-
IGBT模塊的作用
對IGBT的特性及使用時的注意事項進行了探討，提出了選擇和安裝過程中應(yīng)該注意的方面。
2012-03-15
-
IGBT整流器功率因數(shù)控制方法及CT損壞對整流器的影響
IGBT整流器是一種電壓型PWM整流器，具有能量雙向流動、恒定直流電壓控制，以及高功率因數(shù)控制（cosφ≈1.0）等特點。使用該類型整流器除了實現(xiàn)高功率因數(shù)節(jié)省電能外，還能夠減少電網(wǎng)諧波，省去電網(wǎng)側(cè)無功補償svc裝置。本文介紹IGBT整流器功率因數(shù)控制的方法及CT損壞對整流器的影響。
2012-02-29
-
基于EXB841的IGBT驅(qū)動與保護電路設(shè)計
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點，近年來在各種電能變換裝置中得到了廣泛應(yīng)用。但是，IGBT的門極驅(qū)動電路影響IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時間、快開關(guān)損耗、承受短路電流能力及du/dt等參數(shù)，并決定了IGBT靜態(tài)與動態(tài)特性。因此設(shè)計高性能的驅(qū)動與保護電路是安全使用IGBT的關(guān)鍵技術(shù)。
2012-02-21
-
逆變H橋IGBT單管驅(qū)動+保護詳解
本文給逆變器的后級H橋電路換上IGBT管，從IGBT的驅(qū)動電路、電流采集電流和保護機制三個角度，深入了解IGBT的相關(guān)特性，發(fā)現(xiàn)采用峰值電流保護的措施能讓逆變H橋電路中的IGBT不會炸。
2012-02-07
-
大功率變流器系統(tǒng)H橋低感疊層母線排設(shè)計
本文從實際出發(fā)，針對80kva/400a變流系統(tǒng)h橋母線排提出一種新的優(yōu)化設(shè)計方案，從igbt布局，母排結(jié)構(gòu)設(shè)計，緩沖吸收電路選擇等方面全方位保證母排電感參數(shù)達到最優(yōu)，在實際應(yīng)用中有很好的可行性和可靠性。
2012-02-07
-
AUIR0815S：IR推出超低輸出阻抗車用柵極驅(qū)動IC
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用IC ── AUIR0815S，具備超過10 A 的高輸出電流，能夠驅(qū)動逆變器級的大型 IGBT 和 MOSFET，適用于混合動力汽車和電動汽車中的動力系統(tǒng)。
2012-02-02
-
UCC27524/UCC27210(1)：TI推出高效率可靠MOSFET驅(qū)動器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出3款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅(qū)動器，進一步壯大其MOSFET驅(qū)動器產(chǎn)品陣營。UCC27210與UCC27211是業(yè)界首批120 V啟動高低側(cè)雙通道輸出MOSFET驅(qū)動器，可在解決驅(qū)動器輸入-10 V直流電(VDC)抗擾度問題的同時，提供高達4 A的輸出電流。此外，TI還面向二次側(cè)同步整流器MOSFET及IGBT電源開關(guān)推出了業(yè)界速度最快的5 A雙通道低側(cè)驅(qū)動器UCC27524。
2012-01-17
-
IGBT強驅(qū)動電路的設(shè)計及電流尖峰抑制方案
根據(jù)脈沖滲碳電源要求，本文設(shè)計了一種具有高可靠性、信號傳輸無延遲、驅(qū)動能力強等特點的IGBT強驅(qū)動電路，詳細分析了工作原理，并對電路測試中出現(xiàn)的電流尖峰進行了抑制。在此基礎(chǔ)上得出幾個主要影響驅(qū)動電路的因素。
2012-01-13
-
PWM放大器的中頻電源研究
隨著電力電子技術(shù)及器件的發(fā)展；特別是功率MOSFET、IGBT、MCT、IPM以及單片集成脈寬調(diào)制功率放大器等新型器件的出現(xiàn)；使電壓型SPWM逆變器得到廣泛的關(guān)注、開發(fā)和應(yīng)用。
2012-01-04
-
DC/DC電源技術(shù)研究
隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，很多場合需要大功率大電流的直流電源。EAST的磁約束核聚變裝置使用的直流快控電源即是一種大功率直流電源，其技術(shù)要求為：電壓響應(yīng)時間1ms峰值電壓50V；最大電流20kA，能實現(xiàn)4個象限的運行。針對此要求，不可避免地需采用電源并聯(lián)技術(shù)，即功率管并聯(lián)或電源裝置的并聯(lián)。對于20kA直流電源，若采用功率管IGBT并聯(lián)，每個橋臂則至少需15只功率管并聯(lián)，這不但給驅(qū)動帶來很大困難，而且，在一般情況下，電流容量較大的功率管的電壓容量也較大，在實際電壓只有50V 的情況下，對功率管的電壓容量而言，這是極大的浪費。因此，提出采用多米諾結(jié)構(gòu)的DC/DC電源裝置并聯(lián)技術(shù)思路。
2011-12-27
-
一種緊湊型全橋DC-DC隔離電源設(shè)計
新型電力電子器件IGBT作為功率變換器的核心器件，其驅(qū)動和保護電路對變換器的可靠運行至關(guān)重要。集成驅(qū)動是一個具有完整功能的獨立驅(qū)動板，具有安裝方便、驅(qū)動高效、保護可靠等優(yōu)點，是目前大、中功率IGBT驅(qū)動和保護的最佳方式。集成驅(qū)動一般包括板上DC-DC隔離電源、PWM信號隔離、功率放大、故障保護等4個功能電路，各功能電路之間互相配合，完成IGBT的驅(qū)動及保護。
2011-12-19
-
IGBT逆變焊機電磁騷擾的抑制
本文從分析IGBT 逆變焊機電磁騷擾的來源、危害入手，結(jié)合GB15579.10-2008《弧焊設(shè)備 第10部分：電磁兼容性(EMC)要求》標準，介紹了采用金屬外殼的 IGBT 逆變焊機要通過 EMC 測試，應(yīng)采取哪些措施來減小諧波電流、電源端子騷擾電壓，并提出了可行的解決方案。
2011-12-07
- Supermicro DCBBS：重新定義數(shù)據(jù)中心，一站式實現(xiàn)速度、性能與能效的飛躍
- 速度覺醒！Crucial 英睿達 DDR5 Pro OC 游戲內(nèi)存發(fā)布，幀率提升高達25%
- 單芯片決勝智能互聯(lián)：Microchip新品MCU發(fā)布
- 貿(mào)澤電子三季度重磅上新：瑞薩、Arduino、博世等廠商新品速遞
- 強強聯(lián)合！天鈺科技攜手世強硬創(chuàng)，共拓輕量級AI應(yīng)用市場
- 從華強北到全球焦點：聞泰科技的崛起與博弈困局
- 法國高速公路實現(xiàn)“邊開邊充”，電動貨車動態(tài)充電技術(shù)取得突破
- 全線就緒！中國電子智能制造示范線即將揭幕
- 意法半導(dǎo)體公布2025年第三季度財報
- 連續(xù)四季度執(zhí)行力提升，英特爾加碼AI與代工謀長遠發(fā)展
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
