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Vishay Siliconix功率MOSFET在4.5V時導(dǎo)通電阻僅為9.4 m?

日前，Vishay宣布推出新款8V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻，4.5V時導(dǎo)通電阻僅為9.4 m?。

2012-06-29
SiA436DJ:Vishay新MOSFET再度刷新導(dǎo)通電阻的最低記錄

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。

2012-06-28
Vishay用于高溫作業(yè)的N通道MOSFET

Vishay已發(fā)布通過JAN認證的60V2N6660JANTX/JANTXV和90V2N6661JANTX/JANTXV 軍用級 N 通道功率 MOSFET。提供低導(dǎo)通電阻和快速切換時間，器件被封裝在一個密封的TO-205AD 中，可以承受軍事和航空航天領(lǐng)域經(jīng)受的高溫。

2012-06-27
Vishay推出0.38mm超小型雙向非對稱單線ESD保護二極管

Vishay推出具有14pF低容量的新款雙向非對稱單線ESD保護二極管--- VCUT07B1-HD1，該器件采用超小LLP1006-2L封裝，憑借1.0mm x 0.6mm的小占位面積和0.38mm的極小尺寸，可減少在筆記本電腦和智能手機等便攜式電子產(chǎn)品中ESD保護所需的電路板空間。

2012-06-27
Vishay新款MLCC的Q值可達2000以上適合高頻和微波應(yīng)用

Vishay宣布推出新系列表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)--- VJ HIFREQ。器件具有高自振、大于2000的高Q值、小于0.05%的低介質(zhì)損耗角，可在高頻商用應(yīng)用中工作。

2012-06-27
Vishay推出超小外形雙向非對稱單線ESD保護二極管

Vishay推出具有14pF低容量的新款雙向非對稱(BiSy)單線ESD保護二極管，憑借極小外形尺寸，新的VCUT07B1-HD1可減少在筆記本電腦和智能手機等便攜式電子產(chǎn)品中ESD保護所需的電路板空間。

2012-06-26
非磁性片式電容器瞄準(zhǔn)先進的醫(yī)療應(yīng)用

為了滿足對電磁干擾極其敏感的應(yīng)用，如最新的超高分辨率的核磁共振成像掃描儀，Vishay 推出采用特殊材料、構(gòu)造技術(shù)和安全篩選的 VJ 系列非磁性多層陶瓷片式 (MLCC) 電容器。

2012-06-21
堅固的薄膜電阻在高達175°C和300MW條件下保持卓越性能

Vishay 的 MCW 0402 AT 芯片電阻在寬負載范圍內(nèi)保持高穩(wěn)定性。對于在包括高溫或高功耗的惡劣條件下需要準(zhǔn)確的功率測量和高可靠性的應(yīng)用場合，Vishay MCW 0406 AT薄膜芯片電阻提供可信賴的性能，而不會損害額定功率或電氣性能。

2012-06-19
VCNL4020：業(yè)界最薄全集成接近和環(huán)境光光學(xué)傳感器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有0.8mm業(yè)內(nèi)最低高度的新款全集成接近和環(huán)境光光學(xué)傳感器--- VCNL4020。該器件把一個紅外發(fā)射器、用于測量接近程度的光電二極管、一個環(huán)境光探測器、一個信號調(diào)理IC和一個16位ADC全部組合進一個小尺寸的4.8mm x 2.3mm x 0.8mm矩形無引線(LLP)封裝里。這款3合1傳感器有一個中斷函數(shù)，支持I2C總線通信接口，能大大簡化在各種各樣消費類和行業(yè)應(yīng)用里窗口和傳感器的位置擺放問題。

2012-06-18
Vishay采用小尺寸綠色封裝的非過零光敏光耦可節(jié)省66%的PCB空間

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微型扁平SOP4封裝的新款非過零光敏光耦---VOM160和VOM305x。推出的器件比采用DIP-6封裝的器件可節(jié)省66%的PCB空間，擴充了其光電子產(chǎn)品組合。

2012-06-14
浪涌電流專用：Vishay齊納二極管在惡劣環(huán)境中性能卓越

Vishay BZD27C 系列為硅平面齊納二極管，浪涌電流規(guī)格高達 13.3A，這使它們成為在嘈雜環(huán)境中使用，或在要求性能穩(wěn)定的應(yīng)用中使用的理想選擇。

2012-06-13
Vishay瞬態(tài)保護二極管采用微型小尺寸封裝降低空間要求

Vishay SMFxxA ESD 保護二極管采用SMF (DO-219AB) 封裝，滿足設(shè)備更小更薄的要求，這些設(shè)備可用于輕薄小尺寸的便攜式產(chǎn)品中，或用于空間受限型汽車模塊內(nèi)，并為設(shè)計人員提供范圍為 5.0V 至 51V 的反向擊穿電壓選項。

2012-06-12

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