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VHP203：Vishay 新型密封式微型超高精度Z 箔電阻

為滿足高可靠性應(yīng)用中對性能的長期穩(wěn)定性的需求，Vishay推出新型密封式 VHP203微型超高精度 Z 箔電阻。這款新型器件在 0°C～+60°C范圍內(nèi)具有 ±0.05 ppm/°C 的低絕對 TCR、額定功率時 ±5 ppm 的出色功率系數(shù)、±0.001% 的容差，以及 ±0.002% (20 ppm) 的負載壽命穩(wěn)定性。

2008-06-27
D2TO35：Vishay 新型35W厚膜功率電阻

Vishay宣布推出新型 35W 厚膜功率電阻，該器件采用易于安裝的小型 TO-263 封裝 (D2PAK)，并且具有廣泛的電阻值范圍。

2008-06-25
TSHG*系列：Vishay 新型高功率850nm紅外發(fā)射器

Vishay推出采用 5mm 帶引線封裝的新一代 850nm 紅外發(fā)射器，從而拓寬了其光電子產(chǎn)品系列。TSHG5210 與 TSHG6210 具有 ±10°視角，而 TSHG5410 與 TSHG6x10 器件具有±18°視角。它們具有極高的輻射強度以及極低的正向電壓。

2008-06-25
VLMx32**：Vishay 新型熱增強型功率SMD LED

Vishay宣布推出新系列功率表面貼裝LED，這些器件極大改進了散熱與亮度。新型 VLMx32..器件采用帶引線框的 PLCC-4 封裝，可實現(xiàn)比采用 PLCC-2 封裝的 Vishay 高強度 SMD LED 的亮度提高了一倍。對于汽車應(yīng)用，VLMx32**器件已通過 AEC-Q101 汽車標(biāo)準(zhǔn)認證。

2008-06-20
Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級封裝，具有很小占位面積以及 1.2 V 時超低的導(dǎo)通電阻。

2008-06-18
SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET

Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。

2008-05-28
VBUS052BD-HT：Vishay新型雙二極管總線端口保護陣列

日前，Vishay宣布推出新小型雙二極管 ESD 保護陣列，旨在保護兩個高速 USB 端口或最多兩條其他高頻信號線不受瞬態(tài)電壓信號干擾。

2008-05-23
BU25/BU20/BU15/BU12/BU10：Vishay新型整流器系列

Vishay宣布推出增強型高電流密度 PowerBridge整流器的新系列，這些器件的額定電流為 10 A 至 25 A，最大額定峰值反向電壓為 600 V 至 1000 V。

2008-05-16
TJ3-HT：Vishay新型環(huán)形高溫電感器

Vishay宣布推出新型環(huán)形高電流、高溫電感器。該器件具有業(yè)內(nèi)最高額定及飽和電流以及業(yè)內(nèi)最低電感和DCR。

2008-05-16
TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容

Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF條件下），而采用0603封裝的具有業(yè)內(nèi)最低的1.5Ω ESR值。

2008-05-14
VFCD1505：Vishay新型高精度Z箔表面貼裝倒裝芯片分壓器

Vishay宣布推出新型VFCD1505表面貼裝倒裝芯片分壓器。當(dāng)溫度范圍在0°C 至 +60°C 以及-55°C 至+125°C時，該分壓器分別具有±0.05ppm/°C和 ±0.2 ppm/°C 的超低絕對 TCR、在額定功率時 ±5ppm的出色PCR跟蹤（自身散熱產(chǎn)生的 ?R）及±0.005%的負載壽命穩(wěn)定度。

2008-05-14
DG系列：Vishay八款高精度儀表應(yīng)用模擬多路復(fù)用器與開關(guān)

日前，Vishay推出八款面向高精度儀表應(yīng)用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復(fù)用器與開關(guān)。這些產(chǎn)品還是同類器件中首批除標(biāo)準(zhǔn) TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無引線微型 QFN 封裝的器件。

2008-05-12

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