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貿(mào)澤電子與Innodisk簽訂全球分銷協(xié)議，提供工業(yè)級存儲產(chǎn)品
2022年6月6日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Innodisk簽訂新的分銷協(xié)議。Innodisk（宜鼎國際）是工業(yè)級嵌入式閃存與DRAM存儲產(chǎn)品和技術(shù)的知名供應(yīng)商，專注于企事業(yè)單位以及工業(yè)、醫(yī)療與航空航天等行業(yè)。
2022-06-06
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Xilinx FPGA DDR3設(shè)計（一）DDR3基礎(chǔ)掃盲
DDR3 SDRAM 全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。雙倍速率（double-data-rate），是指時鐘的上升沿和下降沿都發(fā)生數(shù)據(jù)傳輸；同步，是指DDR3數(shù)據(jù)的讀取寫入是按時鐘同步的；動態(tài)，是指DDR3中的數(shù)據(jù)掉電無法保存，且需要周期性的刷新，才能保持數(shù)據(jù)；隨機，是指可以隨機操作任一地址的數(shù)據(jù)。
2022-05-12
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SRII推出兩款A(yù)LD新品，滿足泛半導(dǎo)體應(yīng)用多功能性和靈活性的需求
原子層沉積（ALD）工藝被認為是邏輯和存儲半導(dǎo)體器件微縮化的重要推動力。過去20年，ALD工藝及設(shè)備已經(jīng)廣泛應(yīng)用于邏輯和存儲器件的大批量制造，不斷推動諸如動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）、先進的鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）以及柵極環(huán)繞晶體管等器件性能的改進與創(chuàng)新。隨著摩爾定律放緩，ALD工藝逐漸滲透到更多應(yīng)用領(lǐng)域，如超摩爾(More-than-Moore，MtM)器件的生產(chǎn)中，正在推動新的架構(gòu)、材料和性能的改進。
2022-01-26
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微結(jié)構(gòu)不均勻性（負載效應(yīng)）及其對器件性能的影響：對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
2021-08-23
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美光率先于業(yè)界推出 1α DRAM 制程技術(shù)
2021年 1 月 27 日，中國上海 — 內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU) 今日宣布批量出貨基于 1α (1-alpha) 節(jié)點的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進的 DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。這是繼最近首推全球最快顯存和 176 層 NAND 產(chǎn)品后，美光實現(xiàn)的又一突破性里程碑，進一步加強了公司在業(yè)界的競爭力。
2021-01-27
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美光攜手聯(lián)想、聯(lián)寶科技成立聯(lián)合實驗室，加速開發(fā)下一代PC和筆記本電腦
2021年 1 月 25 日，中國上海 — 內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU) 今日宣布攜手聯(lián)想及聯(lián)寶科技 (聯(lián)想旗下最大的制造和研發(fā)機構(gòu)) 成立聯(lián)合實驗室。該實驗室是內(nèi)存和存儲業(yè)界首家同時聯(lián)合原始設(shè)計制造商 (ODM) 及原始設(shè)備制造商 (OEM) 的聯(lián)合實驗室。這種獨特的三方合作模式將加快美光的 DRAM 和 NAND 前沿創(chuàng)新技術(shù) (例如 GDDR6、LPDDR5、DDR5 和 PCIe 4.0 NVMe SSD) 在聯(lián)想產(chǎn)品設(shè)計中的應(yīng)用，從而更好地滿足用戶的核心工作負載需求。
2021-01-27
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淺談存儲器芯片封裝技術(shù)的挑戰(zhàn)
存儲器想必大家已經(jīng)非常熟悉了，大到物聯(lián)網(wǎng)服務(wù)器終端，小到我們?nèi)粘?yīng)用的手機、電腦等電子設(shè)備，都離不開它。作為計算機的“記憶”裝置，其主要功能是存放程序和數(shù)據(jù)。一般來說，存儲器可分為兩類：易失性存儲器和非易失性存儲器。其中，“易失性存儲器”是指斷電以后，內(nèi)存信息流失的存儲器，例如DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器），包括電腦中的內(nèi)存條。
2020-12-10
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快速的DDR4 SDRAM開創(chuàng)宇航新時代
為了發(fā)掘宇航市場的潛力，衛(wèi)星運營商正通過提供增值服務(wù)，如超高分辨率成像、流媒體視頻直播和星上人工智能，提升星上處理的能力以減少下行鏈路的需求。從2019年到2024年，高吞吐量載荷的市場需求預(yù)計增長12倍，帶寬增加至26500 Gbps。
2020-11-13
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AntMicro開源DRAM控制器添加對RPC DRAM的支持
物聯(lián)網(wǎng)是從半導(dǎo)體技術(shù)的小型化中受益匪淺的領(lǐng)域之一，因為更多的計算能力可以被封裝到越來越小的設(shè)備中。由于體積縮小、功耗降低，各種設(shè)備（包括支持人工智能的設(shè)備）的應(yīng)用方式在幾年前是不可能實現(xiàn)的。這一領(lǐng)域最令人興奮的發(fā)展之一是RPC（reduced pin count）DRAM的出現(xiàn)，這是一種小尺寸的存儲器，Antmicro已經(jīng)開發(fā)了對開源內(nèi)存控制器LiteDRAM的支持。
2020-11-05
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【科普小課堂】工業(yè)級VS消費級，一文讀懂存儲小秘密
面對眾多類型的高性能存儲產(chǎn)品時，你是否曾有過“選擇困難”？遇到DRAM、存儲卡和固態(tài)硬盤時，你是否也曾傻傻分不清楚？沒關(guān)系，以后你不必再為此苦惱。
2020-07-13
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漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別
從20nm技術(shù)節(jié)點開始，漏電流一直都是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設(shè)計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結(jié)構(gòu)異常，DRAM設(shè)計中漏電流造成的問題也會導(dǎo)致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設(shè)計中至關(guān)重要的一個考慮因素。
2020-04-08
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DRAMless并非永遠代表低預(yù)算
閃存控制器的設(shè)計要么具有外部 DRAM（動態(tài)隨機存取內(nèi)存）接口，要么就沒有具備。一旦部署在其應(yīng)用程序中，像是SSD和其他閃存設(shè)備（如USB磁盤驅(qū)動器）中，具有DRAM的設(shè)備通?？梢蕴峁┹^高的性能。這通常是隨機性能。
2020-02-13
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