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IGBT在太陽能應(yīng)用中的高能效設(shè)計(jì)
對(duì)于太陽能逆變器來說，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高載流能力、以電壓而非電流進(jìn)行控制，并能使逆并聯(lián)二極管與IGBT配合。本文將介紹如果利用全橋逆變器拓?fù)浼斑x用合適的IGBT，使太陽能應(yīng)用的功耗降至最低。
2013-05-14
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IGBT在風(fēng)光互補(bǔ)發(fā)電設(shè)計(jì)中新型應(yīng)用
風(fēng)光互補(bǔ)系統(tǒng)主要由風(fēng)力發(fā)電機(jī)、太陽能電池板、風(fēng)光互補(bǔ)控制器、逆變系統(tǒng)等組成，是新型的環(huán)保能源系統(tǒng)。逆變器是風(fēng)光互補(bǔ)發(fā)電系統(tǒng)的關(guān)鍵設(shè)備，直接關(guān)系到供電質(zhì)量和系統(tǒng)運(yùn)行的可靠性。本文提出一種新的IGBT逆變器控制方法，能夠較好的控制逆變器系統(tǒng)的穩(wěn)定，提供高質(zhì)量的供電。
2013-05-11
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一種更精確的IGBT防護(hù)設(shè)計(jì)探究
在使用和設(shè)計(jì)IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設(shè)計(jì)模式——所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題，這一直是IGBT領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)，給廣大設(shè)計(jì)者帶來了不少麻煩。本文將突破傳統(tǒng)的保護(hù)方式，探討IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計(jì)的解決方案。
2013-05-10
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第二講：基于IGBT的高能效電源設(shè)計(jì)
時(shí)至今日，綠色、環(huán)保、低能耗、高能效等理念時(shí)刻影響著消費(fèi)者的決策。為此，廣大設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)就需要盡量降低能耗，實(shí)現(xiàn)高能效。絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）能夠幫助產(chǎn)品設(shè)計(jì)者應(yīng)對(duì)他們所面臨的設(shè)計(jì)具有更高電路效率和性能的產(chǎn)品的挑戰(zhàn)。本文就為大家分析基于IGBT的高能效電源設(shè)計(jì)。
2013-05-10
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半月談：IGBT應(yīng)用設(shè)計(jì)全面剖析
IGBT是電力電子重要大功率主流器件之一，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。那么該如何做好IGBT的保護(hù)及設(shè)計(jì)呢？國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求急劇上升曾使得IGBT市場(chǎng)一度被看好，今后的發(fā)展趨勢(shì)又將如何？
2013-05-09
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SiC BJT：比同類產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升
飛兆半導(dǎo)體最近推出的碳化硅(SiC)雙極結(jié)型晶體管(BJT)將成為IGBT的下一個(gè)替代技術(shù)，它可以在更高的溫度下轉(zhuǎn)換更高的電壓和電流。SiC BJT允許更高的開關(guān)頻率，傳導(dǎo)和開關(guān)損耗降低(30-50%)，從而能夠在相同的尺寸的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升。
2013-05-08
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IGBT與IGCT、IEGT在輕型直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用對(duì)比
IGBT因其電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn)被廣泛用于變頻器的逆變電路中,但隨著電力電子制造技術(shù)的發(fā)展，IGCT及IEGT等新型全控型器件的應(yīng)用范圍正在擴(kuò)大，本文將針對(duì)IGCT、IEGT與IGBT在輕型直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)行對(duì)比。
2013-05-08
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IGBT市場(chǎng)能否迎來“第二春”
作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求急劇上升曾使得IGBT市場(chǎng)一度被看好。但隨著各國(guó)政府都將削減可再生能源及交通等領(lǐng)域的支出，IGBT市場(chǎng)還能再度增長(zhǎng)嗎？
2013-05-03
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美高森美全新IGBT用于大功率、高性能的工業(yè)應(yīng)用
美高森美宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A額定電流型款。全新25A、50A和 70A IGBT器件設(shè)計(jì)用于大功率、高性能的工業(yè)應(yīng)用。
2013-04-07
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SiC BJT：史上最高效率的1200V功率轉(zhuǎn)換開關(guān)
飛兆半導(dǎo)體最近推出的碳化硅(SiC)雙極結(jié)型晶體管(BJT)將成為IGBT的下一代替代技術(shù)，它可以在更高的溫度下轉(zhuǎn)換更高的電壓和電流。它允許更高的開關(guān)頻率，但能保持相同或更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗，從而允許使用更小的電感、電容和散熱器，不僅可降低系統(tǒng)BOM成本，而且可在相同外形因子下提高輸出功率，或以更小的外形尺寸提供相同輸出功率。
2013-03-29
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突破傳統(tǒng)的IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計(jì)
目前，在使用和設(shè)計(jì)IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設(shè)計(jì)模式——所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題。 本文將突破傳統(tǒng)的保護(hù)方式，探討IGBT系統(tǒng)電路保護(hù)設(shè)計(jì)的解決方案。
2013-03-25
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飛兆半導(dǎo)體推出可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)的智能柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器
飛兆半導(dǎo)體推出具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器。該器件是一個(gè)先進(jìn)2.5A的輸出電流IGBT驅(qū)動(dòng)光電耦合器，可驅(qū)動(dòng)大部分1200V/150A IGBT。
2013-03-22
- 強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手！貿(mào)澤電子攜手ATI，為自動(dòng)化產(chǎn)線注入核心部件
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