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“芯”品發(fā)布｜鎵未來推出“9mΩ”車規(guī)級 GaN FET ，打破功率氮化鎵能效天花板！
近日，鎵未來正式宣布推出 G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規(guī)級氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）。這款完全符合汽車 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的 650V 氮化鎵分立器件，以全球最小的 9mΩ 導(dǎo)通電阻（Rds(on)），引起行業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注，迅速成為氮化鎵功率半導(dǎo)體在新能源汽車領(lǐng)域性能優(yōu)化的新標(biāo)桿。
2025-11-28
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集成化與智能化：國產(chǎn)有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片的技術(shù)躍遷與應(yīng)用突圍
在電動(dòng)工具、汽車電子、智能家居等小功率場景中，有刷直流電機(jī)憑借結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉、控制便捷等優(yōu)勢，仍占據(jù)超60%市場份額。而驅(qū)動(dòng)芯片作為其“神經(jīng)中樞”，正經(jīng)歷從分立器件堆疊向高集成智能控制的轉(zhuǎn)型。本文將深入剖析有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片的核心架構(gòu)、國產(chǎn)方案的技術(shù)突破，以及多場景設(shè)計(jì)策略，為工程師提供選型與設(shè)計(jì)的實(shí)戰(zhàn)指南。
2025-07-11
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從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴(kuò)展實(shí)戰(zhàn)指南
在10kW-50kW中高功率應(yīng)用領(lǐng)域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢。分立方案憑借更高設(shè)計(jì)自由度和靈活并聯(lián)擴(kuò)容能力突圍——當(dāng)單管功率不足時(shí)，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實(shí)現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。
2025-06-19
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觀眾登記開啟｜elexcon2024深圳國際電子展8月27-29日約您來見，20+重磅活動(dòng)與數(shù)千新品引爆AI+技術(shù)生態(tài)
elexcon2024深圳國際電子展將于2024年8月27日至29日在深圳會(huì)展中心（福田）開幕。展會(huì)為電子產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇以及AI時(shí)代到來準(zhǔn)備好了全棧技術(shù)和產(chǎn)品展示，包括AI芯片、嵌入式處理器/MCU/MPU、存儲(chǔ)、智能傳感、RISC-V技術(shù)與生態(tài)、AIoT方案、無源器件/分立器件、PMIC與功率器件、Chiplet和SiP先進(jìn)封裝等。
2024-07-18
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低損耗、高結(jié)溫！基本半導(dǎo)體混合碳化硅分立器件性能優(yōu)勢介紹
IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管（FWD）構(gòu)成，續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管（SBD）。材料與結(jié)構(gòu)兩兩組合就形成了4種結(jié)果：硅PIN二極管、碳化硅 PIN二極管、硅肖特基二極管、碳化硅肖特基二極管。在本篇文章中我們將重點(diǎn)闡述碳化硅肖特基二極管作為續(xù)流二極管的混合碳化硅分立器件（后文簡稱為混管）的特性與優(yōu)點(diǎn)。
2023-10-24
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高功率應(yīng)用的可擴(kuò)展性設(shè)計(jì)
相較于傳統(tǒng)的硅（Si）器件，碳化硅（SiC）擁有諸多優(yōu)勢，涵蓋了廣泛的功率水平和應(yīng)用。憑借 SiC 器件更高的工作溫度、更快的開關(guān)速度、更高的功率密度和更高的電壓/電流能力，SiC 器件可輕松替換現(xiàn)有的基于 Si 的器件及系統(tǒng)。特別是當(dāng)其可提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸時(shí)，如 WolfPACK 功率模塊系列產(chǎn)品。無論是想要升級系統(tǒng)或者新設(shè)計(jì)新，SiC 都能以最低的損耗提供最高的效率和可靠性。Wolfspeed SiC 產(chǎn)品組合包含支持所有功率范圍的器件。650 V 至 1,700 V 的分立器件可帶來靈活、低成本的多種解決方案，同時(shí) 壓接無基板設(shè)計(jì)的 WolfPACK 系列能夠滿足行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的中等范圍功率要求。設(shè)計(jì)人員可以在 WolfPACK 模塊和高功率模塊之間自由選擇，從而根據(jù)其應(yīng)用擴(kuò)展功率，優(yōu)化功率密度、簡化設(shè)計(jì)、降低系統(tǒng)成本、提升可靠性。
2022-08-08
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如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)
在集成電路和分立器件領(lǐng)域，硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料，但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步深入對新材料、新工藝、新架構(gòu)的探索。憑借著在功率、射頻應(yīng)用中的顯著性能優(yōu)勢，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?/p>
2022-06-08
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圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用
現(xiàn)代尖端電力電子設(shè)備性能升級需要提升系統(tǒng)功率密度、使用更高的主開關(guān)頻率。而現(xiàn)有硅基IGBT配合硅基FRD性能已無法完全滿足要求，需要高性能與性價(jià)比兼具的主開關(guān)器件。為此，基本半導(dǎo)體推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的完美方案。
2022-04-01
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為什么貼片的開關(guān)穩(wěn)壓器模塊能提高設(shè)計(jì)工程師的工作效率
制造商不愿意將錢花在現(xiàn)成的模塊上，而是參考控制IC的應(yīng)用電路，使用分立器件搭建一個(gè)開關(guān)穩(wěn)壓器安裝在電路板上。這種方法在理論上是有效的，但實(shí)際上卻存在一些問題。
2022-01-18
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Vishay 235 EDLC-HVR ENYCAP系列電容器榮獲AspenCore全球電子成就獎(jiǎng)
賓夕法尼亞、MALVERN — 2021年11月5日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，公司的235 EDLC-HVR ENYCAP?系列電容器榮獲2021年度AspenCore全球電子成就獎(jiǎng)，被評為年度高性能無源/分立器件。該器件是業(yè)內(nèi)先進(jìn)的加固型ENYCAP雙電層儲(chǔ)能電容器，在+85 °C條件下使用壽命達(dá)2,000小時(shí)，經(jīng)過85 / 85 1500小時(shí)帶電測試，具有最高等級耐潮濕能力。
2021-11-05
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低成本、高精度的電池測試設(shè)備數(shù)字控制方案
電池測試設(shè)備，是鋰離子電池生產(chǎn)線后處理系統(tǒng)的重要環(huán)節(jié)，對于鋰離子電池的質(zhì)量至關(guān)重要。電池測試設(shè)備的核心功能是對鋰離子電池進(jìn)行高精度的恒流或恒壓充放電，傳統(tǒng)的控制方法以使用分立器件搭建的模擬控制方案為主。相比于傳統(tǒng)的模擬控制方案，采用TI的C2000?為核心實(shí)現(xiàn)的數(shù)字控制方案，由于其低成本、高精度、更靈活、保密性較好等優(yōu)點(diǎn)，將成為未來電池測試設(shè)備主流的發(fā)展方向。本文中，將詳細(xì)介紹如何通過TI的C2000數(shù)字控制方案，有效降低系統(tǒng)成本，并保證極高的電流、電壓控制精度。
2020-12-14
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TE榮獲2020年度ASPENCORE全球電子成就獎(jiǎng)
上?！?020年11月16日——全球高速計(jì)算與網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用領(lǐng)域創(chuàng)新連接方案領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity（TE）近日宣布TE散熱橋I/O連接器榮獲ASPENCORE 2020年度全球電子成就獎(jiǎng)。該產(chǎn)品具有出色的散熱性能、靈活性、創(chuàng)新性，以及杰出的行業(yè)影響力，因而被評為“年度高性能無源/分立器件”。
2020-11-16
- 強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手！貿(mào)澤電子攜手ATI，為自動(dòng)化產(chǎn)線注入核心部件
- 瞄準(zhǔn)精準(zhǔn)醫(yī)療，Nordic新型芯片讓可穿戴醫(yī)療設(shè)備設(shè)計(jì)更自由
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