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Vishay提供計算IHLP電感開關損失的在線工具
Vishay目前在其網(wǎng)站上提供了計算 IHLP? 電感器開關損失的基于 Web 的免費工具。這種易于使用的開關損失計算器可針對各個單獨應用進行定制，從而使設計人員能夠選擇正確的部件以優(yōu)化板設計，同時加速產(chǎn)品上市時間。該開關損失計算器可用于降壓、升壓及降壓/升壓直流到直流轉換器拓撲結構。
2008-12-18
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IHLP-2020CZ-11：Vishay最新薄型、高電流電感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出采用 2020 封裝尺寸的新型IHLP薄型、高電流電感器 --- IHLP-2020CZ-11。這款小型 IHLP-2020CZ-11 器件具有 3.0mm 的超薄厚度、寬泛的電感范圍及低 DCR。
2008-12-18
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VBUS052CD-FAH/4CD-FHI：Vishay新型ESD保護陣列
日前，Vishay推出兩款具有低電容及漏電流的最新小型ESD 保護陣列--- 2 線路的 VBUS052CD-FAH 和 4 線路的 VBUS054CD-FHI，這些器件可保護高速數(shù)據(jù)線，以防止瞬態(tài)電壓信號。
2008-12-16
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SiB800EDK：Vishay新款超小MOSFET＋SBD器件
日前，Vishay宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強型 PowerPAK SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其在 100 mA 時具有 0.32V 低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至 1.5V 柵極驅動時規(guī)定的額定導通電阻的 MOSFET 進行了完美結合。
2008-12-15
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SiP4613A/B ：Vishay新型高端負載開關器件
日前，Vishay推出一款新型有保護的高端負載開關-- SiP4613A/B。隨著該型器件的面世，Vishay進一步擴充了其電流限制保護負載開關系列。該器件可在 2.4V～5.5V 的電源電壓范圍內運行，并可處理 1A 的持續(xù)輸出電流。
2008-12-11
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EKX系列：Vishay最新高性能鋁電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新系列徑向鋁電容器--- EKX系列器件，這些器件可實現(xiàn) +105°C 的高溫運行，且具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。
2008-12-08
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Vishay推出采用TurboFET技術第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術，利用新電荷平衡漏結構將柵極電荷降低多達 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
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VSMF4720：Vishay新型SMD PLCC2封裝高功率紅外發(fā)射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出采用 PLCC2 封裝的新型 870nm SMD 紅外發(fā)射器，拓寬其光電子產(chǎn)品系列。該器件具有業(yè)界最低的正向電壓及最高的輻射強度。
2008-11-25
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VBUS053AZ-HAF：Vishay新型USB-OTG總線端口保護陣列
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新型超薄 ESD 保護陣列，該器件具有低電容和漏電流，可保護 USB-OTG 端口免受瞬態(tài)電壓信號損壞。新器件在工作電壓為 5.5V 時提供三線 USB ESD 保護，在工作電壓為 12V 時提供單線 VBUS 保護。
2008-11-20
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SiR440DP/SiR866DP/SiR890DP：Vishay新型第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出一款新型 20V n 通道器件，擴展了其第三代 TrenchFET功率MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時具有業(yè)界最低導通電阻及導通電阻與柵極電荷乘積。
2008-11-20
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ECL系列：Vishay最新高電容值高紋波電流SMD鋁電容器
日前，Vishay宣布推出新系列表面貼裝鋁電容器，這些器件可實現(xiàn) +105°C 的高溫運行，具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。新型 ECL系列極化鋁電解電容器可在高密度 PCB 上實現(xiàn)表面貼裝，這些器件具有非故態(tài)、自修復的電解質。為實現(xiàn)高溫運行，其耐熱墊與模塑底板提供了更高的穩(wěn)定性與保護。
2008-11-05
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
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