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電源管理

如何降低藍(lán)牙裝置的功耗

功耗是決定可攜式裝置發(fā)展成敗的關(guān)鍵因素。由于這類裝置的趨勢朝向功能匯整的方向演進(jìn)，最明顯的跡象就是百萬像素?cái)?shù)字相機(jī)整合至照相手機(jī)中，新型的多功能裝置必須持續(xù)迎合消費(fèi)者的需求，尤其是在功耗方面。本文主要講述如何降低藍(lán)牙裝置的功耗

2010-02-17

藍(lán)牙 BlueCore Casual

UPS巨頭角逐中國地鐵電源市場

據(jù)有關(guān)預(yù)測，中國地鐵建設(shè)至2015年，總投資將高達(dá)6000億元，建成65條線路。地鐵建設(shè)熱潮的到來引發(fā)了對(duì)UPS不間斷電源的巨大需求，由此也加劇了全球UPS巨頭對(duì)該市場的激烈爭奪。

2010-02-17

UPS 電源地鐵

FSGM0565R：飛兆功率開關(guān)推進(jìn)離線式電源設(shè)計(jì)

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)響應(yīng)客戶對(duì)能夠降低離線電源的待機(jī)功耗并簡化設(shè)計(jì)的解決方案的需求，開發(fā)出業(yè)界唯一一款在內(nèi)置650V耐雪崩SenseFET中集成漏電流感測功能的功率開關(guān)，該器件能夠通過將過流時(shí)間延遲縮短至200 ns以下來降低功耗和提高可靠性。

2010-02-17

FSGM0565R 飛兆半導(dǎo)體功率開關(guān) 離線電源液晶電視

LED背光源均勻亮度控制

發(fā)光二極管（LED）在各種終端設(shè)備的廣泛應(yīng)用早已讓許多人跌破眼鏡：從汽車頭燈、交通號(hào)志、文數(shù)字顯示器、廣告看板、與大型顯示器等現(xiàn)有技術(shù)，到一般大樓照明設(shè)備以及液晶顯示器背光源等其它應(yīng)用，日益盛行的LED光源使得最普遍的產(chǎn)品也要隨之重新設(shè)計(jì)。隨著效率和亮度不斷增加以及成本持續(xù)下降，LED...

2010-02-16

LED背光源亮度控制 LED亮度差異

工控系統(tǒng)的通信抗干擾技術(shù)

工業(yè)控制系統(tǒng)通信抗干擾技術(shù)，硬件措施是根本。應(yīng)當(dāng)根據(jù)工控現(xiàn)場的具體情況組織實(shí)施。無論是選購現(xiàn)成的產(chǎn)品或者對(duì)其再進(jìn)行改造，都要胸有成竹。除此之外，還應(yīng)該采取必要的軟件抗干擾措施。本文主要講解工控系統(tǒng)的通信抗干擾技術(shù)

2010-02-15

通信抗干擾技術(shù) 通信電纜 RS232C RS422A

川企自主研發(fā)寬溫鎳氫電池面世

在歷時(shí)近3年的中試后，寬溫鎳氫電池在四川省實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，該技術(shù)有望推動(dòng)新能源汽車由概念走向市場。有消息稱，國際一線汽車品牌奔馳、寶馬、豐田正瞄準(zhǔn)這項(xiàng)川企自主研發(fā)的電池技術(shù)。

2010-02-12

鎳氫電池新能源汽車電子

消除手機(jī)中的耳機(jī)爆破音和TDMA噪聲

隨著音樂手機(jī)概念的風(fēng)行，手機(jī)不再是一個(gè)簡單的通話工具，人們?cè)絹碓疥P(guān)心手機(jī)的音樂播放音效，這給手機(jī)音頻設(shè)計(jì)也帶來了越來越多的壓力。本文概述手機(jī)模擬音頻設(shè)計(jì)中經(jīng)常會(huì)遇到的耳機(jī)爆破音、TDMA噪聲產(chǎn)生的機(jī)理，并介紹通過選擇合適的耳機(jī)驅(qū)動(dòng)器來解決這些問題。

2010-02-10

手機(jī) 耳機(jī) TDMA 爆破音

紅旗鎮(zhèn)將成為TDK-EPCOS最大的電感生產(chǎn)基地

近日，金灣區(qū)紅旗鎮(zhèn)的德資企業(yè)愛普科斯電阻電容 (珠海)有限公司舉行二期工程動(dòng)工儀式。工程完工后，紅旗鎮(zhèn)將成為TDK—EPCOS電感最大的生產(chǎn)基地.

2010-02-10

愛普科斯紅旗鎮(zhèn) TDK-EPCOS 電感

NTP641x和NTB641x：安森美發(fā)布12款100V N溝道MOSFET

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充NTP641x和NTB641x系列N溝道功率MOSFET系列，新增12款100V器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達(dá)500mJ的領(lǐng)先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負(fù)載引致過渡電壓應(yīng)力的設(shè)計(jì)。

2010-02-10

NTP641x NTB641x 100V N溝道MOSFET

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