【導(dǎo)讀】作為工程師要了解功率二極管這個電子元器件的所有方面是很必須的,特別是作為菜鳥級別的工程師。本文就將依次介紹了功率二極管的基礎(chǔ),二極管的發(fā)熱和溫度計(jì)算,功率二極管功耗的全計(jì)算過程。
功率二極管基礎(chǔ)
二極管電流公式:

注意的參數(shù):

Forward-bias(正向偏置恢復(fù)時(shí)間)

影響條件:
正向電流(電流越大反向時(shí)間越長)
反向電壓(電壓越小反向時(shí)間越長)
電流變化速度,速度越快減小恢復(fù)時(shí)間卻會加長存儲時(shí)間
結(jié)溫越高同時(shí)增加恢復(fù)時(shí)間和存儲時(shí)間
[page]
reverse-bias(反向偏置)

影響條件:
正向電流(電流越大正向電壓越大)
電流脈沖上升時(shí)間(脈沖越陡正向電壓越大)
溫度影響不大
綜合整個過程

計(jì)算結(jié)溫過程(對于脈沖電流的計(jì)算方法)


精確計(jì)算二極管發(fā)熱和溫度
博主注:這些計(jì)算都是有適用條件的(大電流的功率二極管一定要算,一般的二極管就不用算了),所以還沒有深入淺出的搞清楚計(jì)算的界限。
擬合用的是Mathcad。
計(jì)算二級管的散熱情況
在設(shè)計(jì)功率電源的時(shí)候,二級管一般損耗比較大,而且為了能夠更加精確的去分析,我們來看一下一般的計(jì)算過程。
Losses due to forward voltagedrop(正向功耗)
P.f=V.f*I.o
V.f:正向?qū)妷?/div>
[page]
然后可以計(jì)算出來:

[page]
反向電流也是同樣地:

[page]
正向壓降功耗:
I.o:輸出電流
Losses due to diode leakage current(反向功耗)
P.r=V.r*I.r
V.r:反向電壓
I.r:反向電流
我們假設(shè)電路為:

然后把參數(shù)羅列出來計(jì)算

然后可以計(jì)算出來:

我們可以得到什么結(jié)論呢:二級管燒掉了。這種邏輯在于,結(jié)溫直接從85度環(huán)境溫度上升到半導(dǎo)體的極限150攝氏度。

這里我們假設(shè)二級管直接按照最大的熱阻和最大功耗,這是有問題和值得思量的,現(xiàn)在我們換種思路:

我們可以發(fā)現(xiàn),二級管其實(shí)并不會壞。問題就集中在于二級管的模型沒有建立好。
[page]
建立模型很重要,如果按照單個最大值來分析,我們面臨的問題是把它的范圍放得很大,對于比較臨界的問題來說,基本把可以用的元器件排斥在外了。

因此我們需要仔細(xì)建立模型,正向電壓的過程如下:
藍(lán)色為從圖中抓取的數(shù)據(jù),紅色為我們知道的PN結(jié)模型,下面一個紅色的為曲線擬合過程:


結(jié)果如下:

反向電流也是同樣地:

這些做完以后我們可以很精確的知道,溫度,電壓這些對于管子的實(shí)際影響了。
功率二極管的功耗計(jì)算
前面關(guān)于功率二極管,基礎(chǔ),熱阻,正向壓降都已經(jīng)涉及到了。在這里需要補(bǔ)充全計(jì)算過程:


正向壓降功耗:
算法1:
P.f=V.f*I.o
V.f:正向?qū)妷?/div>
[page]
實(shí)測:

I.o:輸出電流

算法2:
Vf=Vo+If*Rs
Pf=Vo*If+Rs*If^2

反向電流功耗:
這個值不太好估計(jì),因?yàn)閂r也在變化,因此我建議以實(shí)測為主:

實(shí)測:

然后可測得電壓下降波形進(jìn)行計(jì)算。
漏電流功耗:
P.r=V.r*I.r V.r:反向電壓 I.r:反向電流

特別推薦
- 詳解超級電容器與電池在儲能解決方案的對比 (上)
- 【車內(nèi)消費(fèi)類接口測試】泰克助力DisplayPort及eDP在車載顯示領(lǐng)域的應(yīng)用
- 單芯多域!MCU跨界賦能汽車儀表與工業(yè)HMI一體化開發(fā)
- 基于賽靈思、紫光芯片開發(fā)的FPGA高速通信開發(fā)板,適用于圖像處理、工業(yè)控制場景
- 從硅到碳的跨越:EA10000電源技術(shù)路線對比與選型指南
- 智能無線工業(yè)傳感器設(shè)計(jì)完全指南
- 借力 Mendix 低代碼,加速博世汽車電子數(shù)字化轉(zhuǎn)型
技術(shù)文章更多>>
- 福祿克聲學(xué)新品震撼上市
- 「芯」動之旅 「易」起相約2025慕尼黑上海電子展
- 賦能AI與能源及數(shù)字化轉(zhuǎn)型,TDK解決方案亮相慕尼黑上海電子展
- 光與波的博弈:紅外vs雷達(dá)人體感應(yīng)器技術(shù)原理與場景適配方案全解析
- 第18講:SiC MOSFET的動態(tài)特性
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索