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最新BGA內(nèi)插器結(jié)合速度最快的邏輯分析儀進(jìn)行DDR4探測(cè)
安捷倫日前宣布推出兩款內(nèi)插器解決方案，可結(jié)合邏輯分析儀用于測(cè)試 DDR4 和 DDR3 DRAM 設(shè)計(jì)。這兩款內(nèi)插器解決方案均能快速且精確地捕獲地址、命令和數(shù)據(jù)信號(hào)，以進(jìn)行設(shè)計(jì)調(diào)試和驗(yàn)證測(cè)量。
2014-05-19
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DRAM供應(yīng)緊張 主流4GB DDR3模組價(jià)格半年來(lái)增長(zhǎng)44%
在DRAM的核心PC市場(chǎng)持續(xù)疲軟之際，服務(wù)器與移動(dòng)產(chǎn)業(yè)抵消了PC需求的持續(xù)下滑，導(dǎo)致DRAM供應(yīng)緊張，進(jìn)而推動(dòng)價(jià)格上漲。今年3月，主流4GB DDR3模組的價(jià)格從去年12月的16美元上升到了23美元。DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)走出谷底，正在恢復(fù)增長(zhǎng)。
2013-05-30
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Molex推出業(yè)內(nèi)最低的底座面高僅1.10mm存儲(chǔ)器技術(shù)
近日，Molex公司推出空氣動(dòng)力型DDR3 DIMM插座和超低側(cè)高DDR3 DIMM存儲(chǔ)器模塊插座產(chǎn)品組合。超低側(cè)高DDR3 DIMM插座的底座面高僅1.10mm，為業(yè)內(nèi)最低；并且壓接插座的針孔型順應(yīng)引腳更小，有效節(jié)省了寶貴的PCB空間，適用于較高密度的電子線路設(shè)計(jì)。
2013-05-20
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【盤點(diǎn)】存儲(chǔ)模塊連接器，你用對(duì)了嗎？
筆記本內(nèi)存有Micro DIMM和Mini Registered DIMM兩種接口。Micro DIMM接口的DDR為172pin，DDR2為214pin；Mini Registered DIMM接口為244pin，主要用于DDR2內(nèi)存。DDR3 SO-DIMM接口為204pin。如何選擇，請(qǐng)看本文詳細(xì)解讀？
2013-01-09
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IDT推出最低功率DDR3內(nèi)存緩沖芯片
IDT推出最低功率DDR3內(nèi)存緩沖芯片MB3518，擁有獨(dú)有的調(diào)試和驗(yàn)證特性，包括每個(gè)引腳和晶片示波器的支持和內(nèi)置邏輯分析儀的采集以促進(jìn)全緩沖 DIMM 拓?fù)浼夹g(shù)的開發(fā)、驗(yàn)證和測(cè)試。這些特性對(duì)于 LRDIMM 模塊上的內(nèi)存緩沖到 DRAM 接口尤其重要，因?yàn)樗峭耆?dú)立于主控制器和自動(dòng)測(cè)試儀的。
2012-11-13
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ddr3和ddr2的區(qū)別
DDR3由于新增了一些功能，所以在引腳方面會(huì)有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝。
2012-07-04
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DDR3引領(lǐng)DRAM模組市場(chǎng)，完全占據(jù)主導(dǎo)地位
據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM模組市場(chǎng)追蹤報(bào)告，由于速度更快和功耗較低，DDR3技術(shù)在2012年初幾乎完全統(tǒng)治了DRAM模組市場(chǎng)。
2012-05-03
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擴(kuò)展探頭帶寬以提高信號(hào)保真度
由于存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)日趨復(fù)雜和緊湊，數(shù)據(jù)速率越來(lái)越高，使用BGA探頭探測(cè)DDR DRAM越來(lái)越受歡迎并已成為一種需求。DDR3和DDR4數(shù)據(jù)速率從800MT/s增加到約3200MT/s。
2011-11-18
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七月上旬DRAM合約均價(jià)直逼金融風(fēng)暴時(shí)期
根據(jù)集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，七月上旬合約價(jià)再度呈現(xiàn)下跌的價(jià)格走勢(shì)，DDR3 2GB及4GB合約均價(jià)分別在16美元(1Gb $0.84)及31美元(2Gb $1.78)，跌幅各為7.25%與7.46%，此價(jià)格已經(jīng)逼近金融風(fēng)暴時(shí)期的最低價(jià)格水位，從市場(chǎng)面來(lái)觀察，由于三月日本地震過(guò)后，PC-OEM廠曾提升手上庫(kù)存水位，以防出貨發(fā)生斷煉危機(jī)，亦讓五月合約價(jià)格起漲最高至19美元，但由于全球市場(chǎng)對(duì)于下半年P(guān)C出貨數(shù)字趨向保守，PC-OEM廠亦紛紛調(diào)降出貨目標(biāo)，甚至六月部份合約客戶取消原本要進(jìn)貨的數(shù)量，調(diào)降目前高達(dá)4-6周左右的庫(kù)存水位，故七月上旬合約價(jià)方面，在PC-OEM客戶采購(gòu)意愿不高與DRAM廠有出貨壓力下，合約價(jià)格已轉(zhuǎn)為買方主導(dǎo)，上旬合約價(jià)一路下探至15.5美元價(jià)位，七月下旬合價(jià)格不排除將繼續(xù)探底。
2011-07-18
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Linear推出同步降壓型穩(wěn)壓器LTC3634應(yīng)用于DDR存儲(chǔ)器供電
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、雙通道單片同步降壓型穩(wěn)壓器LTC3634，該器件為DDR1、DDR2和DDR3 SDRAM控制器提供電源和總線終端軌。
2011-07-05
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泰科電子推出超低型DDR3雙列直插式內(nèi)存模組插槽
泰科電子（TE）按照J(rèn)EDEC工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推出了新型超低型VLP （very low-profile）第三代雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR3）雙列直插式內(nèi)存模組（DIMM）插槽。
2010-12-13
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2010年半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將勁揚(yáng)113.2%
Gartner副總裁Klaus Rinnen表示：技術(shù)升級(jí)，將帶動(dòng) 2010年半導(dǎo)體資本設(shè)備市場(chǎng)的成長(zhǎng)。對(duì)40奈米和45奈米設(shè)備的需求大幅增加，帶動(dòng)晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對(duì)3x奈米的投資，NAND 記憶體制造商支出增加，以及升級(jí)至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體，皆為主要的投資成長(zhǎng)動(dòng)能。
2010-06-21
- 差分振蕩器設(shè)計(jì)的進(jìn)階之路：性能瓶頸突破秘籍
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