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IGBT及其子器件的四種失效模式
本文通過案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。
2011-07-07
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IGBT的四大保護(hù)措施
在中大功率的開關(guān)電源裝置中，IGBT由于其控制驅(qū)動(dòng)電路簡單、工作頻率較高、容量較大的特點(diǎn)。本文通過對IGBT損壞機(jī)理的分析，根據(jù)其損壞的原因，提供柵極保護(hù)、過壓、過流、過熱四大有效的保護(hù)措施，以保證IGBT安全可靠工作。
2011-07-07
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影響IGBT驅(qū)動(dòng)電路性能參數(shù)的因素分析
在硬開關(guān)橋式電路中，功率器件IGBT能否正確可靠地使用起著至關(guān)重要的作用。驅(qū)動(dòng)電路就是將控制電路輸出的PWM信號進(jìn)行功率放大，以滿足驅(qū)動(dòng)IGBT的要求，所以，驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的是否合理直接關(guān)系到IGBT的安全、可靠使用。為了確保驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的合理性，使用時(shí)必須分析驅(qū)動(dòng)電路中的參數(shù)。
2011-06-29
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IGBT市場需求加大 供貨緊張持續(xù)到年底
隨著中國高鐵、地鐵、動(dòng)車、風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展，市場對IGBT及其模塊的需求越來越大。據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費(fèi)領(lǐng)域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長一倍以上。
2011-06-28
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英飛凌600V功率開關(guān)器件家族又添新丁
在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會（5月17日至19日）上，英飛凌科技600V逆導(dǎo)型（RC）IGBT家族的兩名新成員閃亮登場。
2011-06-01
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2014年IGBT銷售額將增一倍
據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費(fèi)領(lǐng)域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長一倍以上。
2011-04-18
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場效應(yīng)管在音響電路中的合理應(yīng)用
本文通過兩個(gè)容易被發(fā)燒友特別是初學(xué)者所忽略的要點(diǎn)來說明場效應(yīng)管的合理應(yīng)用。目前，應(yīng)用于音響領(lǐng)域的場效應(yīng)管包括結(jié)型管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOsFET)，而后者又分為LDMOS、VMOS及近年出現(xiàn)的UHC、IGBT等，并且至今仍在不斷發(fā)展與完善之中。
2011-04-08
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PCIM-Asia優(yōu)質(zhì)廠商引領(lǐng)IGBT市場格局
PCIM-Asia優(yōu)質(zhì)廠商引領(lǐng)IGBT市場格局
2011-03-24
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IGBT 在不間斷電源（UPS）中的應(yīng)用
在UPS 中使用的功率器件中IGBT 成為UPS 功率設(shè)計(jì)的首選，只有對IGBT的特性充分了解和對電路進(jìn)行可靠性設(shè)計(jì)，才能發(fā)揮IGBT 的優(yōu)點(diǎn)。本文介紹UPS 中的IGBT 的應(yīng)用情況和使用中的注意事項(xiàng)。
2011-03-01
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優(yōu)化高電壓IGBT在高效率太陽能逆變器中的應(yīng)用
多年來的調(diào)查和分析顯示，IGBT比其他功率晶體管有更多優(yōu)點(diǎn)，當(dāng)中包括更高電流能力，利用電壓而非電流來進(jìn)行柵極控制，以及能夠與一個(gè)超快速恢復(fù)二極管協(xié)同封裝來加快關(guān)斷速度。此外，工藝技術(shù)及器件結(jié)構(gòu)的精細(xì)改進(jìn)也使IGBT的開關(guān)性能得到相當(dāng)?shù)母纳?。其他?yōu)點(diǎn)還包括更好的通態(tài)性能，以及擁有高度耐用性和寬安全工作區(qū)。在考慮這些質(zhì)量之后，這種功率逆變器設(shè)計(jì)就會選用高電壓IGBT，作為功率開關(guān)的必然之選。
2011-02-06
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IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點(diǎn)，近年來在各種電能變換裝置中得到了廣泛應(yīng)用。本文基于EXB841設(shè)計(jì)IGBT的驅(qū)動(dòng)電路如圖2所示，包括外部負(fù)柵壓成型電路、過流檢測電路、虛假過流故障識別與驅(qū)動(dòng)信號鎖存電路，故障信息報(bào)警電路。
2011-01-24
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IGBT進(jìn)口替代空間大 電子元器件需求強(qiáng)勁
由于全球金融危機(jī)和半導(dǎo)體行業(yè)的周期性波動(dòng)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)品出貨量從 08年4季度到09年1季度經(jīng)歷了大幅下滑，主要經(jīng)濟(jì)體的半導(dǎo)體產(chǎn)品出貨量都降到5年以來的最低水平。隨著經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇，半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)勁復(fù)蘇并步入景氣上升階段，到09年4季度半導(dǎo)體產(chǎn)品的出貨量基本恢復(fù)到08年的最高水平。
2010-12-31
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