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通信廣電

TDK量產(chǎn)1608尺寸的高衰減帶通濾波器

TDK公司9月17日宣布，九月份已開發(fā)并量產(chǎn)用于2.4GHz無線局域網(wǎng)和藍(lán)牙1的積層帶通濾波器。雖然該產(chǎn)品為1608尺寸且厚度僅為0.55mm，但實(shí)現(xiàn)了與早期產(chǎn)品相同的低損耗、高衰減2特性，體積較原先縮小40%。

2008-09-19

帶通濾波器

VJ0805/1206/1210/1808/1812：Vishay的高可靠性MLCC

Vishay日前宣布，其 HVArc Guard表面貼裝 X7R 多層陶瓷片式電容器 (MLCC) 現(xiàn)可提供可選聚合體端子。該器件專為耐受較高機(jī)械應(yīng)用而設(shè)計(jì)，旨在減少機(jī)械破碎相關(guān)的電容器故障。

2008-09-19

VJ0805 VJ1206 VJ1210 VJ1808 VJ1812 MLCC 多層陶瓷片式電容器

電子元器件：業(yè)績下滑趨勢進(jìn)一步明確

上半年我國電子信息產(chǎn)業(yè)快速增長：上半年我國電子信息產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)出產(chǎn)業(yè)規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整初見成效，市場銷售良好等特點(diǎn)。2008年1-6月，電子信息產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)主營業(yè)務(wù)收入26579.6億元，同比增長21.9%，實(shí)現(xiàn)工業(yè)增加值5388.6億元，同比增長24.1%，增速同比提高6.5個(gè)百分點(diǎn)，利稅同比增長33.5%。...

2008-09-18

光學(xué)器件電聲器件電子元器件

PolySwitch RKEF系列：泰科電子超小型電路保護(hù)器

泰科電子今天宣布推出新系列的PolySwitch電路保護(hù)器。新的PolySwitch RKEF電路保護(hù)器是針對廣泛的各種通用電子產(chǎn)品而設(shè)計(jì)的──從工業(yè)控制器到電池組，在功能方面，它與泰科電子公司現(xiàn)有的RXEF過流保護(hù)器相當(dāng)，但是外形尺寸小得多。

2008-09-18

PolySwitch RKEF系列電路保護(hù)器

微特電機(jī) 變生產(chǎn)大國為技術(shù)強(qiáng)國

近幾年，我國微特電機(jī)行業(yè)有了長足的發(fā)展，尤其在長江三角洲、珠江三角洲、環(huán)渤海三大地區(qū)已經(jīng)形成我國微特電機(jī)的重要生產(chǎn)基地和出口基地。我國已經(jīng)成為世界微特電機(jī)的生產(chǎn)大國。

2008-09-18

微特電機(jī)

優(yōu)化變換器的FET開關(guān)以改善能量效率

現(xiàn)在越來越多的設(shè)計(jì)師在關(guān)注DC/DC功率系統(tǒng)的效率問題，功率MOSFET是DC/DC功率電路中功率損耗的罪魁禍?zhǔn)?，而通過采用先進(jìn)的器件，可以將這一損耗大幅降低。MOSFET廠商主要通過兩種方式來優(yōu)化工藝的發(fā)展。首先，為了改善產(chǎn)品的開關(guān)特性（開關(guān)速度），他們實(shí)施了先進(jìn)的柵極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，降低了柵極電荷（Q...

2008-09-18

MOSFET 開關(guān)和傳導(dǎo)損耗系統(tǒng)級效率開關(guān)特性單元密度

電子變壓器發(fā)展方向微型化發(fā)展

電子變壓器行業(yè)為適應(yīng)市場經(jīng)濟(jì)和配套的需求，近幾年，經(jīng)營機(jī)制有了較大的轉(zhuǎn)變。行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)顯示，民營企業(yè)已占電子變壓器行業(yè)的50%左右。目前我國電子變壓器市場基本處于穩(wěn)定狀態(tài)，由于電子變壓器屬于勞動(dòng)密集型產(chǎn)品，我國勞動(dòng)力成本比較低廉，行業(yè)沒有受到較大沖擊，出口方面反而有了進(jìn)一步...

2008-09-17

電子變壓器壓電陶瓷變壓器

SuperMESH3系列： ST照明和開關(guān)電源應(yīng)用功率MOSFET

意法半導(dǎo)體（ST）進(jìn)一步提高照明鎮(zhèn)流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關(guān)性能和能效，功率MOSFET被用于鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器和半橋電路以及開關(guān)電源內(nèi)。SuperMESH3的創(chuàng)新技術(shù)，配合優(yōu)異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。

2008-09-17

MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3

VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻

Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業(yè)級別絕對 TCR、在 +25°C 時(shí)最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優(yōu)越功率系數(shù)（“自身散熱產(chǎn)生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。

2008-09-17

電阻 VPR221Z VPR221SZ

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