護電路設計
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點，近年來在各種電能變換裝置中得到了廣泛應用。但是，IGBT的門極驅動電路影響IGBT的通態(tài)壓降、開關時間、快開關損耗、承受短路電流能力及du/dt等參數(shù)，并決定了IGBT靜態(tài)與動態(tài)特性。因此設計高性能的驅動與保護電路是安全使用IGBT的關鍵技術。
2012-02-21
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新穎的Buck-Boost型正弦交流穩(wěn)壓器
由于我國交流電網(wǎng)的電壓波動較大，特別是邊遠農(nóng)村地區(qū)，交流穩(wěn)壓電源已成為許多電子設備不可缺少的供電裝置[1]。按照工作原理，交流穩(wěn)壓電源可分為參數(shù)調(diào)整（諧振）型[2]、自耦（變比）調(diào)整型[3]、大功率補償型[4、5]和開關型[6、7]等四種類型，其典型電路如圖1所示。
2012-02-20
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2015年低價安卓智能機出貨3.4億支
In-Stat預估，2015年非洲、印度與中國大陸三地的智能機市場當中，低價安卓手機的滲透率將可達80%。全球低價安卓智能機出貨量在2015年預估將逼近3.4億支。
2012-02-20
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
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