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電源管理

降低開(kāi)關(guān)電源電磁干擾水平的研究

本文以一個(gè)能產(chǎn)生混沌、超混沌、亞超混沌與超混沌信號(hào)的電路為信號(hào)源,以Boost型DC/DC變換器為對(duì)象,研究混沌的性質(zhì)對(duì)降低開(kāi)關(guān)電源電磁干擾水平效果的影響。仿真結(jié)果表明:不同性質(zhì)的混沌序列,有不同的降低Boost型變換器的電磁干擾水平的效果。

2008-10-05

混沌亞超混沌超混沌電磁干擾

如何正確選擇EMC元件

闡述了濾波器選擇準(zhǔn)則，介紹了濾波器構(gòu)造，對(duì)帶有集成式線(xiàn)路濾波器的連接器、與線(xiàn)路濾波器的固定式電源連接、在PCB上連接和濾波作了說(shuō)明。

2008-10-05

濾波器輻射電力接入

可充電電池：原理，隱患，及安全充電方法

NiMH充電器可為NiCd電池充電，反之則不行。NiCd電池專(zhuān)用的充電器將會(huì)使NiMH電池過(guò)充?？焖俪潆娍稍鰪?qiáng)鎳基電池的壽命和性能，這是因?yàn)榭焖俪潆娊档土藘?nèi)部結(jié)晶引起的記憶效應(yīng)。鎳基和鋰基電池要求不同的充電算法。Li+電池需要保護(hù)電路來(lái)監(jiān)控和保護(hù)過(guò)流、短路、過(guò)壓、欠壓以及過(guò)熱。注意，在電池不常使...

2008-10-04

充電電池 NiCd NiMH 鋰離子電池保護(hù)

同步整流的簡(jiǎn)化與發(fā)展趨勢(shì)

微處理器總線(xiàn)電源的趨勢(shì)是電壓越來(lái)越低，電流越來(lái)越大，所以同步整流器在電源轉(zhuǎn)換中越來(lái)越重要。因?yàn)闁艠O驅(qū)動(dòng)電平的變化，以及諧振轉(zhuǎn)換器特有的問(wèn)題，所以電流驅(qū)動(dòng)電路存在一定的限制。帶穩(wěn)壓內(nèi)部電源電壓的自驅(qū)動(dòng)FET可以解決這些問(wèn)題，并且簡(jiǎn)化了電源工程師的設(shè)計(jì)工作。

2008-10-04

同步整流肖特基二極管 MOSFET 比較器

制備超低靜態(tài)電流電荷泵

電池供電的便攜式設(shè)備在大部分使用壽命內(nèi)常常處在備用狀態(tài)。在這種備用狀態(tài)下，內(nèi)部升壓變換器的靜態(tài)電流仍然不斷消耗電池能量。本電路能使你實(shí)現(xiàn)一個(gè)超低靜態(tài)電路穩(wěn)壓電荷泵。在現(xiàn)成電荷泵買(mǎi)到之前，它為尋求不使用電感器實(shí)現(xiàn)低成本電荷泵的設(shè)計(jì)師提供了一種替代品。

2008-10-04

靜態(tài)電流電荷泵 vbatt vout

增強(qiáng)DC/DC變換器動(dòng)態(tài)響應(yīng)的新方法

DRC電路可以大幅降低DC/DC變換器負(fù)載瞬變失真的幅度和持續(xù)時(shí)間。DRC電路參數(shù)必須與DC/DC變換器的特性以及負(fù)載電流瞬變的最大幅度相匹配。應(yīng)小心選擇輔助充電電壓和儲(chǔ)能電容器,以便與DC/DC輸出電流轉(zhuǎn)換速率和負(fù)載電流階躍的振幅相匹配。

2008-10-04

DC/DC 負(fù)載動(dòng)態(tài)響應(yīng) DRC ESR

SCiB：東芝最新筆記本電池充電只需10分鐘

10月2日消息，東芝本周二展示了其為筆記本電腦設(shè)計(jì)的一種快速充電的SCiB（超級(jí)充電離子電池）電池的原型產(chǎn)品。不過(guò)，東芝表示，這種技術(shù)要應(yīng)用到計(jì)算機(jī)中還有很長(zhǎng)的路要走。

2008-10-02

SCiB 筆記本電池

用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動(dòng)及保護(hù)研究

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IGBT)作為一種復(fù)合型器件，集成了MOSFET的電壓驅(qū)動(dòng)和高開(kāi)關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點(diǎn)，在電機(jī)控制、開(kāi)關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。本文對(duì)應(yīng)用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專(zhuān)有EXB84l型驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)進(jìn)行討論，并提出一種具有完...

2008-10-02

IGBT 門(mén)極電阻 EXB841 驅(qū)動(dòng)電路

南方芯源推出全新A系列MOSFET

南方芯源(Samwin)開(kāi)始向市場(chǎng)推廣全新A系列MOSFET。Samwin A系列采用先進(jìn)的6寸片0.6um生產(chǎn)線(xiàn)，產(chǎn)品的品質(zhì)因子處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位，與Fairchild uniFET產(chǎn)品一致。在民用級(jí)開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品上完全可替代國(guó)外品牌。

2008-10-01

A系列MOSFET 開(kāi)關(guān)電源

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