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Vishay發(fā)布高頻RF應(yīng)用新款SMD MLCC，Q值超2000

日前，Vishay 宣布推出針對高頻RF應(yīng)用高功率表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)，新款QUAD HIFREQ系列產(chǎn)品具有超過2000的超高Q值和低至0.01Ω的ESR，電壓等級高達(dá)1500V，適用于電信、醫(yī)療、國防和工業(yè)設(shè)備。

2013-08-28
Vishay推出手勢遙控應(yīng)用高功率高速紅外發(fā)射器

日前，Vishay 宣布推出用于手勢遙控應(yīng)用的新款高功率高速940nm紅外發(fā)射器VSLB9530S。該器件在100mA電流下的發(fā)射功率達(dá)40mW，在垂直方向和水平方向的半強(qiáng)角分別達(dá)到±18°和±36°，采用TELUX封裝，且開關(guān)速度很快，時間僅15ns。

2013-08-28
Vishay發(fā)布醫(yī)療設(shè)備用TANTAMOUNT固鉭片式電容

日前，Vishay宣布推出新系列TANTAMOUNT表面貼裝固鉭模壓片式電容器TM3系列，新款可靠的模塑電容器采用穩(wěn)固的陽極設(shè)計、威布爾分級和Hi-Rel篩選，可在各種家用和醫(yī)用非生命支持醫(yī)療監(jiān)護(hù)和診斷設(shè)備中提供更好的性能和可靠性。

2013-08-22
Vishay新增12款±35°半靈敏度角新款高速表面貼裝光探測器

Vishay日前宣布推出采用微型鷗翼、倒鷗翼和側(cè)視型封裝及寬視角半球形透鏡的新款高速光探測器。對于需要成對發(fā)射器-探測器的應(yīng)用，新增二極管可以匹配Vishay的新款±25°和±28°發(fā)射器。其中，VEMD2xx3(SL) PIN光電二極管半靈敏度角為±35°，典型輸出電流為10μA，具有1nA的極低暗電流；VEMT2xx3(SL)光電晶體管的典型輸出電流為2.7mA。

2013-08-12
Vishay推出高2.1mm的新款10mm標(biāo)準(zhǔn)SMD 7段LED數(shù)碼管

Vishay發(fā)布高2.1mm的新款10mm標(biāo)準(zhǔn)SMD 7段LED數(shù)碼管——VDMx10x0和VDMx10A1系列。該器件采用發(fā)光均勻、無污點(diǎn)的數(shù)碼管和灰色封裝表面，有紅橙黃綠4種顏色，發(fā)光強(qiáng)度達(dá)2750μcd，可用于多種應(yīng)用。

2013-08-07
Vishay新款TMBS整流器在3A下正向壓降僅0.34V

日前，Vishay宣布推出12款電流等級從6A至20A的新型45V、60V和100V的TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器。新的整流器在3A下的正向電壓降只有0.34V，采用表面貼裝TO-252(DPAK)封裝，非常適合商業(yè)應(yīng)用。

2013-08-02
Vishay發(fā)布軍工和航天應(yīng)用液鉭高能電容器，業(yè)界容量最高

Vishay 日前宣布發(fā)布新款液鉭高能電容器---HE4，這款器件在+25℃和1kHz條件下的最大ESR只有0.025?，在市場上類似器件當(dāng)中容量最高，容量為1100μF～72000μF。HE4的制造工藝使其可以承受高應(yīng)力和惡劣的環(huán)境，采用可在軍工和航天應(yīng)用中提高可靠性和性能的特殊殼體設(shè)計。

2013-07-26
Vishay開發(fā)出可承受1850A電流尖峰沖擊的緩沖電容

中高功率逆變器中的IGBT切換時會引起很大的電壓和電流尖峰，這種尖峰是導(dǎo)致嚴(yán)重EMI的重要原因。Vishay最新開發(fā)的緩沖電容可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電流，壽命超過30萬小時，可耐105℃高溫。

2013-07-20
Vishay新增超高容量液鉭電容器，75V下容量達(dá)1000 μF

Vishay日前宣布推出采用特殊密封的新型超高容量系列液鉭電容器---T18系列。新型液鉭電容器適用于航空和航天應(yīng)用，采用D外形尺寸，在75V下的容量高達(dá)1000 μF。

2013-07-20
Vishay攜最新半導(dǎo)體和無源元件出展

日前，Vishay 宣布，將展出其最新的半導(dǎo)體和無源元件，展示其在各個產(chǎn)品線上所取得的業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新技術(shù)，幫助各種應(yīng)用提高效率和可靠性。展品包括LED驅(qū)動、二極管、最新電容器、電阻和電感器等。

2013-07-05
Vishay將在2013中國電子展成都站展示最新業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)

Vishay將在6月20至22日成都世紀(jì)城新國際會展中心舉行的2013中國電子展成都站（夏季會）上展出其全線技術(shù)方案。Vishay的展位在3號館A214，展示亮點(diǎn)是其最新的業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新產(chǎn)品，包括無源元件、二極管、功率MOSFET、功率IC和光電子產(chǎn)品。

2013-06-18
Vishay新型單相橋式整流器反向電壓可達(dá)1000V

日前，Vishay推出四款單相橋式整流器MBL104S、MBL106S、MBL108S和MBL110S，反向電壓可達(dá)1000V，能夠承受最高30A浪涌電流。該器件采用薄型MBLS封裝，十分適用于智能手機(jī)充電器的AC/DC全波整流。

2013-05-10

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