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RF/微波

智能天線是怎樣煉成的？

陣列天線由多個(gè)天線形成陣列，在工作時(shí)，通過不同天線的組合工作，形成不同的天線波瓣，實(shí)現(xiàn)多種方向、角度、增益都不相同的“虛擬天線”，以適應(yīng)不同工作環(huán)境，不同用戶的位置，以及避免不必要的干擾。

2012-10-29

天線智能陣列天線

可減少總功耗和元件數(shù)目的DOCIS 3.0兼容型RF DAC

ADI公司最近發(fā)布了兩款RF（射頻）DAC AD9129和AD9119，可通過單個(gè)DAC端口合成整個(gè)下游（發(fā)射）電纜頻譜。單通道14位AD9129和11位AD9119 RF DAC支持高達(dá)2.8 GSPS的數(shù)據(jù)速率，允許有線電視運(yùn)營商減少CATV (CMTS)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備的總系統(tǒng)功耗和元器件數(shù)目，從而簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并降低總物料成本

2012-10-29

RF DAC ADI DOCIS 3.0

比傳統(tǒng)元件尺寸小數(shù)千倍的光漩渦器件芯片問世

由英國、中國等四所大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)聯(lián)合課題組新發(fā)明的光漩渦器件芯片只有幾微米大，比傳統(tǒng)的元件尺寸小數(shù)千倍，并且能夠大規(guī)模、低成本制作，將被廣泛應(yīng)用于通信、傳感和微粒操控等領(lǐng)域。

2012-10-25

光漩渦器件發(fā)射器件光束

HiFi功率放大器設(shè)計(jì)BOM

這個(gè)簡單的低成功率放大器?？梢?種方法完成，就像圖表中所指示的（從20W到80W RMS ）。首先要作的是測試末極功率管的放大系數(shù)hfe or β.如果差異大于30％，放大器將不會(huì)提供一個(gè)清晰的聲音，使用MJ3001和 MJ2501晶體管，他們的差異在5％。

2012-10-24

HiFi 功率放大器 BOM

封裝面積減小4成，支持LTE的RF模塊

村田制作所開發(fā)出用于LTE智能手機(jī)的小型RF收發(fā)模塊，封裝面積減小4成，其采用該公司的元件內(nèi)置技術(shù)，使用樹脂基板而非陶瓷基板實(shí)現(xiàn)了模塊，該模塊集成了LTE收發(fā)信息所需要的RF收發(fā)器IC、功率放大器及前端模塊等，RF電路部分的定位是“全模塊”。

2012-10-24

LTE RF模塊村田

可支持15種頻帶的FBAR濾波器

安華高此前的FBAR濾波器支持5種頻帶，但世界各地的LTE服務(wù)使用了多種頻帶，因此此次擴(kuò)大了支持的頻帶數(shù)量。此次增加了對(duì)700MHz頻帶、900MHz頻帶及2.6GHz頻帶等15種頻帶的支持。安華高表示，這一舉措使該公司的FBAR濾波器得到了大量智能手機(jī)的采用。

2012-10-24

FBAR 濾波器安華高

從直流到18 GHz氮化鎵產(chǎn)品選擇

全球市場對(duì)氮化鎵技術(shù)的需求還在不斷增長，TriQuint與Richardson RFPD合作提供的TriQuint 氮化鎵產(chǎn)品包括放大器、晶體管和開關(guān)，可提高射頻效率、降低總成本和增強(qiáng)系統(tǒng)堅(jiān)固性。提供世界級(jí)、從直流到18 GHz的氮化鎵產(chǎn)品創(chuàng)新，包括分立晶體管、MMIC及封裝式解決方案。

2012-10-24

氮化鎵放大器晶體管

完美結(jié)合耐用性、頻率范圍與寬帶能力射頻功率晶體管

為了滿足市場對(duì)射頻功率器件增強(qiáng)耐用性和在廣泛的頻率范圍進(jìn)行寬帶運(yùn)行的需求，飛思卡爾半導(dǎo)體公司推出了兩款功能豐富的器件，旨在為采用LDMOS處理技術(shù)制造的射頻功率產(chǎn)品提供新級(jí)別的線性和耐用性。

2012-10-23

射頻飛思卡爾晶體管

可支持300MHz到2.8GHz的頻段的LTE收發(fā)器

隨著無線寬頻的需求日漸擴(kuò)大，全球電信服務(wù)業(yè)者也加速將第四代的LTE高速無線通訊標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)入手機(jī)與數(shù)據(jù)卡終端設(shè)備。Aviacomm發(fā)表最新LTE智能型射頻收發(fā)器，可支持300MHz到2.8GHz的頻段，不僅在功能上取代多芯片的集成方案，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)上，也簡化工程開發(fā)時(shí)間。

2012-10-23

LTE 收發(fā)器無線寬頻

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