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SiC MOSFET 器件特性知多少？
對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。開(kāi)關(guān)超過(guò) 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運(yùn)行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓開(kāi)關(guān)，同時(shí)開(kāi)關(guān)頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開(kāi)關(guān)頻率。
2023-11-12
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能實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性的IGBT模塊
隨著全球?qū)稍偕茉吹娜找骊P(guān)注以及對(duì)效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產(chǎn)業(yè)不斷前行的關(guān)鍵。Nexperia（安世半導(dǎo)體）的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗, 兼顧馬達(dá)驅(qū)動(dòng)需求的高溫短路耐受能力，實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。
2023-11-12
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讓電動(dòng)汽車(chē)延長(zhǎng)5%里程的SiC主驅(qū)逆變器
本文闡述了如何在主驅(qū)逆變器中使用碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 將電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航里程延長(zhǎng)多達(dá) 5%。另外，文中還討論了為什么一些原始設(shè)備制造商 (OEM) 不愿意從硅基絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 過(guò)渡到 SiC 器件，以及安森美 (onsemi) 為緩解 OEM 的擔(dān)憂同時(shí)提升 OEM 對(duì)這種成熟的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的信心所做的努力。
2023-11-12
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通過(guò)碳化硅(SiC)增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)
電池可以用來(lái)儲(chǔ)存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲(chǔ)存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲(chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案，改善 BESS 的性能。
2023-11-10
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充分利用IGBT的關(guān)鍵在于要知道何時(shí)、何地以及如何使用它們
如今，碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導(dǎo)體風(fēng)頭正盛。但在此之前，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)才是電力電子行業(yè)的主角。本文將介紹IGBT在哪些應(yīng)用中仍能發(fā)揮所長(zhǎng)，然后快速探討一下這些多用途器件的未來(lái)前景。
2023-11-07
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高集成度智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦通吃MOSFET和IGBT
光耦也叫光電耦合器，是以光為媒介傳輸電信號(hào)的一種電-光-電轉(zhuǎn)換器件。光耦由發(fā)光源和受光器兩部分組成，密閉于同一殼體內(nèi)，彼此用透明絕緣體隔離。
2023-10-27
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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、開(kāi)啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動(dòng)器IC和功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。
2023-10-25
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低損耗、高結(jié)溫！基本半導(dǎo)體混合碳化硅分立器件性能優(yōu)勢(shì)介紹
IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管（FWD）構(gòu)成，續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）。材料與結(jié)構(gòu)兩兩組合就形成了4種結(jié)果：硅PIN二極管、碳化硅 PIN二極管、硅肖特基二極管、碳化硅肖特基二極管。在本篇文章中我們將重點(diǎn)闡述碳化硅肖特基二極管作為續(xù)流二極管的混合碳化硅分立器件（后文簡(jiǎn)稱(chēng)為混管）的特性與優(yōu)點(diǎn)。
2023-10-24
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電動(dòng)汽車(chē)熱和集成挑戰(zhàn)
到目前為止，我們提到的每一種趨勢(shì)都帶來(lái)了獨(dú)特的技術(shù)挑戰(zhàn)。對(duì)于更高集成度的解決方案，主要挑戰(zhàn)在于創(chuàng)建節(jié)能解決方案。具體來(lái)說(shuō)，隨著高性能組件之間的集成變得更加緊密，對(duì)熱密度的擔(dān)憂開(kāi)始威脅到設(shè)備的可靠性。控制熱量需要高能效半導(dǎo)體，將少的功率轉(zhuǎn)化為熱量。因此，業(yè)界正在采用SiC MOSFET代替IGBT。高能效半導(dǎo)體使 xBEV 電池?zé)o需充電即可使用更長(zhǎng)時(shí)間，從而延長(zhǎng)汽車(chē)的行駛里程。由于行程范圍非常重要，這反過(guò)來(lái)又提高了電動(dòng)汽車(chē)在市場(chǎng)上的價(jià)值。
2023-09-27
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搭載1200V P7芯片的PrimePACK刷新同封裝功率密度
繼英飛凌1200V IGBT7 T7芯片在中小功率模塊產(chǎn)品相繼量產(chǎn)并取得客戶(hù)認(rèn)可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景的1200V IGBT7 P7芯片，并將其應(yīng)用在PrimePACK?模塊中，再次刷新了該封裝的功率密度上限。
2023-09-20
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IGBT驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)入可編程時(shí)代，英飛凌新品X3有何玄機(jī)？
俗話說(shuō)，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅(qū)動(dòng)IC。一顆好的驅(qū)動(dòng)不僅要提供足夠的驅(qū)動(dòng)功率，最好還要有完善的保護(hù)功能，例如退飽和保護(hù)、兩電平關(guān)斷、軟關(guān)斷、欠壓保護(hù)等，為IGBT的安全運(yùn)行保駕護(hù)航。
2023-09-19
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如何選擇和開(kāi)始使用功率器件驅(qū)動(dòng)器
所有的分立式開(kāi)關(guān)功率器件都需要驅(qū)動(dòng)器，無(wú)論這些器件是分立式金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC) MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 還是模塊。驅(qū)動(dòng)器是系統(tǒng)處理器的低電壓、低電流輸出端與開(kāi)關(guān)器件之間的接口元件或“橋梁”，前者在受控的良好環(huán)境中運(yùn)行，而后者則在惡劣條件下工作，對(duì)電流、電壓和定時(shí)有著嚴(yán)格的要求。
2023-09-14
- Supermicro DCBBS：重新定義數(shù)據(jù)中心，一站式實(shí)現(xiàn)速度、性能與能效的飛躍
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