產(chǎn)品特性：
- FDMA1027是20V P溝道PowerTrench MOSFET
- FDFMA2P853則是20V P溝道PowerTrench MOSFET，帶有肖特基二極管
- 采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封裝
- 提供卓越的功率消耗和降低傳導損耗
- 能夠耗散1.4W功率
- 符合RoHS和無鉛回流焊的要求
應用范圍：
- 便攜應用
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產(chǎn)品FDMA1027，滿足現(xiàn)今便攜應用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P溝道PowerTrench MOSFET，F(xiàn)DFMA2P853則是20V P溝道PowerTrench MOSFET，帶有肖特基二極管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封裝。相比低電壓設計中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低50%。這種薄型封裝選項可滿足下一代便攜產(chǎn)品如手機的超薄外形尺寸需求。
FDMA1027和FDFMA2P853專為更高效率而設計，能夠解決影響電池壽命的豐富功能的功率挑戰(zhàn)。這些器件采用飛兆半導體專有的PowerTrench MOSFET工藝，能降低傳導和開關損耗，提供卓越的功率消耗和降低傳導損耗。與采用2mm x 2mm SC-70封裝類似尺寸的器件比較，F(xiàn)DMA1027和FDFMA2P853提供更低的傳導損耗 (降低約60%)，并且能夠耗散1.4W功率，而SC-70封裝器件的功率消耗則為300mW。
飛兆半導體的MicroFET系列提供了具吸引力的優(yōu)勢如緊湊型封裝和高性能，能夠滿足電池充電、負載轉換、升壓和DC-DC轉換的需求。
FDMA1027和FDFMA2P853采用無鉛 (Pb-free) 端子，潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標準對無鉛回流焊的要求。所有飛兆半導體產(chǎn)品均滿足歐盟有害物質限用指令 (RoHS) 的要求。
