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什么是IGBT的退飽和（desaturation）？ 什么情況下IGBT會進(jìn)入退飽和狀態(tài)？
這要從IGBT的平面結(jié)構(gòu)說起。IGBT和MOSFET有類似的器件結(jié)構(gòu)，MOS中的漏極D相當(dāng)于IGBT的集電極C，而MOS的源極S相當(dāng)于IGBT的發(fā)射極E，二者都會發(fā)生退飽和現(xiàn)象。下圖所示是一個(gè)簡化平面型IGBT剖面圖，以此來闡述退飽和發(fā)生的原因。柵極施加一個(gè)大于閾值的正壓VGE，則柵極氧化層下方會出現(xiàn)強(qiáng)反型層，形成導(dǎo)電溝道。
2024-08-30
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第1講：三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史
三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的研究探索，本篇章帶你了解三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史。
2024-08-01
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功率器件模塊：一種滿足 EMI 規(guī)范的捷徑
相鄰或共用導(dǎo)電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過程受到干擾。要確保各電氣系統(tǒng)在同一環(huán)境中不干擾彼此的正常運(yùn)行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導(dǎo)體器件在工作期間需要進(jìn)行快速開關(guān)，因此通常會產(chǎn)生傳導(dǎo)型 EMI。在開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程中，器件兩端的電壓和流經(jīng)器件的電流會迅速改變狀態(tài)。開、關(guān)狀態(tài)間變化會產(chǎn)生 dv/dt 和 di/dt，從而在開關(guān)頻率的諧波頻率上產(chǎn)生 EMI。
2024-07-08
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一文了解SiC MOS的應(yīng)用
作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗，同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。
2024-06-20
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借助智能功率模塊系列提高白色家電的能效
CIPOS? Mini IM523系列是一個(gè)全新的智能功率模塊（IPM）系列，這些產(chǎn)品采用完全隔離的雙列直插式封裝，通過集成第二代逆導(dǎo)型IGBT，可以實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)能效。IM523智能功率模塊具有一個(gè)帶自舉功能的集成式絕緣體上硅柵極驅(qū)動器和一個(gè)可向控制器提供模擬反饋信號的溫度監(jiān)測器，從而最大限度地減少了對外部元件的需求。得益于這些特性，這個(gè)新的IPM系列的產(chǎn)品堪稱冰箱和洗衣機(jī)等家用電器所使用的變頻系統(tǒng)的完美搭檔。
2024-06-17
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MOSFET器件的高壓CV測試詳解
MOSFET、IGBT和BJT等半導(dǎo)體器件的開關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設(shè)計(jì)者需要知道這些參數(shù)。例如，設(shè)計(jì)一個(gè)高效的開關(guān)電源將要求設(shè)計(jì)者知道設(shè)備的電容，因?yàn)檫@將影響開關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標(biāo)說明書中提供。
2024-06-08
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仿真微調(diào)：提高電力電子電路的精度
在電力電子和電路仿真領(lǐng)域，精度至關(guān)重要。仿真結(jié)果的真實(shí)性取決于各個(gè)器件所采用模型的準(zhǔn)確性。無論是 IGBT、碳化硅 (SiC) 還是硅 MOSFET，仿真預(yù)測的可靠性與模型的精度密切相關(guān)。老話說得好，“垃圾進(jìn)，垃圾出”，即如果輸入的是垃圾，那么輸出的也是垃圾。
2024-05-09
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SEMI-e 第六屆深圳國際半導(dǎo)體展，華為 華天 長電 上海華力等頭部企業(yè)6月齊聚
6月26-28日，由深圳中新材會展有限公司聯(lián)合中國通信工業(yè)協(xié)會、江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、成都集成電路行業(yè)協(xié)會、東莞巿集成電路行業(yè)協(xié)會舉辦的SEMI-e第六屆深圳國際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會（簡稱：SEMI-e）將在深圳會展中心4.6.8號館盛大召開，聚焦半導(dǎo)體行業(yè)的各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域，展示以設(shè)計(jì)、芯片、晶圓制造與封裝，半導(dǎo)體專用設(shè)備與零部件，先進(jìn)材料，第三代半導(dǎo)體/IGBT，汽車半導(dǎo)體/車規(guī)級先進(jìn)封裝技術(shù)為主的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，全面展示了半導(dǎo)體行業(yè)的新技術(shù)、新產(chǎn)品、新亮點(diǎn)、新趨勢，構(gòu)建起了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)交流融合的新生態(tài)。展出面積60,000平方米，800家超高質(zhì)量展商齊聚，打造華南半導(dǎo)體領(lǐng)域最具有影響力和代表性的行業(yè)盛會。
2024-04-30
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Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比
眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電源產(chǎn)品。然而，Qorvo研發(fā)的SiC“共源共柵結(jié)構(gòu)”FET器件（如圖2所示）使這項(xiàng)技術(shù)更進(jìn)一步。這些器件基于獨(dú)特的“共源共柵結(jié)構(gòu)”電路配置，將一個(gè)常開型SiC JFET器件與一個(gè)硅基MOSFET共同封裝，形成一個(gè)集成的常關(guān)型SiC FET器件。在接下來的段落中，我們將詳細(xì)闡述 Qorvo 研發(fā)的 SiC FET（共源共柵結(jié)構(gòu)FET）相較于同類SiC MOSFET的顯著優(yōu)勢。
2024-04-15
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如何通過SiC增強(qiáng)電池儲能系統(tǒng)？
電池可以用來儲存太陽能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開關(guān)的替代方案，改善BESS的性能。
2024-03-22
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雙脈沖測試（DPT）的方法解析
雙脈沖測試（DPT）是一種被廣泛接受的評估功率器件動態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間，可以在第一個(gè)脈沖結(jié)束和第二個(gè)脈沖開始時(shí)捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關(guān)瞬態(tài)行為。
2024-03-19
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【第三代半導(dǎo)體、汽車半導(dǎo)體等四場熱門盛會6月齊聚深圳，論壇議程搶先看！】
深圳，這座中國科技創(chuàng)新的璀璨明珠，即將在2024年6月26日至28日迎來一場科技盛宴。SEMI-e第六屆深圳國際半導(dǎo)體暨應(yīng)用展覽會（SEMI-e)即將于深圳國際會展中心（寶安新館）4.6.8號館開啟，并分別舉辦2024中國汽車半導(dǎo)體大會、第五屆第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰技術(shù)論壇以、第六屆深圳半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)高峰會及第二屆人工智能——算力/算法/存儲大會暨展示會，四場熱門盛會齊聚一堂，聚焦半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域: 汽車半導(dǎo)體、IGBT、Al算力、算法、存儲、電源及儲能、Mini/Micro-LED 等各種最新應(yīng)用解決方案。
2024-03-18
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