-
10011系列：Vishay通過新DSCC Drawing 10011認(rèn)證的超高容值液鉭電容器
Vishay宣布，推出通過新DSCC Drawing 10011認(rèn)證的超高容值液鉭電容器 --- 10011系列電容器，針對高可靠性應(yīng)用提供玻璃至金屬密封，具有72,000μF的高容值和低至0.035?的ESR。
2010-05-24
-
Vishay幫助客戶進(jìn)一步了解Vishay Dale電阻技術(shù)的先進(jìn)性
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個(gè)介紹Power Metal Strip?分流電阻的流媒體視頻。
2010-05-10
-
Si7625DN：Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN，用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負(fù)載和電池開關(guān)，該器件的導(dǎo)通電阻是最低的還可以減小電壓降。
2010-05-07
-
CWR06/16：Vishay新款TANTAMOUNT固態(tài)鉭電容可滿足宇航級(jí)應(yīng)用
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其CWR06和CWR16 TANTAMOUNT?固態(tài)鉭電容器現(xiàn)可滿足MIL-PRF-55365為宇航級(jí)應(yīng)用制定的“T”-level要求。
2010-05-04
-
Si8499DB：Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT?封裝的P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內(nèi)，這款20V器件提供業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET最低的導(dǎo)通電阻。
2010-04-29
-
IHLP-1212BZ-11：Vishay推出其最小的IHLP器件
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用1212外形尺寸的新款I(lǐng)HLP?小尺寸、高電流電感器 --- IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今為止Vishay最小的IHLP器件，具有3.0mm x 3.6mm的占位、2.0mm的超小尺寸以及0.22μH至1.5μH的標(biāo)準(zhǔn)感值，其最高頻率可達(dá)1.0MHz。
2010-04-26
-
適用在極端惡劣環(huán)境下的新款薄膜貼片電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式電阻 --- Vishay Sfernice RMKHT和電阻網(wǎng)絡(luò)。
2010-04-19
-
SiA975DJ：Vishay 推出新款雙路12V P溝道功率MOSFET
Vishay 近日宣布推出新款雙路12V P溝道TrenchFET功率MOSFET——SiA975DJ。新器件具有迄今為止雙路P溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻，采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝。
2010-04-15
-
Vishay為MC AT薄膜電阻增加了新的外形尺寸和精度版本
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用0402、0603、0805和1206外形尺寸的電阻器件，擴(kuò)充了MC AT系列專用薄膜貼片式電阻。此外，該系列中具有更低TCR和容差的新款精密版本也已經(jīng)發(fā)布了。
2010-04-14
-
SiA975DJ：雙路12V P溝道TrenchFET功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙路12V P溝道TrenchFET功率MOSFET --- SiA975DJ。新器件具有迄今為止雙路P溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻，采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝。
2010-04-13
-
Vishay推出6767外形尺寸新器件
Vishay4 月 1 日宣布推出采用6767外形尺寸、低外形、高電流的新款I(lǐng)HLP電感器——IHLP-6767DZ-01。IHLP-6767DZ-01具有4.0mm的超薄外形，具有高最高頻率、高達(dá)92A的飽和電流和0.22μH至10.0μH的標(biāo)準(zhǔn)感值。
2010-04-12
-
Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最高容值的新款液鉭電容器
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出通過了DSCC Drawing 10004認(rèn)證的超高容值液鉭電容器 --- DSCC 10004。Vishay的新款DSCC 10004器件具有業(yè)內(nèi)最高的容值，采用軸向T1、T2、T3和T4外形編碼。對于高可靠性應(yīng)用，擴(kuò)展的SuperTan? 10004采用玻璃至金屬的密封封裝，工作溫度范圍為-55℃~+85℃，電壓降額情況下的溫度可達(dá)+125℃，在120Hz下的最大ESR低至0.25Ω。
2010-04-09
- 研華AMAX革新城式：三合一平臺(tái)終結(jié)工業(yè)控制“碎片化”困局
- 安勤雙劍出鞘：HPS-ERSU4A工作站+MAB-T660邊緣AI重塑精準(zhǔn)醫(yī)療
- 【工程師必看】貿(mào)澤上新：三分鐘搞定FTTH終端的光纖快速接頭方案
- 顛覆UWB設(shè)計(jì)！Abracon沖壓金屬天線實(shí)現(xiàn)79ps時(shí)延精度
- 變壓器技術(shù)全景圖：從電磁感應(yīng)到平面革命
- 體積減半性能翻倍！Nexperia CFP15B封裝重塑功率晶體管天花板
- 國產(chǎn)突圍！谷泰微GT4321以250ps延遲刷新USB/音頻切換性能紀(jì)錄
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 變壓器技術(shù)全景圖：從電磁感應(yīng)到平面革命
- 國產(chǎn)MCUGD32E235如何破局家電變頻控制？全場景高能效方案拆解
- 厘米級(jí)世界鏡像：移動(dòng)測繪的技術(shù)突圍與場景革命
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
