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Vishay榮獲EE Times評選的模擬集成電路類年度最佳產(chǎn)品獎

日前，Vishay宣布，該公司的SiP12510 和SiP12511白色LED驅(qū)動器榮獲2008年EE Times評選的年度電子產(chǎn)品創(chuàng)新 (ACE) 獎項中的模擬集成電路類最佳產(chǎn)品獎。ACE 獎褒獎電子工程業(yè)最具創(chuàng)新的公司及突破性技術(shù)。

2008-05-06
TSFF5510：Vishay寬視角新型高功率高速紅外發(fā)射器

Vishay推出其首款寬視角、采用引腳封裝的紅外發(fā)射器，從而擴(kuò)大了其光電子產(chǎn)品組合。通過其獨特設(shè)計的鏡頭，TSFF5510具有 ±38o 視角，與標(biāo)準(zhǔn)的 5 mm 發(fā)射器相比，可提供更優(yōu)異的性能。

2008-04-30
8STH06FP/8S2TH06FP/15STH06FP/15S2TH06FP：Vishay 四款高頻整流器

日前，Vishay推出四款新型 600V FRED Pt 超高速整流器，這些器件具有超快、超穩(wěn)定的反向恢復(fù)時間及低正向壓降，可減少高效 PFC 及 SMPS 應(yīng)用中的開關(guān)損失。

2008-04-25
Vishay的電點火器芯片電阻器榮獲 EDN無源元器件和互聯(lián)欄目第18屆年度創(chuàng)新獎

Vishay日前宣布，在4月14日加利福尼亞州圣荷西舉辦的宴會和頒獎典禮上，其電點火器芯片電阻器（EPIC）榮獲無源元器件和互聯(lián)欄目的EDN創(chuàng)新獎。

2008-04-24
Si8441DB/Si8451DB：Vishay超薄20V P通道功率MOSFET

日前，為滿足對便攜式設(shè)備中更小元件的需求，Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET，該器件采用 MICRO FOOT芯片級封裝，具有超薄厚度及最低導(dǎo)通電阻。

2008-04-09
VEMT系列：Vishay PLCC-2 封裝的新型硅NPN光電晶體管

日前，Vishay推出采用可與無鉛 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面貼裝封裝的新系列寬角光電晶體管。VEMT 系列中的器件可作為當(dāng)前 TEMT 系列光電晶體管的針腳對針腳及功能等同的器件，從而可實現(xiàn)快速輕松的替代，以滿足無鉛 (Pb) 焊接要求。

2008-04-04
Vishay HE3 濕鉭高能電容器被今日電子雜志評為年度最佳產(chǎn)品

日前，Vishay宣布，其HE3 濕鉭高能電容器榮獲今日電子雜志“2007 年度最佳產(chǎn)品獎”。

2008-03-31
Si7192DP：Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件，該器件具有破紀(jì)錄的導(dǎo)通電阻規(guī)格及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。

2008-03-26
GA..系列：Vishay高額定電流的半橋600V 及1200V IGBT模塊

日前，Vishay宣布推出采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) Int-A-Pak 封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)。該系列由八個 600V 及 1200V 器件組成，這些器件采用多種技術(shù)，可在標(biāo)準(zhǔn)及超快速度下實現(xiàn)高開關(guān)工作頻率。

2008-03-14
VLMW611../VLMW621..系列：Vishay新型功率SMD LED

日前，Vishay推出采用 InGan技術(shù)且具有低電阻及高光功率的兩個新系列暖白色 SMD LED。VLMW611..系列采用 CLCC-6 封裝，而 VLMW621..系列采用具有 0.9mm 業(yè)界超薄厚度的 CLCC-6 扁平封裝。

2008-03-12
PTS：Vishay新型鉑SMD倒裝片溫度傳感器

日前，Vishay宣布推出具有三種標(biāo)準(zhǔn)芯片尺寸 — 0603、0805 及 1206 — 且采用先進(jìn)薄膜技術(shù)的新型鉑 SMD 倒裝片溫度傳感器。這些器件具有 ≤5s（空中）的較短反應(yīng)時間以及 -55°C～+155oC 的溫度范圍。

2008-03-07
CRCW....-EL：Vishay新型高可靠性厚膜電阻

日前，Vishay宣布推出一款新型厚膜電阻，該電阻將超低的電阻值與面向電流感應(yīng)應(yīng)用的小容差及低 TCR 進(jìn)行了完美結(jié)合。

2008-03-07

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