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通信廣電

優(yōu)化變換器的FET開關以改善能量效率

現(xiàn)在越來越多的設計師在關注DC/DC功率系統(tǒng)的效率問題，功率MOSFET是DC/DC功率電路中功率損耗的罪魁禍首，而通過采用先進的器件，可以將這一損耗大幅降低。MOSFET廠商主要通過兩種方式來優(yōu)化工藝的發(fā)展。首先，為了改善產品的開關特性（開關速度），他們實施了先進的柵極結構設計，降低了柵極電荷（Q...

2008-09-18

MOSFET 開關和傳導損耗系統(tǒng)級效率開關特性單元密度

電子變壓器發(fā)展方向微型化發(fā)展

電子變壓器行業(yè)為適應市場經濟和配套的需求，近幾年，經營機制有了較大的轉變。行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計的數據顯示，民營企業(yè)已占電子變壓器行業(yè)的50%左右。目前我國電子變壓器市場基本處于穩(wěn)定狀態(tài)，由于電子變壓器屬于勞動密集型產品，我國勞動力成本比較低廉，行業(yè)沒有受到較大沖擊，出口方面反而有了進一步...

2008-09-17

電子變壓器壓電陶瓷變壓器

SuperMESH3系列： ST照明和開關電源應用功率MOSFET

意法半導體（ST）進一步提高照明鎮(zhèn)流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關性能和能效，功率MOSFET被用于鎮(zhèn)流器的功率因數校正器和半橋電路以及開關電源內。SuperMESH3的創(chuàng)新技術，配合優(yōu)異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。

2008-09-17

MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3

VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻

Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業(yè)級別絕對 TCR、在 +25°C 時最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優(yōu)越功率系數（“自身散熱產生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。

2008-09-17

電阻 VPR221Z VPR221SZ

我國遭美"337調查" LED企業(yè)上升至10家

2008年8月30日，我國又有6家LED企業(yè)即半導體照明企業(yè)，被控涉嫌專利侵權而將面臨美國國際貿易委員會(U.S.ITC)的“337調查”。加上此前已有6家中國大陸LED企業(yè)被起訴且其中4家被列入ITC“337調查”名單，今年以來，我國已有12家LED企業(yè)遭遇海外知識產權糾紛(不包括我國臺灣地區(qū)企業(yè))。

2008-09-16

知識產權 LED Rothschild 337調查

LY530AL：ST超小型GPS應用MEMS陀螺儀

通過提供可選的模擬或數字角速率絕對值輸出，意法半導體推出LY530AL MEMS陀螺儀，提高設計靈活性，簡化集成難度，并節(jié)省外部元器件。全程量可測角速率高達每秒+/-300度，在直觀人機界面或增強型汽車導航GPS等應用中，意法半導體的全新陀螺儀可測量快速角位移。

2008-09-12

LY530AL MEMS陀螺儀

中能打破多晶硅技術壟斷成中國硅料第一股

紐約證券交易所前不久突然發(fā)布了一則令全球光伏行業(yè)為之震動的消息，總部位于香港的太陽能硅芯片供應商協(xié)鑫硅業(yè)(GCL)已向美國證券交易委員會(SEC)遞交了IPO 申請，而這家公司的業(yè)務主體正是江蘇中能。

2008-09-11

多晶硅

Si500系列：芯科全硅振蕩器欲全面取代石英振蕩器

9月10日消息，高性能模擬與混合信號IC廠商Silicon Laboratories (芯科實驗室有限公司, Nasdaq: SLAB)發(fā)表具有業(yè)界最高穩(wěn)定性的全CMOS振蕩器，以此進入消費性定時市場，新產品不僅交貨時間較短、成本較低、可靠度較高且性能更佳，成為一種取代石英振蕩器(XO)的理想方案。

2008-09-11

Si500 硅振蕩器

康佳、長虹、TCL等彩電巨頭切入LED產業(yè)

奧運會上絢麗的多媒體顯示效果，讓LED（發(fā)光二極管）產業(yè)“出了彩”。《第一財經日報》日前從康佳、長虹、TCL、海信等國內幾大彩電企業(yè)獲悉，上述廠家都已切入LED產業(yè)，但思路并不完全一樣。

2008-09-11

LED

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