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燦瑞半導體推出音頻功率放大器IC
全球手機的出貨量在持續(xù)穩(wěn)定的增長，在中國手機市場中,Feature Phone 和 Smart Phone 音樂播放的揚聲器已經(jīng)是一個標準配置，音樂手機對高質量的音頻輸出要求也日益提高。在設計手機方案音頻模塊時，如何抗音頻破音輸出和合理的音頻增益控制是手機硬件設計工程師最為關注的，希望音頻的音量輸出音質好、音量大、而又不出現(xiàn)破音。這需要花費大量的時間來對方案的硬件系統(tǒng)進行測試和調(diào)節(jié)。
2010-11-09
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Freescale推出3款功率晶體管滿足Doherty放大器體系結構的特殊要求
飛思卡爾半導體推出3款新型RF LDMOS功率晶體管，提供在無線基站收發(fā)器里使用Doherty多載波功率放大器（MCPA）要求的超高輸出電平。
2010-10-08
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GaAs功率放大器出貨旺盛，ANADIGICS全力擴產(chǎn)抓商機
隨著市場景氣程度的恢復，蘋果iPhone 4和摩托羅拉Droid等手機的熱賣讓智能手機和3G手機出貨量不斷攀升，再加上具備WLAN功能的平板電腦等設備的流行和WiMAX的起步，砷化鎵功率放大器（GaAs PA）產(chǎn)業(yè)在經(jīng)濟危機過后迎來了強勢反彈的機會。據(jù)相關市場調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，全球GaAs市場將由2008年的39億美元增長到2011年的50億美元。
2010-07-28
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ANADIGICS面向日益發(fā)展的3G移動設備市場推出新系列功率放大器
ANADIGICS, Inc.今日發(fā)布了新型HELP4TM WCDMA單頻功率放大器（PA）――AWT66xx系列，該系列放大器是為業(yè)界最通用的基于WCDMA（寬帶碼分多址）的3G移動設備設計的。
2010-07-21
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飛思卡爾面向TD-SCDMA 推出兩款LDMOS射頻功率晶體管
飛思卡爾半導體公司今天推出兩款LDMOS射頻功率晶體管。在中國，時分同步碼分多址存?。═D-SCDMA）無線網(wǎng)絡被廣泛應用，而這些射頻功率晶體管已經(jīng)專為服務于上述網(wǎng)絡的基站中所使用的功率放大器進行了優(yōu)化。 這些先進的器件是專為TD-SCDMA 設計的飛思卡爾LDMOS 功率晶體管系列中的最新產(chǎn)品，而TD-SCDMA在業(yè)界被廣泛部署。
2010-05-10
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D類音頻功率放大器的熱耗散分析
D類放大器的散熱片可以根據(jù)輸出功率的半峰值安全地設計尺寸。但是，設計師們?nèi)员仨毚_定準確的散熱片的尺寸，成本和應用。放大器的PCB設計也可以用于減小散熱量。采用大規(guī)模集成電路的銅墊以及連接IC的所有最寬的PC走線可以最大限度的降低功耗。本文詳細介紹D類音頻功率放大器的熱耗散分析
2010-05-05
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電子管OTL功放原理及電路
電子管OTL功率放大器的音質清澄透明，保真度高，頻率響應寬闊，高頻段與低頻段的頻率延伸范圍一般可達10HZ～100kHz，而且其相位失真、非線性失真、瞬態(tài)響應等技術性能均有明顯提高。本文為你講述電子管OTL功放原理及電路
2010-04-28
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三電平H橋輸出D類放大器
音頻功率放大器無所不在，有音樂響起的地方就會有音頻放大器的身影，一代代的電子工程師在這個領域辛勤耕耘撒播智慧。音頻放大器是要以一定的音量和功率在揚聲器或耳機上真實、高效的重現(xiàn)聲音信號。本文為你介紹廣泛適用消費電子的三電平H橋輸出D類放大器
2010-04-26
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DC-DC電源驅動PA提高WCDMA手機發(fā)送效率
MAX1820開關模式電源經(jīng)過優(yōu)化，能夠提高W-CDMA手機的發(fā)送效率。通過極大地降低功率放大器(PA)的VCC，大大減小了最大發(fā)送功率以下各個功率對應的電池電流。針對該應用，對MAX1820的設計進行了單獨的優(yōu)化。
2009-10-22
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便攜產(chǎn)品中的EMI、ESD器件整合應用新趨勢
便攜設備面臨著諸多潛在的電磁干擾(EMI)/射頻干擾(RFI)源的風險，如開關負載、電源電壓波動、短路、電感開關、雷電、開關電源、RF放大器和功率放大器、帶狀線纜與視頻顯示屏的互連及時鐘信號的高頻噪聲等。因此，設計人員需要針對音頻插孔/耳機、USB端口、揚聲器、鍵盤、麥克風、相機、顯示屏互連等多個位置，為便攜設備選擇適合的EMI/RFI濾波方案。
2009-08-05
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富士通開發(fā)出適用于功率放大器的CMOS邏輯高壓晶體管
富士通微電子(上海)有限公司近日宣布，富士通實驗室和富士通株式會社聯(lián)合開發(fā)出一款具有高擊穿電壓并基于邏輯制程的CMOS高壓晶體管，該晶體管適用于無線設備的功率放大器。作為先進科技的先驅，富士通開發(fā)完成了世界上第一代基于45納米工藝的CMOS晶體管，能夠處理10V功率輸出，這使得晶體管能夠處理用于WiMAX和其它高頻應用的功率放大器的高輸出要求。這一新技術能夠將功能放大器和CMOS邏輯控制電路在同一塊芯片上集成，可實現(xiàn)單芯片的工作模式，從而使生產(chǎn)出高性能和低功耗的功能放大器成為可行。
2009-01-02
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大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設計
利用MOS場效應管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術，設計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調(diào)試及實用結果表明，該放大器工作穩(wěn)定，性能可靠。
2008-10-13
- 光電耦合器的進階：全面了解光繼電器技術與選型策略
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