-
Vishay高精度薄膜SMD環(huán)繞片式電阻陣列助力航空應(yīng)用
近日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新系列適用于高溫鉆井和航空應(yīng)用的高精度薄膜SMD環(huán)繞片式電阻陣列---PRAHT。新的PRAHT四電阻網(wǎng)絡(luò)的工作溫度為-55℃～+215℃，最高存儲(chǔ)溫度為+230℃，是業(yè)內(nèi)首個(gè)采用薄膜技術(shù)制造的電阻陣列。
2012-09-03
-
Vishay小型封裝LED發(fā)光強(qiáng)度實(shí)現(xiàn)超群亮度
Vishay光電子產(chǎn)品部發(fā)布新VLMx1500-GS08系列采用小型表面貼裝0402 ChipLED封裝的大紅、淺橙、黃、嫩綠、藍(lán)色和白色的超亮LED。VLMx1500-GS08系列器件的尺寸為1.0mm x 0.5mm，高0.35mm，180mcd的發(fā)光強(qiáng)度實(shí)現(xiàn)了超群亮度。
2012-08-22
-
Vishay具有5mm檢測(cè)范圍的新反射光學(xué)傳感器
Vishay Intertechnology 宣布推出采用微型表面安裝封裝的帶晶體管輸出的新反射光學(xué)傳感器。TCNT2000 的尺寸只有 3.4mm x 2.7mmx 1.5mm，能提供 0.2mm 到 5mm 的檢測(cè)范圍，適用于消費(fèi)類(lèi)、工業(yè)和計(jì)算設(shè)備。
2012-08-17
-
Vishay高電流、高溫環(huán)形電感器可減少EMI的環(huán)形設(shè)計(jì)
Vishay近日推出的 TJ3-HT 和 TJ5-HT 電感器具有高達(dá)+200°C 的高額定工作溫度和可減少EMI 的環(huán)形設(shè)計(jì)，特別適合汽車(chē)、工業(yè)和深井鉆探產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)電源、EMI/ RFI 過(guò)濾和輸出扼流圈。
2012-08-16
-
最新“e絡(luò)盟專(zhuān)題”：針對(duì)醫(yī)療應(yīng)用的方案資源庫(kù)
首個(gè)融合電子商務(wù)與在線社區(qū)的電子元件分銷(xiāo)商e絡(luò)盟近日推出了最新一期“e絡(luò)盟專(zhuān)題”，專(zhuān)題提供針對(duì)醫(yī)療應(yīng)用的設(shè)計(jì)參考資料、元器件及解決方案，其中不乏行業(yè)領(lǐng)先制造商Molex、德州儀器、Vishay等最新創(chuàng)新產(chǎn)品。詳情請(qǐng)看本文報(bào)道。
2012-08-10
-
Vishay 4款多層陶瓷片式天線工作在868MHz和915MHz頻率
日前Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出四款小外形尺寸、高性能的MLCC器件，這些器件可接收和發(fā)送868MHz(VJ5301M868MXBSR和VJ5601M868MXBSR)和915MHz(VJ5301M915MXBSR和VJ5601M915MXBSR)的數(shù)字信號(hào)，擴(kuò)充了其陶瓷片式天線產(chǎn)品線。
2012-08-09
-
Vishay高度集成解決方案：microBUCK?同步降壓調(diào)節(jié)器
microBUCK? 集成同步降壓調(diào)節(jié)器系列利用 Vishay 的分立 MOSFET 設(shè)計(jì)、IC 專(zhuān)業(yè)技術(shù)和封裝功能的獨(dú)特組合，為客戶(hù)提供經(jīng)濟(jì)的高性能集成式解決方案。 最新系列 4A SiC413 和10A SiC417 提供 4.75V 到 26V（對(duì)于SiC413）和 3V 到 28V（對(duì)于 SiC417）的寬輸入電壓范圍，最小輸出電壓分別低至 0.6V 和 0.5V。
2012-07-18
-
Vishay新系列3相圓柱形電容器脈沖電流高達(dá)21.3kA
Vishay推出用于電力電子產(chǎn)品的新系列3相圓柱形電容器---EMKP。電容器可處理高電流，具有400VAC～1650VAC的9種標(biāo)準(zhǔn)電壓等級(jí)，以及豐富的容值和封裝選項(xiàng)。日前發(fā)布的EMKP電容器有160mm～265mm共4種高度，64mm～136mm共5種直徑。器件的電流等級(jí)取決于套管類(lèi)型，從3 x 56A至3 x 104A，脈沖電流高達(dá) 21.3kA，自感小于100nH，串聯(lián)電阻低至0.6m?，容值為4.0μF～600μF，容值容差為±5%。
2012-07-04
-
Vishay發(fā)布用于工業(yè)傳動(dòng)和逆變器的3相圓柱形電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出用于電力電子產(chǎn)品的新系列3相圓柱形電容器---EMKP。電容器可處理高電流，具有400VAC～1650VAC的9種標(biāo)準(zhǔn)電壓等級(jí)，以及豐富的容值和封裝選項(xiàng)。
2012-07-02
-
Vishay Siliconix功率MOSFET在4.5V時(shí)導(dǎo)通電阻僅為9.4 m?
日前，Vishay宣布推出新款8V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻，4.5V時(shí)導(dǎo)通電阻僅為9.4 m?。
2012-06-29
-
SiA436DJ:Vishay新MOSFET再度刷新導(dǎo)通電阻的最低記錄
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK? SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。
2012-06-28
-
Vishay用于高溫作業(yè)的N通道MOSFET
Vishay已發(fā)布通過(guò)JAN認(rèn)證的60V2N6660JANTX/JANTXV和90V2N6661JANTX/JANTXV 軍用級(jí) N 通道功率 MOSFET。提供低導(dǎo)通電阻和快速切換時(shí)間，器件被封裝在一個(gè)密封的TO-205AD 中，可以承受軍事和航空航天領(lǐng)域經(jīng)受的高溫。
2012-06-27
- 自主生態(tài)護(hù)城河：數(shù)字化轉(zhuǎn)型的可持續(xù)競(jìng)爭(zhēng)力構(gòu)建
- 1600W雙路交錯(cuò)新紀(jì)元：無(wú)橋圖騰柱TCM_PFC數(shù)字電源方案解析
- CITE 2025啟幕在即：頂尖展商集結(jié) 見(jiàn)證巔峰時(shí)刻
- 相位魔法解碼：真時(shí)延技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)毫米級(jí)指向精度
- 第18講：SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性
- 光與波的博弈：紅外vs雷達(dá)人體感應(yīng)器技術(shù)原理與場(chǎng)景適配方案全解析
- 賦能AI與能源及數(shù)字化轉(zhuǎn)型，TDK解決方案亮相慕尼黑上海電子展
- 貿(mào)澤電子啟動(dòng)EIT技術(shù)新篇章：解碼腦機(jī)接口未來(lái)密碼
- 聯(lián)發(fā)科為開(kāi)發(fā)者打造的調(diào)試“上帝視角”， Dimensity Profiler 工具來(lái)了
- 學(xué)子專(zhuān)區(qū)論壇- ADALM2000實(shí)驗(yàn)：脈寬調(diào)制
- 動(dòng)態(tài)離散周期變換技術(shù)突破：無(wú)ECG參考的生理信號(hào)精準(zhǔn)解析
- 無(wú)纜智能終端的能源進(jìn)化論：破解微型設(shè)備供能困局
- 車(chē)規(guī)與基于V2X的車(chē)輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車(chē)安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車(chē)模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車(chē)用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
