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歐姆龍（廣州）汽車電子有限公司二期工廠破土動(dòng)工
10月初，歐姆龍（廣州）汽車電子有限公司的二期工廠破土動(dòng)工，預(yù)計(jì)于2009年9月竣工。二期工廠占地面積為20，000平米。該工廠的建成，對(duì)于歐姆龍（廣州）汽車電子有限公司事業(yè)的發(fā)展有著至關(guān)重要的意義。二期工廠將進(jìn)行新產(chǎn)品EPS（Electric Power Steering)的生產(chǎn)。
2008-11-24
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USB正式邁入3.0時(shí)代：速度提高10倍
由Intel、微軟、惠普、德州儀器、NEC、ST-NXP等業(yè)界巨頭組成的“USB 3.0推動(dòng)組織”近日宣布，該組織負(fù)責(zé)制定的新一代USB 3.0標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)正式完成并公開發(fā)布。USB 3.0標(biāo)準(zhǔn)的最大傳輸帶寬高達(dá)5.0Gb/s，是目前廣泛使用的USB 2.0速度的10倍以上(USB 2.0為480Mb/s)。
2008-11-21
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ASMT-Mx20/ASMT-Mx22：安華高科技固態(tài)照明應(yīng)用3W高功率LED
Avago Technologies (安華高科技) 日前宣布，為 Moonstone系列添加新 3W 高功率 ASMT-Mx20 冷白光以及 ASMT-Mx22 暖白光薄型化 LED 產(chǎn)品。Avago 的 ASMT-Mx20/Mx22 表面貼裝 LED 主要面向固態(tài)照明應(yīng)用設(shè)計(jì)，可以通過高電流驅(qū)動(dòng)達(dá)到 145 流明 (lm) 的光度輸出，帶來業(yè)內(nèi)最好的輸出性能之一，這些 3W 的新 LED 產(chǎn)品非常適合路燈、建筑、便攜式、零售以及普通照明應(yīng)用。
2008-11-18
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Amphenol公司推出緊密型印刷電路板(PCB)電源連接器
AmphenolIndustrial現(xiàn)在推出了三款緊密、高安培數(shù)的連接器，適用于與印刷電路板的高強(qiáng)度電流、單點(diǎn)連接。新型的PowerBlok、RADSERT及PGY連接器采用了RADSOK技術(shù)，消除了螺紋連接的故障，同時(shí)增加了可靠性、靈活性及電路板設(shè)計(jì)的可用表面空間。
2008-11-01
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PXI Express：NI與BAE Systems、Phase Matrix公司共同發(fā)布PXI綜合測試儀
美國國家儀器有限公司與BAE Systems公司、Phase Matrix公司于近日共同發(fā)布了一款針對(duì)軍事和商業(yè)射頻/微波應(yīng)用的、基于PXI平臺(tái)的下一代26.5GHz綜合測試儀。這款綜合測試儀通過整合模塊化硬件與平臺(tái)軟件來創(chuàng)建用戶自定義的測試測量系統(tǒng)，它屬于虛擬儀器的一個(gè)分支。
2008-10-27
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iSuppli：09年太陽能電池用硅材料將開始降價(jià)
“2010年，太陽能電池用硅材料的供求關(guān)系將緩解。在此之前，2009年現(xiàn)貨市場的價(jià)格將大幅下降”?！绹鴌Suppli公司高級(jí)主管和總分析師（Senior Director and Principal Analyst）Henning Wicht在該公司主辦的研討會(huì)“iSuppli Japan Seminar 2008”上，對(duì)結(jié)晶硅太陽能電池單元原料——多晶硅材料的供求關(guān)系情況作了如此預(yù)測。
2008-10-26
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用于軟起動(dòng)器的晶閘管模塊SEMiSTART
本文介紹了電機(jī)起動(dòng)控制的三種方式，軟起動(dòng)器對(duì)晶閘管的要求，晶閘管模塊中使用的裝配和連接技術(shù)以及SEMiSTAT模塊的技術(shù)指標(biāo)。
2008-10-22
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VL5510：ST汽車視覺化先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)CMOS傳感器
意法半導(dǎo)體推出一款高動(dòng)態(tài)范圍的CMOS傳感器，新產(chǎn)品專門為基于視覺技術(shù)的汽車駕駛輔助市場設(shè)計(jì)，融合了意法半導(dǎo)體先進(jìn)的汽車電子技術(shù)和CMOS前沿影像技術(shù)。
2008-10-20
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USB傳感器與存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)記錄中的應(yīng)用
本文在隨著最新一代智能USB Host控制器IC的推出形勢(shì)下，提出與MCU配合使用不僅可為PC應(yīng)用使用USB數(shù)據(jù)采集設(shè)備，而且還可將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在低成本高容量的閃存盤上這一觀點(diǎn)，并通過數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用實(shí)例來闡述這一觀點(diǎn)的應(yīng)用。
2008-10-15
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IGBT驅(qū)動(dòng)電路M57962L的剖析
IGBT是一種新型功率器件，即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世紀(jì)末出現(xiàn)的一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)集于一身：輸入阻抗高，開關(guān)頻率高，工作電流大等，在變頻器、開關(guān)電源，弧焊電源等領(lǐng)域得到廣泛地應(yīng)用。M57962L采用+15V、- 10V雙電源供電，由于采用- 10V關(guān)斷電壓，能更可靠關(guān)斷，同時(shí)具有封閉性軟關(guān)斷功能，從而使IGBT更加安全的工作。
2008-10-11
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提高DC/DC轉(zhuǎn)換器EMC性能的新策略
為了提高DC/DC轉(zhuǎn)換器的電磁兼容性，基于混沌現(xiàn)象的寬頻譜特性提出了一種新的DC/DC轉(zhuǎn)換器控制策略。首先推導(dǎo)了能夠產(chǎn)生可控幅度混沌序列的Logistic映射形式，然后利用混沌序列對(duì)電流滯環(huán)控制策略的電流參考值進(jìn)行擾動(dòng)。從而擴(kuò)展了電感電流的功率譜，降低了在開關(guān)頻率及其諧波頻率上發(fā)射的電磁干擾。仿真研究證明，該控制策略可以改善的DC/DC轉(zhuǎn)換器電磁兼容性能。
2008-10-09
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降低開關(guān)電源電磁干擾水平的研究
本文以一個(gè)能產(chǎn)生混沌、超混沌、亞超混沌與超混沌信號(hào)的電路為信號(hào)源,以Boost型DC/DC變換器為對(duì)象,研究混沌的性質(zhì)對(duì)降低開關(guān)電源電磁干擾水平效果的影響。仿真結(jié)果表明:不同性質(zhì)的混沌序列,有不同的降低Boost型變換器的電磁干擾水平的效果。
2008-10-05
- 共模電感選型要點(diǎn)及主流品牌分析
- 芯片DNA革命！意法半導(dǎo)體新EEPROM用128位ID碼破解設(shè)備溯源難題
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