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通俗易懂講解IGBT的工作原理和作用

本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點(diǎn)。可以說，IGBT是一個非通即斷的開關(guān)，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

2013-08-05
IGBT主要供應(yīng)商和分銷商大盤點(diǎn)

由于工業(yè)與消費(fèi)領(lǐng)域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長。需求擺在這里，IGBT要從哪里采購呢？本文盤點(diǎn)了IGBT主要供應(yīng)商和分銷商，包括Top 15海外供應(yīng)商和Top 8國內(nèi)供應(yīng)商。

2013-08-05
八大步驟輕松搞定IGBT選型

提高IGBT的導(dǎo)通效率往往需要付出代價：IGBT通常具備相對較高的開關(guān)損耗，這可降低應(yīng)用開關(guān)頻率。面對眾多的IGBT產(chǎn)品，選擇的正確與否決定著你得到的電氣性能和成本。應(yīng)該如何選型？八大步驟，輕松搞定。

2013-08-03
Vishay開發(fā)出可承受1850A電流尖峰沖擊的緩沖電容

中高功率逆變器中的IGBT切換時會引起很大的電壓和電流尖峰，這種尖峰是導(dǎo)致嚴(yán)重EMI的重要原因。Vishay最新開發(fā)的緩沖電容可承受2500V/μs的高能脈沖和1850A的峰值電流，壽命超過30萬小時，可耐105℃高溫。

2013-07-20
IGBT管的萬用表檢測方法

IGBT管，我們在日常生活、工作中都經(jīng)常用到，但不知道大家對“IGBT管的萬用表檢測方法”是否知道呢？本文收集整理了一些資料，希望本文能對各位讀者有比較大的參考價值。

2013-07-12
BJT重獲新生？SiC BJT讓光伏逆變器系統(tǒng)成本顯著降低

過去30 年，基于硅的 BJT在大多數(shù)電源設(shè)計中被MOSFET和IGBT等CMOS替代產(chǎn)品逐漸取代，但是今天，碳化硅賦予 BJT 新的生命，以更高的效率特別是能夠使用更便宜的元件，收復(fù)失地，重新成為受歡迎的替代產(chǎn)品。SiC BJT真的這么厲害嗎？讓我們用事實和數(shù)據(jù)來說話。

2013-06-25
有效防止IGBT短路新設(shè)計

短路故障是IGBT裝置中常見的故障之一，本文針對高壓大容量IGBT的短路故障，分析了IGBT的短路特性，基于已有的IGBT驅(qū)動器和有源電壓箝位技術(shù)，設(shè)計了一種閉環(huán)控制IGBT關(guān)斷過電壓的驅(qū)動電路。通過實驗證明，這種電路可以提高IGBT短路保護(hù)的可靠性。

2013-05-29
英飛凌推出節(jié)約20%PCB面積的高壓IGBT門極驅(qū)動器

近日，英飛凌科技股份有限公司推出新一代應(yīng)用于新能源汽車的高壓IGBT門級驅(qū)動器--EiceDRIVER SIL和EiceDRIVER Boost，與目前的解決方案相比可顯著節(jié)約高達(dá)20%PCB面積，可替代目前的解決方案中高達(dá)60%的分立元件，極大降低整體系統(tǒng)成本。使汽車系統(tǒng)供應(yīng)商便能夠更輕松地設(shè)計出更具成本效益的HEV電力傳動傳動子系統(tǒng)。

2013-05-28
半月談：探究光伏發(fā)電深入解析逆變技術(shù)

盡管近年來光伏行業(yè)形勢不容樂觀，但有預(yù)測顯示，到2015年，光伏組件、逆變器營收將出現(xiàn)強(qiáng)勁增長。因此，光伏發(fā)電逆變技術(shù)前景十分看好。本文將主要針對高壓、大容量逆變器的關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行講解，并分析該如何正確地為光伏逆變器應(yīng)用選擇IGBT。

2013-05-22
igbt模塊和igbt電源模塊

電源模塊，相信大家一定不會陌生了。不知道大家對igbt模塊是否有了解呢？什么是igbt電源模塊呢？以下，小編將與大家分享igbt模塊和igbt電源模塊的相關(guān)方面知識。

2013-05-19
新型電源柵極驅(qū)動器設(shè)計

高功率電平帶來更高的系統(tǒng)電壓，轉(zhuǎn)換器內(nèi)所用各種組件的切斷電壓也更高。單通道UCC27531作為一種小型、非隔離式柵極驅(qū)動器，它的高電源/輸出驅(qū)動電壓范圍為10到35V，讓其成為12V Si MOSFET應(yīng)用和IGBT/SiC FET應(yīng)用的理想選擇。

2013-05-17
安森美推出降低30%開關(guān)損耗的截止型IGBT器件

近日，安森美半導(dǎo)體推出新的第二代場截止型(FSII)IGBT器件，降低開關(guān)損耗達(dá)30%，因而提供更高能效，并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度，為設(shè)計人員增強(qiáng)系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標(biāo)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達(dá)20%。

2013-05-16

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